Продукція > SQJ

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SQJ110EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175C MOSFET, 6.3 mO 10V

на замовлення 5635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.42 грн
10+	98.79 грн
100+	71.26 грн
3000+	60.07 грн
6000+	58.87 грн
9000+	57.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ123ELP

Trans MOSFET P-CH 12V 238A T/R

товар відсутній

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 238
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SQJ123ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V

на замовлення 2630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.82 грн
10+	98.5 грн
100+	79.18 грн
500+	61.05 грн
1000+	50.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ123ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V

товар відсутній

SQJ126EP-T1_GE3

SQJ126EP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SQJ128ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ128ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ128ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 8306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.99 грн
10+	93.43 грн
100+	67.26 грн
250+	65.66 грн
500+	60.53 грн
1000+	55.27 грн
3000+	50.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ136ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ136ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

товар відсутній

SQJ136ELP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 350A T/R

товар відсутній

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.0009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ136ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.0009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ138ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 315A T/R

товар відсутній

SQJ138ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.38 грн
10+	96.91 грн
100+	75.53 грн
500+	58.55 грн
1000+	46.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm

на замовлення 2412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.89 грн
500+	51.82 грн
1000+	37.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ138ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm

на замовлення 2412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.03 грн
10+	88.9 грн
100+	65.89 грн
500+	51.82 грн
1000+	37.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ138ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 21767 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.99 грн
10+	86.54 грн
100+	58.74 грн
500+	49.75 грн
1000+	40.49 грн
3000+	38.96 грн
6000+	37.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ138EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.17 грн
10+	82.76 грн
100+	64.37 грн
500+	51.2 грн
1000+	41.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ138EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 5473 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.21 грн
10+	92.66 грн
100+	62.53 грн
500+	52.74 грн
1000+	42.95 грн
3000+	42.29 грн
24000+	38.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ138EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ140ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.34 грн
10+	77.35 грн
100+	52.41 грн
500+	50.48 грн
3000+	42.89 грн
6000+	42.02 грн
9000+	41.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ140ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.97 грн
10+	84.21 грн
100+	65.66 грн
500+	50.91 грн
1000+	40.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ140ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.51 грн
6000+	37.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ140EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ142ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 175A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ142ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ142ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET Auto N-Ch 40 V (D-S)

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ142ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.48 грн
10+	58.2 грн
100+	45.29 грн
500+	36.03 грн
1000+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ142EP-T1-GE3-J

Vishay MOSFET 40V NCH 175C

товар відсутній

SQJ142EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ142EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ142EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ142EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 167 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 167A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 191W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	85.16 грн
12+	66.26 грн
100+	47.89 грн
500+	37.67 грн
1000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQJ142EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 37133 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.3 грн
10+	62.95 грн
100+	42.62 грн
500+	36.09 грн
1000+	29.43 грн
3000+	27.7 грн
6000+	26.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ142EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.04 грн
10+	56.67 грн
100+	44.1 грн
500+	35.08 грн
1000+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ142EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ142EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ142EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 167 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 167A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 191W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.89 грн
500+	37.67 грн
1000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ144EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ144EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.44 грн
500+	36.35 грн
1000+	26.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ144EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 5940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ144EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ144EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ144EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.69 грн
12+	65.74 грн
100+	47.44 грн
500+	36.35 грн
1000+	26.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQJ144EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.6 грн
10+	60.56 грн
100+	47.22 грн
500+	36.61 грн
1000+	28.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ146ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 88A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ146ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ146ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ146ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET Auto N-Ch 40 V (D-S)

на замовлення 32975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.38 грн
10+	56.82 грн
100+	40.22 грн
500+	31.77 грн
1000+	25.44 грн
3000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ146EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 153-162 дні (днів)

5+	71.48 грн
10+	62.11 грн
100+	41.42 грн
500+	32.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ146EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.23 грн
10+	51.54 грн
100+	39.51 грн
500+	29.31 грн
1000+	23.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ146EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ147ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	60.02 грн
197+	59.43 грн
202+	58.06 грн
259+	43.52 грн
262+	39.89 грн

Мінімальне замовлення: 195

SQJ147ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ147ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ147ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 13243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.1 грн
500+	34.06 грн
1000+	24.01 грн
5000+	23.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ147ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.08 грн
6000+	23.92 грн
9000+	22.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ147ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	67.95 грн
11+	55.74 грн
25+	55.18 грн
50+	51.98 грн
100+	37.42 грн
250+	35.56 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQJ147ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 13243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.69 грн
13+	60.29 грн
100+	43.1 грн
500+	34.06 грн
1000+	24.01 грн
5000+	23.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQJ147ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 148772 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.38 грн
10+	55.75 грн
100+	37.69 грн
500+	32.03 грн
1000+	26.1 грн
3000+	24.51 грн
6000+	23.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ147ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 23962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	49.67 грн
100+	38.64 грн
500+	30.74 грн
1000+	25.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ148EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.68 грн
6000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ148EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ148EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.94 грн
10+	36.63 грн
100+	25.36 грн
500+	19.88 грн
1000+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ150EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ150EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 66A PPAK SO-8

на замовлення 3048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ152ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 123A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ152ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.65 грн
500+	29.62 грн
1000+	20.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ152ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.19 грн
10+	44.6 грн
100+	34.67 грн
500+	27.58 грн
1000+	22.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ152ELP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 123A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ152ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET Auto N-Ch 40 V (D-S)

на замовлення 10121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.45 грн
10+	49.55 грн
100+	33.56 грн
500+	28.44 грн
1000+	23.17 грн
3000+	21.11 грн
6000+	20.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ152ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	67.53 грн
15+	52.82 грн
100+	37.65 грн
500+	29.62 грн
1000+	20.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

SQJ152ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.4 грн
6000+	21.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ152EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In PressFit 400V 1500uF 18K Hrs Life 5pin

товар відсутній

SQJ154EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ154EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 243 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 2623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	88.9 грн
11+	68.5 грн
100+	49.6 грн
500+	39.05 грн
1000+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQJ154EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ154EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 243A Automotive AEC-Q101 T/R

товар відсутній

SQJ154EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ154EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 243 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 2623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.6 грн
500+	39.05 грн
1000+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ154EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.28 грн
10+	72.28 грн
100+	56.35 грн
500+	43.69 грн
1000+	34.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ154EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET

на замовлення 13449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.8 грн
10+	65.32 грн
100+	44.22 грн
500+	37.49 грн
1000+	33.83 грн
3000+	28.77 грн
6000+	27.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ158EP-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 45W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Power dissipation: 45W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQJ158EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ158EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-Channel 60V PowerPAK SO-8L

на замовлення 7193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ158EP-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 45W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Power dissipation: 45W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQJ158EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.82 грн
10+	38.92 грн
100+	26.9 грн
500+	21.09 грн
1000+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ160EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C AEC-Q101

на замовлення 6121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.41 грн
10+	109.51 грн
100+	79.25 грн
3000+	66.59 грн
6000+	65.66 грн
9000+	64.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ160EP-T1_GE3

N-Channel MOSFET

товар відсутній

SQJ164ELP

Trans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ164ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.52 грн
10+	67.36 грн
100+	52.49 грн
500+	40.7 грн
1000+	32.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ164ELP-T1_GE3

SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SQJ164ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ164ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.8 грн
10+	65.02 грн
100+	44.02 грн
500+	37.36 грн
1000+	30.43 грн
3000+	28.64 грн
6000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ168ELP

SQJ168ELP

товар відсутній

SQJ168ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.45 грн
10+	53 грн
100+	31.43 грн
500+	28.24 грн
3000+	23.97 грн
6000+	23.51 грн
9000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ168ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.19 грн
10+	46.48 грн
100+	32.17 грн
500+	25.23 грн
1000+	21.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ168ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.16 грн
6000+	19.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ170ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V

на замовлення 4001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.52 грн
10+	67.5 грн
100+	52.62 грн
500+	40.79 грн
1000+	32.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ170ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 10369 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.13 грн
10+	60.42 грн
100+	40.89 грн
500+	39.36 грн
3000+	33.36 грн
6000+	32.76 грн
9000+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ170ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ170ELP-T1_GE3

SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SQJ174EP-T1/GE3

MOSFET

товар відсутній

SQJ174EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET PowerPAK SO-8L BWL

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 217-226 дні (днів)

3+	129.75 грн
10+	106.45 грн
100+	73.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ174EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ174EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 293A T/R

товар відсутній

SQJ174EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.3 грн
10+	96.08 грн
100+	76.46 грн
500+	60.72 грн
1000+	51.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ174EP-T2-GE3

Vishay MOSFET 60V NCH 175C

товар відсутній

SQJ180EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.28 грн
10+	134.79 грн
100+	94.56 грн
500+	77.25 грн
1000+	64.33 грн
3000+	59.8 грн
6000+	57.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ182EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 210A T/R

