Продукція > SQ3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.04 грн
6000+	17.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3410EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

на замовлення 8303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.71 грн
10+	41.76 грн
100+	28.95 грн
500+	22.7 грн
1000+	19.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3410EV-T1_GE3

MOSFET 30V 8A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 18657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.75 грн
10+	45.95 грн
100+	27.24 грн
500+	22.77 грн
1000+	19.38 грн
3000+	16.98 грн
6000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3410EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

товар відсутній

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP

товар відсутній

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3410EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

товар відсутній

SQ3418AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V

товар відсутній

SQ3418AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V

товар відсутній

SQ3418AEEV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 36100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.33 грн
10+	51.92 грн
100+	35.09 грн
500+	29.77 грн
1000+	24.31 грн
3000+	22.77 грн
6000+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3418AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3418AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.89 грн
500+	38.01 грн
1000+	29.2 грн
3000+	23.31 грн
6000+	22.8 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3418AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3418AEEV-T1_GE3

MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.4 грн
10+	40.36 грн
100+	28.7 грн
500+	26.04 грн
1000+	23.31 грн
3000+	21.84 грн
6000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3418AEEV-T1_GE3

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.44 грн
13+	61.63 грн
100+	47.89 грн
500+	38.01 грн
1000+	29.2 грн
3000+	23.31 грн
6000+	22.8 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3418EEV-T1-GE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3418EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V

на замовлення 32858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.94 грн
10+	36.63 грн
100+	25.37 грн
500+	19.9 грн
1000+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3418EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.69 грн
6000+	15.22 грн
9000+	14.1 грн
30000+	13.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3418EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V

на замовлення 35700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.38 грн
10+	37.67 грн
100+	26.05 грн
500+	20.42 грн
1000+	17.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3418EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.13 грн
6000+	15.63 грн
9000+	14.47 грн
30000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3418EV-T1_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 54636 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.7 грн
10+	41.35 грн
100+	24.51 грн
500+	20.51 грн
1000+	17.45 грн
3000+	14.78 грн
6000+	14.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419AEEV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 59940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.1 грн
10+	42.27 грн
100+	25.11 грн
500+	20.98 грн
1000+	18.38 грн
3000+	15.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419AEEV-T1_GE3

MOSFET -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

на замовлення 28874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.4 грн
10+	40.82 грн
100+	25.11 грн
500+	20.98 грн
1000+	17.85 грн
3000+	15.85 грн
6000+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6551 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.66 грн
10+	37.46 грн
100+	25.94 грн
500+	20.34 грн
1000+	17.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3419AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.69 грн
19+	40.64 грн
100+	31.3 грн
500+	24.56 грн
1000+	19.47 грн
3000+	19.08 грн

Мінімальне замовлення: 16

SQ3419AEEV-T1_GE3

Automotive P-Channel 60 V D-S 175 Degree C Mosfet

товар відсутній

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

товар відсутній

SQ3419EEV-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 7.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3419EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.22 грн
10+	36.28 грн
100+	25.13 грн
500+	19.7 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 34002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.7 грн
10+	40.74 грн
100+	24.51 грн
500+	20.51 грн
1000+	17.45 грн
3000+	15.25 грн
6000+	14.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.52 грн
6000+	15.07 грн
9000+	13.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419EV-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	34.32 грн

Мінімальне замовлення: 341

SQ3419EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -6.9A; Idm: -27A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -6.9A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQ3419EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.1 грн
18+	43.03 грн
100+	28.91 грн
500+	21.78 грн
1000+	15.24 грн
5000+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	27.2 грн
23+	25.56 грн
25+	24.98 грн
100+	20.81 грн
250+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 22

SQ3419EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 73049 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47 грн
10+	40.21 грн
100+	24.51 грн
500+	20.51 грн
1000+	17.45 грн
3000+	15.52 грн
6000+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419EV-T1_GE3

на замовлення 14855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.94 грн
10+	36.63 грн
100+	25.36 грн
500+	19.88 грн
1000+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3419EV-T1_GE3

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.91 грн
500+	21.78 грн
1000+	15.24 грн
5000+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419EV-T1_GE3

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.68 грн
6000+	15.21 грн
9000+	14.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419EV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3425EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP

