Продукція > YJD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
YJD112010DG1Yangjie TechnologyDescription: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+382.51 грн
12500+ 347.88 грн
25000+ 327.42 грн
50000+ 288.07 грн
100000+ 259.23 грн
250000+ 240.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD120N04AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.49 грн
12500+ 22.27 грн
25000+ 20.95 грн
50000+ 18.42 грн
100000+ 16.6 грн
250000+ 15.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD15N10AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.69 грн
12500+ 12.42 грн
25000+ 11.65 грн
50000+ 10.29 грн
100000+ 9.24 грн
250000+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD15N10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.81 грн
95+ 10.63 грн
260+ 9.66 грн
2500+ 9.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJD15N10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.5 грн
95+ 8.53 грн
260+ 8.05 грн
2500+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 35
YJD180N03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.49 грн
12500+ 22.27 грн
25000+ 20.95 грн
50000+ 18.42 грн
100000+ 16.6 грн
250000+ 15.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD20N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товар відсутній
YJD20N06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+18.65 грн
25+ 15.13 грн
100+ 13.15 грн
105+ 9.49 грн
280+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
YJD20N06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+15.54 грн
30+ 12.14 грн
100+ 10.96 грн
105+ 7.91 грн
280+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
YJD20N06AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.47 грн
12500+ 12.28 грн
25000+ 11.52 грн
50000+ 10.16 грн
100000+ 9.11 грн
250000+ 8.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD20N06AYangjie Electronic TechnologyN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD20N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товар відсутній
YJD20N06A-F1-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
товар відсутній
YJD20N06A-F1-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
товар відсутній
YJD25N15BYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJD25N15BYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD40N04AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.07 грн
12500+ 9.17 грн
25000+ 8.63 грн
50000+ 7.6 грн
100000+ 6.84 грн
250000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD45G10A-F1-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 45A TO-252
товар відсутній
YJD45G10A-F1-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 45A TO-252
товар відсутній
YJD50N03AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.25 грн
12500+ 12.07 грн
25000+ 11.38 грн
50000+ 9.96 грн
100000+ 8.98 грн
250000+ 8.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD50N06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJD50N06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD50N06AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.72 грн
12500+ 16.09 грн
25000+ 15.19 грн
50000+ 13.35 грн
100000+ 12.04 грн
250000+ 11.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD60N02AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.03 грн
12500+ 10.96 грн
25000+ 10.34 грн
50000+ 9.05 грн
100000+ 8.14 грн
250000+ 7.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD60N04AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.4 грн
12500+ 12.21 грн
25000+ 11.52 грн
50000+ 10.09 грн
100000+ 9.11 грн
250000+ 8.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD60N04AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.1 грн
100+ 10.94 грн
105+ 7.97 грн
280+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 30
YJD60N04AYangjie Electronic TechnologyN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD60N04AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.72 грн
100+ 13.64 грн
105+ 9.56 грн
280+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJD80G06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD80G06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD80G06A-F1-0000Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
товар відсутній
YJD80G06A-F1-0000Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
товар відсутній
YJD80N03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.86 грн
12500+ 15.33 грн
25000+ 14.43 грн
50000+ 12.69 грн
100000+ 11.46 грн
250000+ 10.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD80N03BYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.03 грн
12500+ 10.96 грн
25000+ 10.34 грн
50000+ 9.05 грн
100000+ 8.14 грн
250000+ 7.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD90N06AYangjie TechnologyDescription: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.48 грн
12500+ 21.37 грн
25000+ 20.12 грн
50000+ 17.71 грн
100000+ 15.95 грн
250000+ 14.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500