товар відсутній

SQJ182EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

товар відсутній

SQJ182EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ182EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 210 A, 0.0041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

SQJ182EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 170-179 дні (днів)

3+	128.19 грн
10+	114.11 грн
25+	93.23 грн
100+	79.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ182EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

товар відсутній

SQJ182EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ182EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 210 A, 0.0041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

SQJ184EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 8997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.07 грн
23+	33.84 грн
100+	33.54 грн
500+	30.94 грн
1000+	28.3 грн
5000+	28.11 грн

Мінімальне замовлення: 22

SQJ184EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3478 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.16 грн
10+	74.78 грн
100+	58.3 грн
500+	45.2 грн
1000+	35.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ184EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm

на замовлення 8997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.54 грн
500+	30.94 грн
1000+	28.3 грн
5000+	28.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ184EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET

на замовлення 4655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.91 грн
10+	67.62 грн
100+	45.75 грн
500+	38.76 грн
1000+	33.16 грн
3000+	28.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ184EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3478 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ185ELP-T1/GE3

Vishay

товар відсутній

SQJ185ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ186ELP

Trans MOSFET N-CH 80V 66A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ186ELP

Trans MOSFET N-CH 80V 66A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	44.58 грн
15+	41.21 грн
25+	40.4 грн
50+	35.5 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQJ186ELP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSF

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

1+	400.89 грн
10+	354.58 грн
100+	253.06 грн
500+	215.1 грн
1000+	181.8 грн
2000+	164.49 грн

SQJ186ELP-T1/GE3

MOSFET

товар відсутній

SQJ186ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.51 грн
10+	47.86 грн
100+	37.24 грн
500+	29.62 грн
1000+	24.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ186ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET Automotive N-Channel 80V D-S 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL , 12.5 mO 10V

на замовлення 5553 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.73 грн
10+	53.22 грн
100+	36.03 грн
500+	30.5 грн
1000+	27.57 грн
3000+	23.44 грн
6000+	22.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ186ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ186EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ186EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 25 V

на замовлення 2952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.8 грн
10+	66.87 грн
100+	52.12 грн
500+	40.4 грн
1000+	31.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ186EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.44 грн
11+	70.89 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQJ186EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ186EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 25118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.13 грн
10+	60.42 грн
100+	40.89 грн
500+	34.7 грн
1000+	28.24 грн
3000+	27.1 грн
6000+	25.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ200EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.91 грн
10+	67.7 грн
100+	45.82 грн
500+	38.82 грн
1000+	31.63 грн
3000+	29.7 грн
6000+	28.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ200EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.16 грн
10+	74.85 грн
100+	58.38 грн
500+	45.26 грн
1000+	35.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ200EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ202EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101 грн
10+	81.94 грн
100+	55.34 грн
500+	46.88 грн
1000+	38.22 грн
3000+	35.89 грн
6000+	34.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ202EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ202EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 20A/60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ202EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.21 грн
10+	72.77 грн
100+	56.63 грн
500+	45.05 грн
1000+	36.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ202EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.1 грн
6000+	32.2 грн
9000+	30.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ202EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFETS

товар відсутній

SQJ202EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85 грн
10+	66.87 грн
100+	52.01 грн
500+	41.37 грн
1000+	33.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ204EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.09 грн
10+	74.85 грн
100+	58.19 грн
500+	46.29 грн
1000+	37.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ204EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 20A/60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ204EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.33 грн
10+	83.48 грн
100+	56.27 грн
500+	47.68 грн
1000+	38.89 грн
3000+	36.56 грн
6000+	34.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ204EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.28 грн
6000+	36.02 грн
9000+	34.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ208EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ208EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-

товар відсутній

SQJ208EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

на замовлення 71950 шт:

термін постачання 605-614 дні (днів)

4+	102.55 грн
10+	82.71 грн
100+	56.2 грн
500+	47.61 грн
1000+	38.82 грн
3000+	36.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R

товар відсутній

SQJ211ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 52243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.32 грн
10+	89.6 грн
100+	60.47 грн
500+	51.21 грн
1000+	41.75 грн
3000+	39.22 грн
6000+	37.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ211ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.85 грн
10+	79.5 грн
100+	61.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R

товар відсутній

SQJ211ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R

товар відсутній

SQJ211ELP-X

MOSFET

товар відсутній

SQJ244EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L

товар відсутній

SQJ244EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 437-446 дні (днів)

4+	103.33 грн
10+	85.01 грн
100+	59.87 грн
500+	53.47 грн
1000+	39.36 грн
3000+	37.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ244EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ260EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ260EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ260EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155
Verlustleistung, p-Kanal: 48
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.2 грн
500+	58.41 грн
1000+	39.89 грн
5000+	39.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ260EP-T1_GE3

DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ260EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung, p-Kanal: 48
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0155
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	109.07 грн
10+	97.86 грн
100+	76.2 грн
500+	58.41 грн
1000+	39.89 грн
5000+	39.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ260EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.61 грн
10+	92.05 грн
100+	71.75 грн
500+	55.62 грн
1000+	43.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ262EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.16 грн
10+	68.47 грн
100+	53.25 грн
500+	42.36 грн
1000+	34.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ262EP-T1_GE3

DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ262EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.95 грн
6000+	32.97 грн
9000+	31.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ262EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ264EP

Trans MOSFET N-CH 60V 20A/54A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ264EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (

на замовлення 2886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ264EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.88 грн
10+	91.9 грн
100+	63.8 грн
250+	58.47 грн
500+	53.08 грн
1000+	45.48 грн
3000+	43.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ264EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (

товар відсутній

SQJ401EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ401EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 38446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.62 грн
10+	115.64 грн
100+	79.91 грн
250+	73.92 грн
500+	66.59 грн
1000+	57.2 грн
3000+	54.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ401EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ401EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V

на замовлення 2914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.47 грн
10+	112.17 грн
100+	89.27 грн
500+	70.89 грн
1000+	60.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ401EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ401EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V

товар відсутній

SQJ402EP-T1"GE3

Description: VISHAY - SQJ402EP-T1"GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9936

товар відсутній

SQJ402EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ402EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.95 грн
6000+	41.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ402EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V

на замовлення 6949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	99.41 грн
10+	79.77 грн
100+	63.46 грн
500+	50.39 грн
1000+	42.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ402EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.55 грн
10+	89.6 грн
100+	62.53 грн
250+	57.2 грн
500+	52.81 грн
3000+	44.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ402EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 8453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.52 грн
10+	92.63 грн
100+	67.76 грн
500+	56.88 грн
1000+	41.49 грн
5000+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	74.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ402EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ402EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

на замовлення 37282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	89.6 грн
100+	62.53 грн
250+	59.4 грн
500+	51.94 грн
1000+	44.55 грн
3000+	42.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ402EP-T1_GE3
Код товару: 155826

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ402EP-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 83W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ402EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 8453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.76 грн
500+	56.88 грн
1000+	41.49 грн
5000+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	85.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ402EP-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 83W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ402EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.13 грн
10+	80.61 грн
100+	64.11 грн
500+	50.91 грн
1000+	43.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	77.15 грн
159+	73.7 грн
250+	70.74 грн
500+	65.75 грн

Мінімальне замовлення: 152

SQJ403BEEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.29 грн
10+	80.68 грн
100+	62.76 грн
500+	49.93 грн
1000+	40.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ403BEEP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJ403BEEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V

товар відсутній

SQJ403BEEP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 25922 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.32 грн
10+	88.84 грн
100+	60.6 грн
500+	51.41 грн
1000+	41.89 грн
3000+	39.36 грн
6000+	37.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товар відсутній

SQJ403BEEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.29 грн
10+	80.68 грн
100+	62.76 грн
500+	49.93 грн
1000+	40.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	64.68 грн
10+	59.41 грн
25+	59.15 грн
100+	50.53 грн
250+	46.55 грн
500+	40.79 грн
1000+	38.74 грн
3000+	36.69 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQJ403BEEP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 8288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.23 грн
10+	77.35 грн
100+	54.34 грн
500+	46.95 грн
1000+	40.42 грн
3000+	38.49 грн
6000+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ403BEEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ403BEEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

218+	53.68 грн

Мінімальне замовлення: 218

SQJ403BEEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товар відсутній

SQJ403EEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ403EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 24849 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.55 грн
10+	89.6 грн
100+	62.53 грн
250+	57.2 грн
500+	51.94 грн
1000+	44.55 грн
3000+	42.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ403EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ403EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ403EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ403EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ407EP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C

товар відсутній

SQJ407EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ407EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.37 грн
10+	74.09 грн
100+	57.6 грн
500+	45.82 грн
1000+	37.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ407EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix TSQJ407ep
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	61.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	95.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ407EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ407EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm

