Продукція > T2N
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
T2N3055 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2.5MHz | товар відсутній | |||||||||||||||
T2N3055 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2.5MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
T2N3055HV | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 100W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 15A Power dissipation: 100W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2.5MHz | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N3055HV | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 100W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 15A Power dissipation: 100W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2.5MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 380 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N3773 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 16A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 16A Power dissipation: 150W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk | на замовлення 706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N3773 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 16A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 16A Power dissipation: 150W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 706 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N40E | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
T2N50 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
T2N5087 | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.625W; TO92; 2dB Frequency: 40MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Collector current: 50mA Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Noise Figure: 2dB Mounting: THT Case: TO92 | на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N5087 | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.625W; TO92; 2dB Frequency: 40MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Collector current: 50mA Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Noise Figure: 2dB Mounting: THT Case: TO92 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 5980 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N5172 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 100...500 Mounting: THT Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 2860 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N5172 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 100...500 Mounting: THT Frequency: 120MHz | на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N60E | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
T2N6257 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 20A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 20A Power dissipation: 150W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200kHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 745 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N6257 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 20A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 20A Power dissipation: 150W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200kHz | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N6371 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 15A; 117W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 15A Power dissipation: 117W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 800Hz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 986 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N6371 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 15A; 117W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 15A Power dissipation: 117W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 800Hz | на замовлення 986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N6371HV | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 15A Power dissipation: 90W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2.5MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 928 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N6371HV | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 15A Power dissipation: 90W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 2.5MHz | на замовлення 928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002AK,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V | на замовлення 555369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002AK,LM | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||
T2N7002AK,LM | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||
T2N7002AK,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V | на замовлення 555000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002AK,LM | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002AK,LM | Toshiba | MOSFET Small-signal MOSFET | на замовлення 522315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002AK,LM(B | Toshiba | T2N7002AK,LM(B | товар відсутній | |||||||||||||||
T2N7002AK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
T2N7002AK,LM(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.76A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 30000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
T2N7002AK,LM(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.76A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||
T2N7002BK | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||
T2N7002BK,LM | Toshiba | MOSFET Small Signal Mosfet | на замовлення 271896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002BK,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | на замовлення 326561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002BK,LM | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
T2N7002BK,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002BK,LM | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002BK,LM | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
T2N7002BK,LM(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
T2N7002BK,LM(B | Toshiba | T2N7002BK,LM(B | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 320mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm | на замовлення 14515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 4200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm | на замовлення 14515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002BK,LM(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
T2N7002BKLM(T | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-AL-E3930-2G | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Apollo Lake-I E3930, 2GB I-temp DDR3L, ETT -40~+85 | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3815-2G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3815 BAY TRAIL 2GB ETT | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3815-2G/8G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3815 BAY TRAIL 2GB/8 ETT | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3825-2G | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3825 at 1.33 GHz and 2GB non ECC DDR3L, ETT -40~+85 | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3825-2G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3825 BAY TRAIL 2GB ETT | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3825-2G/8G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3825 BAY TRAIL 2GB/8 ETT | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3826-2G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3826 at 1.46 GHz and 2GB I-temp non ECC DDR3L, ETT -40~+85 | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3826-2G/8G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM EA) Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3826 at 1.46 GHz and 2GB non ECC DDR3L,and 8GB eMMC flash storage,ETT -40+85 | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3827-2G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3827 BAY TRAIL 2GB ETT | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3827-2G/8G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3827 BAY TRAIL 2GB/8 ETT | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3827-2G/8GB | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3827 at 1.75 GHz and 2GB non ECC DDR3, 8GB eMMC flash storage, ETT -40~+85 | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3845-2G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3845 BAY TRAIL 2GB ETT | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3845-2G/8G-ETT | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3845 BAY TRAIL 2GB/8 ETT | товар відсутній | |||||||||||||||
t2nanoX-BT-E3845-4G | ADLINK Technology | Computer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3845 at 1.91 GHz and 4GB non ECC DDR3L, ETT -40 +85 | товар відсутній |