товар відсутній

SQ3425EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.26 грн
10+	40.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3425EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 5210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.7 грн
10+	40.74 грн
100+	24.51 грн
500+	20.51 грн
1000+	17.45 грн
3000+	15.52 грн
6000+	14.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3425EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

товар відсутній

SQ3425EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2509 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.49 грн
10+	49.4 грн
100+	32.96 грн
500+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3425EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.15 грн
10+	43.01 грн
100+	32.97 грн
500+	24.46 грн
1000+	19.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426AEEV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 41425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.4 грн
10+	41.66 грн
100+	25.11 грн
500+	20.98 грн
1000+	17.85 грн
3000+	15.85 грн
6000+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3426AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.06 грн
6000+	15.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3426AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3426AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.66 грн
10+	37.46 грн
100+	25.94 грн
500+	20.34 грн
1000+	17.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3426AEEV-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQ3426AEEV-T1_GE3

MOSFET 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.3 грн
10+	34.08 грн
100+	22.64 грн
500+	19.31 грн
1000+	16.65 грн
3000+	15.45 грн
6000+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3426AEEV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3426CEV-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 42mO 10V, 63mO 4.5V

на замовлення 18513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.3 грн
10+	32.47 грн
100+	21.11 грн
500+	16.58 грн
1000+	13.25 грн
3000+	11.19 грн
9000+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.3 грн
10+	29.13 грн
100+	20.26 грн
500+	14.84 грн
1000+	12.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3426CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.08 грн
21+	36.98 грн
100+	24.88 грн
500+	18.17 грн
1000+	12.93 грн
3000+	11.78 грн
6000+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 17

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

товар відсутній

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

товар відсутній

SQ3426EV-T1"GE3

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9939

товар відсутній

SQ3426EV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

на замовлення 1713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.87 грн
10+	44.19 грн
100+	33.88 грн
500+	25.13 грн
1000+	20.1 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426EV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ3426EV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 224712 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.45 грн
10+	45.8 грн
100+	27.64 грн
500+	23.11 грн
1000+	19.65 грн
3000+	17.18 грн
6000+	15.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3426EV-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2253 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.28 грн
10+	34.96 грн
25+	30.94 грн
31+	26.71 грн
83+	25.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3426EV-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2253 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	66.34 грн
6+	43.57 грн
25+	37.13 грн
31+	32.05 грн
83+	30.3 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3426EV-T1_GE3

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59981 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.45 грн
10+	45.8 грн
100+	27.64 грн
500+	23.11 грн
1000+	19.65 грн
3000+	17.45 грн
6000+	16.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

на замовлення 53981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.31 грн
10+	45.3 грн
100+	34.74 грн
500+	25.77 грн
1000+	20.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 53390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.03 грн
15+	51.55 грн
100+	36.08 грн
500+	26.5 грн
1000+	19.91 грн
3000+	18.12 грн
6000+	17.8 грн
12000+	17.42 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQ3426EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.68 грн
6000+	18.54 грн
15000+	17.85 грн
30000+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427AEEV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 149455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.05 грн
10+	38.9 грн
100+	25.64 грн
500+	22.71 грн
1000+	19.84 грн
3000+	17.65 грн
6000+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3427AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.96 грн
6000+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.71 грн
10+	41.62 грн
100+	28.82 грн
500+	22.6 грн
1000+	19.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3427AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 19490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.69 грн
15+	50.28 грн
100+	31.3 грн
500+	24.28 грн
1000+	20.49 грн
5000+	18.57 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.96 грн
6000+	17.29 грн
9000+	16.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 6170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427AEEV-T1_GE3

MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 620714 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.23 грн
10+	46.33 грн
100+	27.9 грн
500+	23.31 грн
1000+	19.84 грн
3000+	17.65 грн
6000+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3427AEEV-T1_GE3

на замовлення 19490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.3 грн
500+	24.28 грн
1000+	20.49 грн
5000+	18.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3427AEEV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD

товар відсутній

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.71 грн
10+	41.62 грн
100+	28.82 грн
500+	22.6 грн
1000+	19.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3427AEEV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 113735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.7 грн
10+	40.74 грн
100+	24.51 грн
500+	20.51 грн
1000+	17.45 грн
3000+	14.98 грн
6000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3427EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 17440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.94 грн
10+	36.63 грн
100+	25.36 грн
500+	19.88 грн
1000+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3427EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3427EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 12583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.52 грн
18+	43.85 грн
100+	27.49 грн
500+	21.37 грн
1000+	14.92 грн
5000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3427EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.58 грн
11+	33.85 грн
25+	30.52 грн
37+	22.13 грн
100+	20.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.68 грн
6000+	15.21 грн
9000+	14.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	66.7 грн
7+	42.18 грн
25+	36.63 грн
37+	26.55 грн
100+	25.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3427EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 452505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.7 грн
10+	40.74 грн
100+	24.51 грн
500+	20.51 грн
1000+	17.45 грн
3000+	15.52 грн
6000+	14.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 12583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.49 грн
500+	21.37 грн
1000+	14.92 грн
5000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

товар відсутній

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

товар відсутній

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3456BEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3456BEV-T1_GE3

MOSFET 30V 7.8A 4W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ3456BEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3456CEV

Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3456CEV

Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	16.58 грн
38+	15.47 грн
50+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 35

SQ3456CEV-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 30V 175C MOSFET 35mO 10V, 52mO 4.5V

на замовлення 5759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.83 грн
10+	31.32 грн
100+	20.31 грн
500+	15.98 грн
1000+	12.79 грн
3000+	10.79 грн
9000+	9.79 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3456CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3456CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.18 грн
10+	31.7 грн
100+	23.65 грн
500+	17.44 грн
1000+	13.48 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3456EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 6TSOP

товар відсутній

SQ3457EV-T1_BE3

SQ3457EV-T1-BE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQ3457EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3457EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 5823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39 грн
10+	34.23 грн
100+	22.58 грн
500+	19.98 грн
1000+	17.45 грн
3000+	15.18 грн
6000+	14.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3457EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.59 грн
10+	44.47 грн
100+	34.11 грн
500+	25.31 грн
1000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3457EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm

на замовлення 17803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.49 грн
500+	18.17 грн
1500+	16.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3457EV-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 203399 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.3 грн
10+	33.31 грн
100+	21.24 грн
500+	18.38 грн
1000+	16.18 грн
3000+	14.98 грн
6000+	14.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3457EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.68 грн
6000+	15.21 грн
9000+	14.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3457EV-T1_GE3

на замовлення 17803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.52 грн
50+	36.01 грн
100+	27.49 грн
500+	18.17 грн
1500+	16.46 грн

Мінімальне замовлення: 17

SQ3457EV-T1_GE3

SQ3457EV-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQ3457EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3457EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.94 грн
10+	36.63 грн
100+	25.36 грн
500+	19.88 грн
1000+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3460EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 1020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.2 грн
500+	35.17 грн
1000+	24.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3460EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3460EV-T1_GE3

на замовлення 1020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.69 грн
12+	62.83 грн
100+	45.2 грн
500+	35.17 грн
1000+	24.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ3460EV-T1_GE3

MOSFET 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.78 грн
10+	59.5 грн
100+	40.29 грн
500+	33.76 грн
1000+	27.1 грн
3000+	25.71 грн
6000+	24.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3461EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товар відсутній

SQ3461EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 47953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.63 грн
10+	48.32 грн
100+	28.64 грн
500+	23.91 грн
1000+	20.38 грн
3000+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3461EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.6A; 1.67W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.6A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.63 грн
10+	47.48 грн
100+	28.64 грн
500+	23.91 грн
1000+	20.38 грн
3000+	18.11 грн
6000+	17.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3469EV-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ3469EV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3469EV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6

товар відсутній

SQ3469EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.97 грн
6000+	13.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3469EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V

на замовлення 8655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.62 грн
10+	32.88 грн
100+	22.77 грн
500+	17.85 грн
1000+	15.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3469EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V

на замовлення 2013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.22 грн
10+	36.14 грн
100+	25.04 грн
500+	19.63 грн
1000+	16.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3469EV-T1_GE3

MOSFET 20V 8A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.7 грн
10+	41.35 грн
100+	24.51 грн
500+	20.51 грн
1000+	17.45 грн
3000+	15.25 грн
6000+	14.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3469EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V