на замовлення 11895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.13 грн
500+	49.67 грн
1000+	35.22 грн
5000+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.14 грн
6000+	39.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	62.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ407EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ407EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm

на замовлення 11895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	112.8 грн
10+	85.91 грн
100+	63.13 грн
500+	49.67 грн
1000+	35.22 грн
5000+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.37 грн
10+	74.09 грн
100+	57.6 грн
500+	45.82 грн
1000+	37.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 57346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.33 грн
10+	83.48 грн
100+	56.27 грн
500+	47.68 грн
1000+	38.89 грн
3000+	35.76 грн
6000+	34.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	73.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ409EP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C

товар відсутній

SQJ409EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.55 грн
10+	83.48 грн
100+	56.6 грн
500+	48.01 грн
1000+	39.09 грн
2500+	37.83 грн
5000+	35.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ409EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ409EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ409EP-T1_BE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -60A; Idm: -150A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 68W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQJ409EP-T1_BE3

P Channel Trans MOSFET

товар відсутній

SQJ409EP-T1_BE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -60A; Idm: -150A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 68W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQJ409EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.73 грн
10+	81.58 грн
100+	63.44 грн
500+	50.47 грн
1000+	41.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	73.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ409EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.81 грн
10+	75.26 грн
100+	58.53 грн
500+	46.56 грн
1000+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.35 грн
6000+	39.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ409EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 38398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.77 грн
500+	50.99 грн
1000+	36.82 грн
5000+	34 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ409EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.51 грн
6000+	36.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ409EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 73364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	104.11 грн
10+	84.24 грн
100+	56.6 грн
500+	48.01 грн
1000+	39.09 грн
3000+	36.76 грн
6000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 83000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	46.75 грн

Мінімальне замовлення: 250

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 83000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	101.73 грн
10+	82.68 грн
100+	64.03 грн
500+	51.97 грн
1000+	38.93 грн
3000+	34.58 грн
6000+	32.71 грн
9000+	31.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ409EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 38398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	115.04 грн
10+	88.15 грн
100+	64.77 грн
500+	50.99 грн
1000+	36.82 грн
5000+	34 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ409EP-T2/GE3

MOSFET

товар відсутній

SQJ409EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.81 грн
10+	75.33 грн
100+	58.58 грн
500+	46.6 грн
1000+	37.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ409EP-T2_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ409EP-T2_GE3

Automotive P-Channel

товар відсутній

SQJ409EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.54 грн
6000+	36.27 грн
9000+	34.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ409EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 49014 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.33 грн
10+	84.24 грн
100+	56.67 грн
500+	48.08 грн
1000+	45.22 грн
3000+	38.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ410EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ410EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 26205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	170.15 грн
10+	138.61 грн
100+	96.56 грн
250+	89.24 грн
500+	80.58 грн
1000+	69.26 грн
3000+	65.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQJ410EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ410EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

товар відсутній

SQJ411EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товар відсутній

SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V

товар відсутній

SQJ411EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товар відсутній

SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85 грн
10+	66.73 грн
100+	51.87 грн
500+	41.26 грн
1000+	33.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ411EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP

товар відсутній

SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4758 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.68 грн
10+	74.82 грн
100+	50.28 грн
500+	42.69 грн
1000+	34.76 грн
3000+	32.63 грн
6000+	31.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ412EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ412EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ412EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

на замовлення 1253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ412EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

на замовлення 1253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ412EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ412EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	69.61 грн
6000+	64.52 грн
9000+	62.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ412EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	170.15 грн
10+	138.61 грн
100+	96.56 грн
250+	92.57 грн
500+	81.24 грн
1000+	69.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQJ412EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	154.88 грн
10+	123.48 грн
100+	98.29 грн
500+	78.05 грн
1000+	66.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQJ412EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ422EP-T1_GE3

товар відсутній

SQJ412EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ414EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.79 грн
10+	49.81 грн
100+	34.52 грн
500+	27.07 грн
1000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ414EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.73 грн
10+	56.9 грн
100+	33.76 грн
500+	28.17 грн
1000+	22.64 грн
3000+	20.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ414EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.71 грн
6000+	20.71 грн
9000+	19.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ414EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ414EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0098 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.82 грн
16+	47.44 грн
100+	30.33 грн
500+	23.45 грн
1000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQJ414EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ414EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.73 грн
10+	55.98 грн
100+	33.76 грн
500+	28.17 грн
1000+	24.04 грн
3000+	21.31 грн
6000+	21.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ414EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ414EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ414EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ414EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0098 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.33 грн
500+	23.45 грн
1000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ414EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ415EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJ415EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ415EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJ415EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	49.95 грн
100+	38.87 грн
500+	30.91 грн
1000+	25.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ415EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	49.95 грн
100+	38.87 грн
500+	30.91 грн
1000+	25.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ415EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm

на замовлення 6190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.69 грн
13+	60.66 грн
100+	43.4 грн
500+	34.27 грн
1000+	24.14 грн
5000+	22.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQJ415EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	67.97 грн
11+	56.09 грн
25+	55.66 грн
50+	51.83 грн
100+	39.18 грн
250+	37.39 грн
500+	31.97 грн
1000+	24.37 грн
3000+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQJ415EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ415EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

348+	33.58 грн

Мінімальне замовлення: 348

SQJ415EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ415EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm

на замовлення 6190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.4 грн
500+	34.27 грн
1000+	24.14 грн
5000+	22.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ415EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 4236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.38 грн
10+	56.14 грн
100+	37.96 грн
500+	32.23 грн
1000+	26.24 грн
3000+	24.64 грн
6000+	23.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ416EP-T1-BE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C

товар відсутній

SQJ416EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ416EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ416EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ416EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ416EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ416EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ416EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 53243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.9 грн
10+	54.99 грн
100+	37.23 грн
500+	31.5 грн
1000+	25.71 грн
3000+	22.84 грн
9000+	22.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ416EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ416EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ418EP-T1
Код товару: 147924

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SQJ418EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.92 грн
10+	58.96 грн
100+	45.89 грн
500+	36.5 грн
1000+	29.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ418EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.97 грн
6000+	28.4 грн
9000+	27.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ418EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ418EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ418EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SQJ418EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ418EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ418EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 48576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.35 грн
10+	66.24 грн
100+	44.82 грн
500+	38.02 грн
1000+	30.97 грн
3000+	29.1 грн
6000+	28.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ418EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ418EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SQJ418EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ418EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.92 грн
10+	58.96 грн
100+	45.89 грн
500+	36.5 грн
1000+	29.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ418EP-T2_GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ418EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товар відсутній

SQJ420EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ420EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.19 грн
10+	43.91 грн
100+	34.17 грн
500+	27.18 грн
1000+	22.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ420EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.19 грн
10+	43.91 грн
100+	34.17 грн
500+	27.18 грн
1000+	22.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ420EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 29013 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.45 грн
10+	49.32 грн
100+	33.36 грн
500+	28.3 грн
1000+	23.11 грн
3000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ420EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ420EP-T1_GE3

Automotive N-Channel 40 V D-S 175 C MOSFET

товар відсутній

SQJ422EP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 9573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.87 грн
10+	96.49 грн
100+	65.06 грн
500+	55.14 грн
1000+	44.88 грн
3000+	42.22 грн
6000+	40.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ422EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ422EP-T1_BE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 75A; Idm: 300A; 83W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 75A
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQJ422EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V

на замовлення 8873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	85.6 грн
100+	66.57 грн
500+	52.95 грн
1000+	43.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ422EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.93 грн
6000+	41.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ422EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJ422EP-T1_BE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 75A; Idm: 300A; 83W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 75A

товар відсутній

SQJ422EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 5568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	115.06 грн
10+	95.43 грн
25+	95.27 грн
50+	90.14 грн
100+	68.63 грн
250+	60.9 грн
500+	52.13 грн
1000+	44.28 грн
3000+	43.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ422EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.89 грн
500+	57.99 грн
1000+	43.54 грн
5000+	42.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ422EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.61 грн
10+	85.39 грн
100+	67.99 грн
500+	53.99 грн
1000+	45.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ422EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 5568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	63.26 грн

Мінімальне замовлення: 185

SQJ422EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.49 грн
10+	99.36 грн
100+	70.89 грн
500+	57.99 грн
1000+	43.54 грн
5000+	42.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ422EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4047 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.32 грн
10+	95.73 грн
100+	66.59 грн
250+	63.8 грн
500+	55.67 грн
1000+	47.28 грн
3000+	45.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ422EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ422EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ423EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.3 грн
10+	62.72 грн
100+	42.42 грн
500+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ423EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 55A T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.66 грн
6000+	27.2 грн
9000+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ423EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.04 грн
10+	56.47 грн
100+	43.94 грн
500+	34.95 грн
1000+	28.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 111632 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	77.69 грн
10+	62.8 грн
100+	42.49 грн
500+	36.03 грн
1000+	29.37 грн
3000+	27.64 грн
6000+	26.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ431AEP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C

товар відсутній

SQJ431AEP-T1_BE3

P-Channel Power MOSFET

товар відсутній

SQJ431AEP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ431AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ431AEP-T1_BE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -200V; -9.4A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -9.4A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 68W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 763mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQJ431AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.01 грн
10+	82.96 грн
100+	66.01 грн
500+	52.42 грн
1000+	44.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ431AEP-T1_BE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -200V; -9.4A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -9.4A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 68W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 763mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	57.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ431AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 28482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.76 грн
10+	93.43 грн
100+	67.26 грн
250+	65.06 грн
500+	59.33 грн
1000+	47.28 грн
3000+	44.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ431AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ431AEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.254 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.254ohm

на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.99 грн
500+	61.81 грн
1000+	42.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ431AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

товар відсутній

SQJ431AEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.254 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.254ohm

на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	126.25 грн
10+	94.87 грн
100+	72.99 грн
500+	61.81 грн
1000+	42.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ431AEP-T2-GE3

Vishay MOSFET 200V PCH 175C

товар відсутній

SQJ431EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ431EP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ431EP-T1_GE3

товар відсутній

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	100.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ431EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.178 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm

на замовлення 19768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	152.4 грн
10+	113.55 грн
100+	81.43 грн
500+	69.16 грн
1000+	54.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ431EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 527mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ431EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.06 грн
10+	101.14 грн
100+	80.49 грн
500+	63.91 грн
1000+	54.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	82.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ431EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 527mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ431EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.178 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm

на замовлення 19768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.43 грн
500+	69.16 грн
1000+	54.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ431EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	57.01 грн
6000+	52.83 грн
9000+	51.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ431EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 56827 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.74 грн
10+	111.81 грн
100+	77.25 грн
250+	71.26 грн
500+	65.06 грн
1000+	55.87 грн
3000+	53.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ431EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ431AEP-T1_GE3

товар відсутній

SQJ431EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ431EPT1-GE3

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQJ433EP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C

товар відсутній

SQJ433EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.32 грн
10+	70.34 грн
100+	54.68 грн
500+	43.49 грн
1000+	35.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ433EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ433EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ433EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ433EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.89 грн
10+	78.88 грн
100+	53.47 грн
500+	45.28 грн
1000+	36.89 грн
3000+	34.7 грн
6000+	33.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ433EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.32 грн
10+	70.34 грн
100+	54.68 грн
500+	43.49 грн
1000+	35.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ433EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товар відсутній

SQJ433EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ443EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ443EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V

товар відсутній

SQJ443EP-T1_BE3

SQJ443EP-T1_BE3

товар відсутній

SQJ443EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJ443EP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.89 грн
10+	78.88 грн
100+	53.47 грн
500+	49.41 грн
3000+	42.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ443EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V

товар відсутній

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	74.28 грн
10+	64.57 грн
25+	64.12 грн
50+	61.56 грн
100+	47.25 грн
250+	45.01 грн
500+	39.29 грн
1000+	32.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQJ443EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ443EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59969 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.12 грн
10+	78.11 грн
100+	53.41 грн
500+	45.22 грн
1000+	36.83 грн
3000+	34.7 грн
6000+	33.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	47.24 грн

Мінімальне замовлення: 248

SQJ443EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V

на замовлення 4987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.97 грн
10+	76.93 грн
100+	59.82 грн
500+	47.59 грн
1000+	38.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ443EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -23A; 28W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -23A
Power dissipation: 28W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQJ443EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -23A; 28W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -23A
Power dissipation: 28W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQJ443EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.6 грн
10+	62.03 грн
100+	42.02 грн
500+	35.56 грн
1000+	28.64 грн
3000+	27.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ443EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.98 грн
6000+	26.58 грн
9000+	25.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ443EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
10+	55.22 грн
100+	42.94 грн
500+	34.16 грн
1000+	27.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ444EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.75 грн
6000+	31.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ444EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.28 грн
10+	66.18 грн
100+	51.48 грн
500+	40.95 грн
1000+	33.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.28 грн
10+	66.18 грн
100+	51.48 грн
500+	40.95 грн
1000+	33.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ444EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

263+	44.48 грн

Мінімальне замовлення: 263

SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 47838 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.68 грн
10+	74.82 грн
100+	50.28 грн
500+	42.69 грн
1000+	34.76 грн
3000+	30.97 грн
9000+	30.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ444EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ444EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0026 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.85 грн
10+	76.2 грн
100+	56.4 грн
500+	44.47 грн
1000+	39.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ444EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ444EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ444EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	65.14 грн
11+	57.53 грн
25+	56.91 грн
50+	54.47 грн
100+	44.05 грн
250+	41.87 грн
500+	37.75 грн
1000+	32.51 грн
3000+	30.4 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQJ444EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ444EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0026 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.4 грн
500+	44.47 грн
1000+	39.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ446EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.93 грн
10+	73.04 грн
100+	56.81 грн
500+	45.19 грн
1000+	36.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ446EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ446EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ446EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ454EP-T1_BE3

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJ454EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 2135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.77 грн
10+	71.38 грн
100+	55.54 грн
500+	44.18 грн
1000+	35.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ454EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ454EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ454EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.118 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm

на замовлення 2893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.9 грн
500+	45.51 грн
1000+	32.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ454EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ454EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	44.96 грн
14+	42.24 грн
100+	38.89 грн
500+	35.17 грн
1000+	29.79 грн
3000+	27.8 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQJ454EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17707 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	82.71 грн
100+	66.59 грн
24000+	33.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ454EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ454EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.118 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm

на замовлення 2893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.09 грн
10+	79.19 грн
100+	57.9 грн
500+	45.51 грн
1000+	32.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQJ454EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ454EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.56 грн
10+	65.9 грн
100+	51.29 грн
500+	40.8 грн
1000+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ454EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ454EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

285+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 285

SQJ456EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ456EP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ456EP-T1_GE3

товар відсутній

SQJ456EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.93 грн
10+	266.44 грн
100+	215.55 грн
500+	179.81 грн
1000+	153.96 грн

SQJ456EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ456EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

товар відсутній

SQJ456EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ456EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	160.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ456EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ456EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJA72EP-T1_GE3

товар відсутній

SQJ456EP-T2_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJ457EP-T1_BE3

SQJ457EP-T1_BE3

товар відсутній

SQJ457EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V

на замовлення 2693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	49.6 грн
100+	38.55 грн
500+	30.67 грн
1000+	24.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ457EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ457EP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 129316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.9 грн
10+	55.06 грн
100+	37.23 грн
500+	31.57 грн
1000+	25.71 грн
3000+	24.24 грн
6000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ457EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

339+	34.52 грн

Мінімальне замовлення: 339

SQJ457EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

на замовлення 1392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.7 грн
500+	51.61 грн
1000+	46.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ457EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -36A; Idm: -100A; 22W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -36A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 22W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ457EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -36A; Idm: -100A; 22W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -36A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 22W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

SQJ457EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 134944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.68 грн
10+	55.14 грн
100+	37.23 грн
500+	31.63 грн
1000+	25.44 грн
3000+	24.24 грн
6000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ457EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 34286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	49.6 грн
100+	38.55 грн
500+	30.67 грн
1000+	24.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	66.65 грн
11+	54.59 грн
25+	54.05 грн
100+	40.33 грн
250+	36.96 грн
500+	29.86 грн
1000+	23.59 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQJ457EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

на замовлення 1392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.65 грн
12+	65.96 грн
100+	56.7 грн
500+	51.61 грн
1000+	46.68 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ457EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.03 грн
6000+	23.87 грн
9000+	22.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ457EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.76 грн
6000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ457EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V

на замовлення 8710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.67 грн
10+	49.04 грн
100+	38.16 грн
500+	30.36 грн
1000+	24.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ457EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ459EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

товар відсутній

SQJ459EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ459EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

на замовлення 2938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.28 грн
10+	66.18 грн
100+	51.48 грн
500+	40.95 грн
1000+	33.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ459EP-T1_BE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -52A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQJ459EP-T1_BE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -52A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 74101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.93 грн
10+	73.53 грн
100+	57.21 грн
500+	45.51 грн
1000+	37.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	71.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ459EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.35 грн
500+	49.88 грн
1000+	35.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.62 грн
6000+	35.42 грн
9000+	33.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	51.21 грн