товар відсутній

SQ3481EV-T1-GE3

MOSFET P-Channel 30V Automotive MOSFET

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ3481EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3481EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 50541 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.43 грн
10+	31.63 грн
100+	21.78 грн
500+	19.78 грн
1000+	17.45 грн
3000+	15.18 грн
6000+	14.45 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3481EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3481EV-T1_BE3

SQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQ3481EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3481EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3481EV-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 43768 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.7 грн
10+	40.74 грн
100+	24.51 грн
500+	20.51 грн
1000+	17.45 грн
3000+	15.18 грн
6000+	14.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3493EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3493EV-T1_GE3

SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQ3493EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3493EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm

на замовлення 11064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.72 грн
500+	21.57 грн
1000+	15.3 грн
5000+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3493EV-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.7 грн
10+	41.74 грн
100+	24.71 грн
500+	20.71 грн
1000+	17.58 грн
3000+	15.92 грн
6000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3493EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V

на замовлення 5994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.1 грн
10+	38.01 грн
100+	26.32 грн
500+	20.63 грн
1000+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3493EV-T1_GE3

на замовлення 11064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.52 грн
17+	44.9 грн
100+	27.72 грн
500+	21.57 грн
1000+	15.3 грн
5000+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3495EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

на замовлення 2261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.26 грн
17+	44.3 грн
100+	27.79 грн
500+	21.64 грн
1000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3495EV-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 14384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.3 грн
10+	33.47 грн
100+	21.64 грн
500+	18.78 грн
1000+	16.52 грн
3000+	15.45 грн
6000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3495EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.85 грн
6000+	15.37 грн
9000+	14.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3495EV-T1_GE3

на замовлення 2261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.79 грн
500+	21.64 грн
1000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3495EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.66 грн
10+	37.04 грн
100+	25.62 грн
500+	20.09 грн
1000+	17.1 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3585EV-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	116.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3585EV-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.57A/2.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3585EV-T1_GE3

MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.28 грн
10+	209.07 грн
25+	172.48 грн
100+	147.17 грн
250+	139.18 грн
500+	131.19 грн
1000+	111.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ3585EV-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12072 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.68 грн
10+	201.17 грн
25+	190.21 грн
100+	154.72 грн
250+	146.78 грн
500+	131.71 грн
1000+	109.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ3985EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 12720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.7 грн
10+	41.35 грн
100+	24.51 грн
500+	20.51 грн
1000+	17.45 грн
3000+	15.78 грн
6000+	14.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3985EV-T1_GE3

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ3985EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 6-Pin TSOP

товар відсутній

SQ3985EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 131909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.7 грн
10+	40.74 грн
100+	24.51 грн
500+	20.51 грн
1000+	17.45 грн
3000+	15.38 грн
6000+	14.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3987EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.62 грн
10+	33.3 грн
100+	23.06 грн
500+	18.08 грн
1000+	15.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3987EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 7888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.2 грн
18+	42.95 грн
100+	29.81 грн
500+	21.85 грн
1000+	19.72 грн
3000+	19.34 грн
6000+	18.89 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3987EV-T1_GE3
Код товару: 174743

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQ3987EV-T1_GE3

MOSFET Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 66742 шт:

термін постачання 551-560 дні (днів)

7+	50.5 грн
10+	44.03 грн
100+	29.37 грн
500+	23.24 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3987EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3987EV-T1_GE3

DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQ3987EV-T1_GE3

DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQ3987EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 7888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.81 грн
500+	21.85 грн
1000+	19.72 грн
3000+	19.34 грн
6000+	18.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3989EV-T1_BE3

Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active

товар відсутній

SQ3989EV-T1_BE3

Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active

товар відсутній

SQ3989EV-T1_GE3

MOSFET Dual P-Channel 30V TSOP-6

на замовлення 237505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.18 грн
10+	34.69 грн
100+	21.11 грн
500+	16.52 грн
1000+	13.19 грн
3000+	11.39 грн
9000+	10.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3989EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 42172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.18 грн
10+	31.35 грн
100+	21.84 грн
500+	16 грн
1000+	13 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3989EV-T1_GE3