Мінімальне замовлення: 228

SQJ459EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -52A; Idm: -200A; 27W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQJ459EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -52A; Idm: -200A; 27W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 44095 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.22 грн
10+	81.18 грн
100+	55.27 грн
500+	46.82 грн
1000+	38.16 грн
3000+	35.89 грн
6000+	34.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	80.51 грн
10+	68.14 грн
25+	67.46 грн
100+	59.84 грн
250+	54.84 грн
500+	41.24 грн
1000+	35 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQJ459EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	112.8 грн
10+	85.16 грн
100+	63.35 грн
500+	49.88 грн
1000+	35.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ459EP-T2_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJ459EP-T2_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 77696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.57 грн
10+	71.91 грн
100+	49.28 грн
3000+	41.89 грн
6000+	41.02 грн
9000+	40.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ459EP-T2_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

на замовлення 12416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.68 грн
10+	63.89 грн
100+	49.7 грн
500+	39.54 грн
1000+	32.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ459EP-T2_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.55 грн
6000+	30.77 грн
9000+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ459EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

на замовлення 4395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.68 грн
10+	63.89 грн
100+	49.7 грн
500+	39.54 грн
1000+	32.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ459EP-T2_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJ459EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.57 грн
10+	71.91 грн
100+	48.55 грн
500+	41.15 грн
1000+	33.56 грн
3000+	32.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ459EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ459EP-T2_GE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ460AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2654 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ460AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2654 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.81 грн
10+	75.33 грн
100+	58.57 грн
500+	46.6 грн
1000+	37.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ460AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ460AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ460AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 12431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	104.88 грн
10+	85.01 грн
100+	57.2 грн
500+	48.55 грн
1000+	39.49 грн
3000+	37.96 грн
6000+	36.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ460AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ460AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	96.53 грн
10+	76.1 грн
100+	59.18 грн
500+	47.08 грн
1000+	38.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ460AEP-T2_GE3

Automotive N Channel 60 V 175 C MOSFET

товар відсутній

SQJ460EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 32A SO-8

товар відсутній

SQJ461EP-T1-GE3

Description: VISHAY - SQJ461EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

SQJ461EP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ461EP-T1_GE3

товар відсутній

SQJ461EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 30A 8-SO

товар відсутній

SQJ461EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	121.42 грн

Мінімальне замовлення: 97

SQJ461EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; Idm: -120A; 27W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQJ461EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; Idm: -120A; 27W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

SQJ461EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.41 грн
10+	148.86 грн
100+	120.45 грн
500+	100.48 грн
1000+	86.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQJ461EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	206.23 грн
10+	173.79 грн
25+	173.06 грн
100+	134.89 грн
500+	111.38 грн
1000+	96.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ461EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 60V 30A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.66 грн
10+	171.54 грн
25+	148.5 грн
100+	119.87 грн
500+	107.22 грн
1000+	91.9 грн
3000+	85.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQJ461EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	89.64 грн
6000+	82.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ461EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ461EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ461EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

3+	143.73 грн
10+	127.13 грн
100+	88.57 грн
500+	73.25 грн
1000+	61.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ461EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V

на замовлення 5994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.67 грн
10+	103.57 грн
100+	82.42 грн
500+	65.44 грн
1000+	55.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ461EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ463EP-T1"GE3

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -30A, POWERPAK SO
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET SQ Series
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

товар відсутній

SQJ463EP-T1-GE3

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 18
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

SQJ463EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ463EP-T1-GE3
Код товару: 170979

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQJ463EP-T1-GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	200.46 грн
10+	170.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ463EP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive

на замовлення 1377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ463EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

товар відсутній

SQJ463EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V

товар відсутній

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

товар відсутній

SQJ463EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ423EP-T1_GE3

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.98 грн
10+	185.33 грн
25+	155.83 грн
100+	129.86 грн
250+	126.53 грн
500+	115.87 грн
1000+	99.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQJ463EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm

на замовлення 2363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	141.94 грн
500+	120.7 грн
1000+	95.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	107.61 грн
6000+	104.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ463EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V

товар відсутній

SQJ463EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; Idm: -120A; 28W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 28W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQJ463EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; Idm: -120A; 28W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 28W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

SQJ463EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm

на замовлення 2363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	241.29 грн
10+	174.81 грн
100+	141.94 грн
500+	120.7 грн
1000+	95.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	81.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ463EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ464EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.11 грн
10+	50.22 грн
100+	39.05 грн
500+	31.06 грн
1000+	25.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ464EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ464EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V

на замовлення 8705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.11 грн
10+	50.22 грн
100+	39.05 грн
500+	31.06 грн
1000+	25.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ464EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

на замовлення 87637 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.08 грн
10+	56.44 грн
100+	38.16 грн
500+	32.36 грн
1000+	26.37 грн
3000+	24.77 грн
6000+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ464EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.36 грн
6000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ464EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 231-240 дні (днів)

6+	60.83 грн
10+	53.53 грн
100+	36.29 грн
500+	30.03 грн
1000+	23.71 грн
3000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ465EP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ465EP-T1_GE3

товар відсутній

SQJ465EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	92.3 грн
10+	75.71 грн
100+	58.92 грн
500+	48.19 грн
1000+	37.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ465EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

261+	44.73 грн

Мінімальне замовлення: 261

SQJ465EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ465EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ465EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ465EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	97.71 грн
5+	85.58 грн
15+	65.76 грн
41+	61.6 грн
500+	60.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ465EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.43 грн
6+	68.67 грн
15+	54.8 грн
41+	51.33 грн
500+	50.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ465EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.07 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 13967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.78 грн
500+	44.67 грн
1000+	36.43 грн
5000+	31.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ465EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 42662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.45 грн
10+	74.82 грн
100+	50.61 грн
500+	42.89 грн
1000+	34.96 грн
3000+	32.83 грн
6000+	31.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ465EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85 грн
10+	67.29 грн
100+	52.3 грн
500+	41.61 грн
1000+	33.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ465EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.07 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 13967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.6 грн
10+	77.69 грн
100+	56.78 грн
500+	44.67 грн
1000+	36.43 грн
5000+	31.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQJ469EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ469EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

на замовлення 17794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	228.6 грн
10+	169.58 грн
100+	148.66 грн
500+	117.23 грн
1000+	91.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ469EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 35414 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202 грн
10+	167.72 грн
100+	117.87 грн
500+	104.55 грн
1000+	89.9 грн
3000+	83.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQJ469EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ469EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	90.57 грн
6000+	83.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ469EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ469EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

на замовлення 17794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	148.66 грн
500+	117.23 грн
1000+	91.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ469EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ469EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.57 грн
10+	150.39 грн
100+	121.69 грн
500+	101.51 грн
1000+	86.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQJ469EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	127.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ474EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.95 грн
10+	48.97 грн
100+	38.08 грн
500+	30.28 грн
1000+	24.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ474EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.7 грн
6000+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ474EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ474EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.95 грн
10+	48.97 грн
100+	38.08 грн
500+	30.28 грн
1000+	24.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ474EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ474EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.7 грн
6000+	23.57 грн
9000+	22.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ474EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3767 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.9 грн
10+	54.99 грн
100+	37.23 грн
500+	31.5 грн
1000+	25.71 грн
3000+	24.17 грн
6000+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ474EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ474EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товар відсутній

SQJ474EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ476EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.73 грн
10+	56.9 грн
100+	33.76 грн
500+	28.17 грн
1000+	24.64 грн
3000+	20.91 грн
6000+	20.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ476EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

на замовлення 2812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.79 грн
10+	49.81 грн
100+	34.52 грн
500+	27.07 грн
1000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ476EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ476EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.51 грн
10+	50.36 грн
100+	34.88 грн
500+	27.35 грн
1000+	23.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	64.15 грн
11+	55.67 грн
25+	55.15 грн
50+	51 грн
100+	34.75 грн
250+	33.3 грн
500+	27.97 грн
1000+	19.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQJ476EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 13929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.33 грн
12+	62.53 грн
100+	39.29 грн
500+	30.45 грн
1000+	21.71 грн
5000+	21.26 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ476EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 38063 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.6 грн
10+	56.9 грн
100+	44.95 грн
3000+	26.1 грн
9000+	22.51 грн
24000+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ476EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.94 грн
6000+	20.93 грн
9000+	19.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

420+	27.84 грн

Мінімальне замовлення: 420

SQJ476EP-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 45W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 45W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQJ476EP-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 45W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 45W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQJ476EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 13929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.29 грн
500+	30.45 грн
1000+	21.71 грн
5000+	21.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ479EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ479EP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 247541 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.46 грн
10+	68.92 грн
100+	46.68 грн
500+	44.88 грн
3000+	38.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ479EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 8392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.8 грн
10+	61.39 грн
100+	47.75 грн
500+	37.99 грн
1000+	30.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ479EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.23 грн
6000+	29.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ479EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ479EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.56 грн
6000+	29.87 грн
9000+	28.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

126+	93.06 грн
131+	89.55 грн
155+	75.59 грн
165+	68.63 грн
250+	57.03 грн
500+	48.31 грн

Мінімальне замовлення: 126

SQJ479EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.41 грн
500+	42.04 грн
1000+	38.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ479EP-T1_GE3
Код товару: 194623

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товар відсутній

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ479EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	95.62 грн
11+	73.43 грн
100+	53.41 грн
500+	42.04 грн
1000+	38.23 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQJ479EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.52 грн
10+	62.02 грн
100+	48.25 грн
500+	38.38 грн
1000+	31.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.98 грн
9000+	55.73 грн
18000+	51.85 грн
27000+	47.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ479EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 50322 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.46 грн
10+	68.92 грн
100+	46.68 грн
500+	39.56 грн
1000+	32.23 грн
3000+	30.3 грн
6000+	28.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ481EP-T1"GE3

Description: VISHAY - SQJ481EP-T1"GE3 - P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9937

товар відсутній

SQJ481EP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C

товар відсутній

SQJ481EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ481EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ481EP-T1_BE3

P-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJ481EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ481EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ481EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0651 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0651ohm

на замовлення 20150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.2 грн
13+	59.46 грн
100+	42.58 грн
500+	33.57 грн
1000+	24.33 грн
5000+	23.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQJ481EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ481EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -9.2A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2993 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	74.41 грн
5+	58.78 грн
24+	40.79 грн
65+	39.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ481EP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -9.2A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	62 грн
8+	47.17 грн
24+	33.99 грн
65+	32.6 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ481EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 47707 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.38 грн
10+	56.14 грн
100+	37.96 грн
500+	32.23 грн
1000+	26.24 грн
3000+	26.17 грн
6000+	24.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ481EP-T1_GE3
Код товару: 191995

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

SQJ481EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ481EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0651 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0651ohm

на замовлення 20150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.58 грн
500+	33.57 грн
1000+	24.33 грн
5000+	23.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ481EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	49.95 грн
100+	38.87 грн
500+	30.91 грн
1000+	25.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ481EP-T2-GE3

Vishay MOSFET 80V PCH 175C

товар відсутній

SQJ486EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.36 грн
10+	60.21 грн
100+	46.87 грн
500+	37.28 грн
1000+	30.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ486EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.63 грн
6000+	29.01 грн
9000+	27.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ486EP-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 56W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 17A
Power dissipation: 56W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQJ486EP-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 56W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 17A
Power dissipation: 56W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQJ486EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.36 грн
10+	60.21 грн
100+	46.87 грн
500+	37.28 грн
1000+	30.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ486EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ486EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ486EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 24829 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.13 грн
10+	67.62 грн
100+	45.75 грн
500+	38.76 грн
1000+	31.57 грн
3000+	29.7 грн
6000+	28.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ486EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ488EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ488EP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 100V(D-S)

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	89.6 грн
100+	61.93 грн
250+	57.4 грн
500+	52.14 грн
1000+	44.68 грн
3000+	42.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ488EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V

товар відсутній

SQJ488EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ488EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V

товар відсутній

SQJ488EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ488EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ488EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ488EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	59.3 грн

Мінімальне замовлення: 197

SQJ488EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJ488EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	120.08 грн
10+	107.35 грн
25+	103.92 грн
50+	95.13 грн
100+	78.83 грн
250+	73.05 грн
500+	63.25 грн
1000+	55.71 грн
3000+	54.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ488EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

на замовлення 20968 шт:

термін постачання 751-760 дні (днів)

3+	111.1 грн
10+	98.79 грн
100+	69.26 грн
500+	56.2 грн
1000+	46.62 грн
3000+	43.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ488EP-T2_BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ488EP-T2_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V

товар відсутній

SQJ488EP-T2_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 100V(D-S)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.98 грн
10+	108.75 грн
25+	89.24 грн
100+	75.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ488EP-T2_BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ488EP-T2_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V

товар відсутній

SQJ488EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85 грн
10+	66.87 грн
100+	52.01 грн
500+	41.37 грн
1000+	33.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ488EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ488EP-T2_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товар відсутній

SQJ488EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ500AEP-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 40V 30A

товар відсутній

SQJ500AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

товар відсутній

SQJ500AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

товар відсутній

SQJ500AEP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N and P CH 40V (D-S)

на замовлення 45952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.88 грн
10+	90.37 грн
100+	61.07 грн
500+	51.74 грн
1000+	42.15 грн
3000+	39.22 грн
6000+	37.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ500AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 71330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	104.11 грн
10+	92.66 грн
100+	64.13 грн
500+	53.87 грн
1000+	43.89 грн
3000+	40.89 грн
6000+	38.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ500AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

товар відсутній

SQJ500AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 40V 30A

товар відсутній

SQJ500AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

товар відсутній

SQJ500EP-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ504EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

товар відсутній

SQJ504EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SQJ504EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

товар відсутній

SQJ504EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ504EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs

на замовлення 19814 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.88 грн
10+	90.37 грн
100+	61.07 грн
500+	51.74 грн
1000+	42.15 грн
3000+	38.49 грн
6000+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ560EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C

товар відсутній

SQJ560EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C

товар відсутній

SQJ560EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.09 грн
10+	74.85 грн
100+	58.19 грн
500+	46.29 грн
1000+	37.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ560EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0099 ohm, PowerPAK SO
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0099
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ560EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ560EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 65770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	77.7 грн
10+	65.73 грн
100+	50.6 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQJ570EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ570EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 52031 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.91 грн
10+	67.7 грн
100+	45.82 грн
500+	38.82 грн
1000+	31.63 грн
3000+	29.7 грн
6000+	28.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ570EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.08 грн
10+	60.84 грн
100+	47.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ570EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ570EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 15 A, 15 A, 0.0365 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0365ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0365ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.57 грн
500+	47.31 грн
1000+	37.2 грн
3000+	30.48 грн
6000+	29.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ570EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	73.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ570EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ570EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ570EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 15 A, 15 A, 0.0365 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0365ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0365ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	96.37 грн
10+	79.93 грн
100+	58.57 грн
500+	47.31 грн
1000+	37.2 грн
3000+	30.48 грн
6000+	29.9 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQJ570EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ740EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Part Status: Active

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.31 грн
10+	119.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ740EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 123A Automotive AEC-Q101 T/R

товар відсутній

SQJ740EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ840EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ840EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified

товар відсутній

SQJ840EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.14 грн
10+	79.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQJ844AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ844AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ844AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ844AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 26888 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.91 грн
10+	67.7 грн
100+	45.82 грн
500+	38.82 грн
1000+	31.63 грн
3000+	29.7 грн
6000+	28.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ844AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ844AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ844EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK 8SOIC

товар відсутній

SQJ844EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ848AEP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC

товар відсутній

SQJ848EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC

товар відсутній

SQJ848EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ848EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

товар відсутній

SQJ848EPT1-GE3

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQJ850EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ850EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ850EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.82 грн
10+	90.94 грн
100+	72.39 грн
500+	57.48 грн
1000+	48.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ850EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ850EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	51.27 грн
6000+	47.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ850EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ850EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ464EP-T1_GE3

товар відсутній

SQJ850EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V

на замовлення 8990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	96.53 грн
10+	75.82 грн
100+	58.95 грн
500+	46.89 грн
1000+	38.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ850EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 52739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.78 грн
10+	82.71 грн
100+	55.47 грн
500+	47.08 грн
1000+	44.35 грн
3000+	37.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ850EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ858AEP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ858AEP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 5939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ858AEP-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQJ858AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

на замовлення 10799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ858AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ858AEP-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQJ858AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 9365 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ858AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ858EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ858AEP-T1_GE3

товар відсутній

SQJ858EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ860EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.51 грн
10+	50.92 грн
100+	35.21 грн
500+	27.61 грн
1000+	23.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ860EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.16 грн
6000+	21.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ860EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.16 грн
6000+	21.13 грн
9000+	19.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ860EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.51 грн
10+	50.92 грн
100+	35.21 грн
500+	27.61 грн
1000+	23.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ860EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 11060 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.5 грн
10+	57.13 грн
100+	34.36 грн
500+	28.77 грн
1000+	24.44 грн
3000+	21.58 грн
6000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ868EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ868EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.6 грн
10+	60.84 грн
100+	47.43 грн
500+	36.77 грн
1000+	29.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ868EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ868EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm

на замовлення 2225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.14 грн
500+	28.72 грн
1000+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ868EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

товар відсутній

SQJ868EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 35993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.73 грн
10+	52.23 грн
100+	39.82 грн
500+	35.76 грн
1000+	28.5 грн
3000+	25.57 грн
6000+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJ868EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm

на замовлення 2225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.52 грн
17+	44.15 грн
100+	34.14 грн
500+	28.72 грн
1000+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SQJ872EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ872EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8

на замовлення 5535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ872EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ872EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ886EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ886EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 8429 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ886EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ910AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.12 грн
10+	64.58 грн
100+	50.22 грн
500+	39.94 грн
1000+	32.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ910AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ910AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ910AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

товар відсутній

SQJ910AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.12 грн
10+	78.11 грн
100+	53.41 грн
500+	45.22 грн
1000+	36.83 грн
3000+	35.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.06 грн
500+	52.23 грн
1000+	38.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	111.31 грн
10+	91.89 грн
100+	68.06 грн
500+	52.23 грн
1000+	38.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ910AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

товар відсутній

SQJ910AEP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

товар відсутній

SQJ910AEP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товар відсутній

SQJ910EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ912AEP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ912AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 40V 30A 48W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 40630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.57 грн
10+	71.91 грн
100+	48.55 грн
500+	41.15 грн
1000+	33.56 грн
3000+	31.5 грн
6000+	30.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ912AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

на замовлення 5369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ912AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ912AEP-T2_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S)

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ912BEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ912BEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.01 грн
10+	76.2 грн
100+	52.41 грн
500+	45.28 грн
1000+	36.89 грн
3000+	34.7 грн
6000+	33.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ912BEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.57 грн
10+	87.33 грн
100+	68.11 грн
500+	52.81 грн
1000+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ912BEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ912BEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	109.82 грн
10+	98.61 грн
100+	76.95 грн
500+	58.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ912DEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ912DEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 41663 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.95 грн
10+	58.82 грн
100+	39.82 грн
500+	33.76 грн
1000+	27.5 грн
3000+	25.84 грн
6000+	24.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ912EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SO

товар відсутній

SQJ914EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

товар відсутній

SQJ914EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

товар відсутній

SQJ914EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.65 грн
10+	80.95 грн
100+	63.09 грн
500+	48.91 грн
1000+	38.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ914EP-T1_GE3

DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJ914EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ914EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ940EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 40V 15A AEC-Q101 Qualified

на замовлення 56622 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.78 грн
10+	85.77 грн
100+	61.13 грн
500+	50.14 грн
1000+	39.62 грн
3000+	35.09 грн
6000+	34.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ940EP-T1_GE3
Код товару: 180512

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

SQJ940EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ940EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0133ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0133ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 14815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	110.56 грн
10+	84.42 грн
100+	61.86 грн
500+	48.7 грн
1000+	34.45 грн
5000+	32.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ940EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ940EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ940EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJ940EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ941EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ941EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ942EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.16 грн
10+	74.85 грн
100+	58.38 грн
500+	45.26 грн
1000+	35.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ942EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 40V 15A AEC-Q101 Qualified

товар відсутній

SQJ942EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ946EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.43 грн
10+	53.91 грн
100+	39.09 грн
500+	30.83 грн
1000+	24.71 грн
3000+	22.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ946EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ946EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ951EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ951EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ951EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ951EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.89 грн
10+	83.17 грн
100+	64.7 грн
500+	51.47 грн
1000+	41.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ951EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ951EP-T1_BE3

Vishay Semiconductors

MOSFET DUAL P-CHANNEL 30V

на замовлення 58577 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.88 грн
10+	90.37 грн
100+	61.07 грн
500+	51.74 грн
1000+	42.15 грн
3000+	39.62 грн
6000+	38.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ951EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ951EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.08 грн
10+	95.62 грн
100+	74.55 грн
500+	56.6 грн
1000+	42.9 грн
3000+	42.01 грн
6000+	41.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQJ951EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ951EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJ951EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ951EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 26433 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.88 грн
10+	90.37 грн
100+	61.07 грн
500+	51.74 грн
1000+	42.15 грн
3000+	39.62 грн
6000+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ951EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ951EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.55 грн
500+	56.6 грн
1000+	42.9 грн
3000+	42.01 грн
6000+	41.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ951EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.89 грн
10+	83.17 грн
100+	64.7 грн
500+	51.47 грн
1000+	41.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ951EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ952EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	65.6 грн
11+	56.16 грн
25+	55.77 грн
100+	41.03 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQJ952EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ952EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

товар відсутній

SQJ952EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

товар відсутній

SQJ952EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

товар відсутній

SQJ952EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 8950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	115.04 грн
10+	94.87 грн
100+	71.34 грн
500+	57.37 грн
1000+	45.01 грн
3000+	39.25 грн
6000+	38.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJ952EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

товар відсутній

SQJ952EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 8950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	71.34 грн
500+	57.37 грн
1000+	45.01 грн
3000+	39.25 грн
6000+	38.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJ952EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 8700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ956EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.96 грн
10+	68.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ956EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ956EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ958EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.13 грн
10+	72.68 грн
100+	49.28 грн
500+	40.69 грн
1000+	32.16 грн
3000+	29.97 грн
24000+	28.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ958EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

товар відсутній

SQJ960EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

товар відсутній

SQJ960EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ960EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ960EP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ960EP-T1_GE3

товар відсутній

SQJ960EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ960EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ960EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 81446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.72 грн
10+	124.06 грн
100+	85.24 грн
250+	79.25 грн
500+	71.92 грн
1000+	61.4 грн
3000+	58.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ960EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.32 грн
10+	135.27 грн
100+	108.71 грн
500+	83.82 грн
1000+	69.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQJ960EP-T1_GE3
Код товару: 186737

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SQJ962EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

товар відсутній

SQJ963EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ963EP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ963EP-T1_GE3

товар відсутній

SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

товар відсутній

SQJ963EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.02 грн
10+	96.7 грн
100+	76.98 грн
500+	61.12 грн
1000+	51.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 26059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.19 грн
10+	104.92 грн
100+	72.59 грн
250+	66.59 грн
500+	60.73 грн
1000+	52.01 грн
3000+	49.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

товар відсутній

SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ964EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOIC

товар відсутній

SQJ968EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ968EP-T1-GE3

Description: VISHAY - SQJ968EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028
Verlustleistung Pd: 25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung, p-Kanal: 25
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

SQJ968EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 33438 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.6 грн
10+	61.57 грн
100+	41.62 грн
500+	35.29 грн
1000+	28.77 грн
3000+	26.97 грн
6000+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ968EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.96 грн
10+	68.74 грн
100+	53.58 грн
500+	41.54 грн
1000+	32.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ968EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SQJ968EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ968EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ970EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

товар відсутній

SQJ970EPT1-GE3

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQJ974EP-T1-BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175

товар відсутній

SQJ974EP-T1_BE3

Dual N-Channel MOSFET

товар відсутній

SQJ974EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual

товар відсутній

SQJ974EP-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.57 грн
10+	71.91 грн
100+	48.55 грн
500+	41.15 грн
1000+	38.82 грн
3000+	33.03 грн
6000+	30.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ974EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual

товар відсутній

SQJ974EP-T1_GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQJ974EP-T1_GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQJ974EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ974EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.97 грн
10+	76.93 грн
100+	59.82 грн
500+	47.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ974EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJ974EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ974EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59147 шт:

термін постачання 519-528 дні (днів)

4+	101.78 грн
10+	88.07 грн
100+	60.53 грн
500+	48.68 грн
1000+	38.42 грн
3000+	33.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ980AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.72 грн
10+	73.74 грн
100+	57.49 грн
500+	44.57 грн
1000+	35.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ980AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 31643 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.9 грн
10+	73.37 грн
100+	49.61 грн
500+	42.02 грн
1000+	34.23 грн
3000+	32.23 грн
6000+	30.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.37 грн
10+	81.09 грн
100+	63.24 грн
500+	49.03 грн
1000+	38.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ990EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5991 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.67 грн
10+	86.54 грн
100+	58.87 грн
500+	48.68 грн
1000+	38.42 грн
3000+	34.56 грн
6000+	33.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJ990EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJ990EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товар відсутній

SQJ990EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.57 грн
10+	87.33 грн
100+	68.11 грн
500+	52.81 грн
1000+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJ990EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товар відсутній

SQJ990EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товар відсутній

SQJ992EP-T1-GE3

Description: VISHAY - SQJ992EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

SQJ992EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

товар відсутній

SQJ992EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

товар відсутній

SQJ992EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ992EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive T/R

товар відсутній

SQJ992EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJ992EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJ992EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.51 грн
10+	47.79 грн
100+	37.18 грн
500+	29.58 грн
1000+	24.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJ992EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.1 грн
6000+	23.02 грн
9000+	21.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJA00EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJA00EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJA00EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

на замовлення 1683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJA00EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.9 грн
10+	54.99 грн
100+	37.23 грн
500+	31.5 грн
1000+	25.71 грн
3000+	24.17 грн
6000+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJA02EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJA02EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJA02EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4756 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.12 грн
10+	78.88 грн
100+	54.27 грн
500+	46.42 грн
1000+	38.22 грн
3000+	36.89 грн
6000+	34.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJA02EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA02EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 2035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	113.55 грн
10+	102.34 грн
100+	79.93 грн
500+	61.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJA02EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.17 грн
10+	90.46 грн
100+	70.55 грн
500+	54.69 грн
1000+	43.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJA04EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJA04EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.92 грн
10+	59.38 грн
100+	46.15 грн
500+	36.71 грн
1000+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJA04EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 239-248 дні (днів)

3+	105.66 грн
10+	94.2 грн
100+	63.6 грн
500+	52.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJA04EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.84 грн
10+	65.28 грн
100+	50.76 грн
500+	40.38 грн
1000+	32.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJA04EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJA04EP-T1_GE3

Automotive N-Channel 60 V D-S 175 Degreec Mosfet

товар відсутній

SQJA06EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.4 грн
10+	70.2 грн
100+	54.75 грн
500+	42.45 грн
1000+	33.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJA06EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJA06EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJA16EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 32118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.55 грн
10+	90.37 грн
100+	62.53 грн
250+	59.67 грн
500+	52.21 грн
1000+	44.68 грн
3000+	42.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJA16EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.85 грн
10+	80.88 грн
100+	64.39 грн
500+	51.13 грн
1000+	43.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJA16EP-T1_GE3

SQJA16EP-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SQJA16EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJA20EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJA20EP-T1_GE3

Automotive N-Channel 200 V MOSFET

товар відсутній

SQJA20EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	93.51 грн
100+	72.88 грн
500+	56.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJA20EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 200V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3644 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJA26EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA26EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 A, 0.00066 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 410
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 660
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	153.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJA26EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.86 грн
10+	103.39 грн
100+	71.26 грн
500+	60.13 грн
1000+	51.01 грн
3000+	50.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJA34EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 458-467 дні (днів)

4+	89.35 грн
10+	79.65 грн
100+	53.74 грн
500+	44.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJA34EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJA34EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.46 грн
500+	42.8 грн
1000+	32.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJA34EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	88.9 грн
11+	70 грн
100+	54.46 грн
500+	42.8 грн
1000+	32.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQJA34EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJA34EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJA36EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJA36EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 350A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJA36EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJA36EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

товар відсутній

SQJA37EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJA37EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJA37EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJA37EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 20970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.15 грн
10+	50.09 грн
100+	33.9 грн
500+	31.57 грн
1000+	26.9 грн
3000+	25.24 грн
6000+	21.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJA37EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.35 грн
10+	46.13 грн
100+	35.89 грн
500+	28.55 грн
1000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJA37EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJA38EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJA38EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJA38EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJA42EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJA42EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Nch 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 2907 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJA42EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

на замовлення 2747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJA46EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJA60EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.6 грн
10+	55.77 грн
100+	43.39 грн
500+	34.52 грн
1000+	28.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJA60EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJA60EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 30A T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJA60EP-T1_BE3

N Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQJA60EP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 33429 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.6 грн
10+	62.03 грн
100+	42.02 грн
500+	35.63 грн
1000+	28.97 грн
3000+	28.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJA60EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJA60EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJA60EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 23628 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.91 грн
10+	61.96 грн
100+	41.95 грн
500+	35.56 грн
1000+	28.9 грн
3000+	27.24 грн
6000+	25.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJA60EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.6 грн
10+	55.77 грн
100+	43.39 грн
500+	34.52 грн
1000+	28.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQJA60EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJA61EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L, 12.1 mohm a. 10V, 22.5 mohm a. 4.5V

на замовлення 5798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.67 грн
10+	79.65 грн
100+	54.27 грн
500+	45.95 грн
1000+	37.49 грн
3000+	35.23 грн
6000+	33.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJA62EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-Channel 60V PowerPAK SO-8L

на замовлення 35687 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.68 грн
10+	73.37 грн
100+	49.08 грн
500+	39.09 грн
1000+	33.76 грн
3000+	32.63 грн
6000+	31.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJA62EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85 грн
10+	66.87 грн
100+	52.01 грн
500+	41.37 грн
1000+	33.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJA62EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товар відсутній

SQJA62EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJA64EP-T1-BE3

MOSFET N-CH 60-V 175C MSFT

товар відсутній

SQJA64EP-T1-BE3 M

MOSFET N-CH 60-V 175C MSFT

товар відсутній

SQJA64EP-T1-GE3 M

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF

товар відсутній

SQJA64EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.69 грн
6000+	16.14 грн
9000+	14.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJA64EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.82 грн
10+	38.92 грн
100+	26.9 грн
500+	21.09 грн
1000+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJA64EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.46 грн
6000+	17.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQJA64EP-T1_GE3

SQJA64EP-T1_GE3

товар відсутній

SQJA64EP-T1_GE3

Automotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET

товар відсутній

SQJA64EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 219193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.63 грн
10+	48.32 грн
100+	28.64 грн
500+	23.91 грн
1000+	20.38 грн
3000+	17.25 грн
6000+	16.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJA64EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.15 грн
10+	42.73 грн
100+	29.59 грн
500+	23.21 грн
1000+	19.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJA66EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.45 грн
10+	80.41 грн
100+	54.47 грн
500+	46.22 грн
1000+	37.63 грн
3000+	36.16 грн
6000+	33.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJA66EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

товар відсутній

SQJA66EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

товар відсутній

SQJA68EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.03 грн
10+	45.99 грн
100+	35.27 грн
500+	26.17 грн
1000+	20.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJA68EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJA68EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L

на замовлення 3912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJA68EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0765 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0765ohm

на замовлення 5296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.96 грн
500+	23.24 грн
1000+	16.46 грн
5000+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJA68EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJA68EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 35449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.44 грн
10+	44.11 грн
100+	28.57 грн
500+	23.64 грн
1000+	19.51 грн
3000+	17.85 грн
6000+	17.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQJA68EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0765 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0765ohm

на замовлення 5296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	57.15 грн
17+	45.79 грн
100+	29.96 грн
500+	23.24 грн
1000+	16.46 грн
5000+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQJA70EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA70EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.7 A, 0.078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 14.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 27
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SQJA70EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 51129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJA72EP-T1
Код товару: 147923

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SQJA72EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 100V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 9802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJA72EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	99.41 грн
10+	78.18 грн
100+	60.83 грн
500+	48.38 грн
1000+	39.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJA72EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJA76EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQJA76EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.97 грн
10+	84.63 грн
100+	65.96 грн
500+	51.14 грн
1000+	40.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJA76EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

товар відсутній

SQJA76EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQJA76EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA76EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.002 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	115.79 грн
10+	95.62 грн
100+	71.64 грн
500+	54.87 грн
1000+	39.96 грн
5000+	39.19 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQJA76EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJA78EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.86 грн
10+	111.04 грн
100+	77.91 грн
500+	63.86 грн
1000+	52.68 грн
3000+	46.95 грн
6000+	45.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJA78EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA78EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.00432 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00432
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00432
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQJA78EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 72A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	87.4 грн
100+	69.62 грн
500+	55.28 грн
1000+	46.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQJA78EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 72A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товар відсутній

SQJA78EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 72A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJA78EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA78EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.00432 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00432
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00432
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQJA80EP-T1-BE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C

товар відсутній

SQJA80EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJA80EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQJA80EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

товар відсутній

SQJA80EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L

на замовлення 40370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.02 грн
10+	70.38 грн
100+	48.61 грн
500+	41.75 грн
1000+	33.16 грн
3000+	32.63 грн
6000+	30.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQJA80EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.4 грн
500+	49.81 грн
1000+	43.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQJA80EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товар відсутній

SQJA80EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

263+	44.47 грн

Мінімальне замовлення: 263

SQJA80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQJA80EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.6 грн
10+	77.69 грн
100+	56.4 грн
500+	49.81 грн
1000+	43.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQJA80EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	76.64 грн
10+	65.58 грн
25+	64.93 грн
50+	61.78 грн
100+	47.86 грн
250+	45.48 грн
500+	40.02 грн
1000+	30.4 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQJA80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85 грн
10+	66.87 грн
100+	52.01 грн
500+	41.37 грн
1000+	33.7 грн

Мінімальне замовлення: 4