Продукція > ZVN
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZVN | TI | 09+ | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN0117TA | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN0117TASTOA | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN0120A | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0120A | ZETEX | 08+ TSOP | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN0120A(Z) | Diodes Incorporated | Diodes Inc. | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0120AM1TA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN0120ASTOA | на замовлення 14500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN0120ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0120ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0120ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0124A | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 240V 0.16A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0124A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.16A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0124A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 240V | на замовлення 3972 шт: термін постачання 650-659 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN0124A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN0124A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 160MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0124ASTOA | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN0124ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 160MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0124ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 160MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0124ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 160MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0124Z | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0124ZSTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0124ZSTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0124ZSTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0535ASTOB | на замовлення 2022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN0535ASTZ | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN0540A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN0540A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 400V 90MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0540ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0540ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0540ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 400V 90MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545 | на замовлення 756 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN0545A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN0545A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 90 mA, 50 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 700mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 50ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN0545A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 450V 90MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V | на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN0545A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 450V 0.09A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 450V | на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN0545A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.09A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Drain current: 0.09A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.09A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Drain current: 0.09A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545A | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 450V 0.09A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545AST0A | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN0545ASTOA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN0545ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545ASTZ | на замовлення 14500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN0545ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 450V 0.09A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 450V 0.09A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 450V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN0545G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN0545GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V | на замовлення 42732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN0545GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN0545GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.14A; Idm: 0.6A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN0545GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 450V | на замовлення 13710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN0545GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN0545GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 140 mA, 50 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450 Dauer-Drainstrom Id: 140 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 50 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.14A; Idm: 0.6A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN0545GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 450V 0.14A SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN0545GTS | ZETEX | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN0545P | на замовлення 773 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN0545PSTZ | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN110GTA | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN1306 | на замовлення 10730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN1409ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 90V 10MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250Ohm @ 5mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN1409ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 90V 10MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250Ohm @ 5mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN1409ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2104A | SILICONI | на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN2104B | SILICONI | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN2106 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2106A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 18 V | на замовлення 3295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | на замовлення 10402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.45A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2250 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN2106A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 450 mA, 2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 450 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 700 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2106A Код товару: 187931 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZVN2106A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin E-Line | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106A | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2106A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin E-Line | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106A | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin E-Line ZVN2106A DIODES INCORPORATED TZVN2106A Diodes кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.45A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106AM1TA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2106ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 18 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2106ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 18 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2106ASTOB | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2106ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin E-Line T/R | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2106ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 18 V | на замовлення 27104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106ASTZ | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.45A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2106ASTZ | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.45A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 18 V | на замовлення 25900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106ASTZ | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 450 mA, 2 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2106B | SILICONI | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN2106B-QR | Welwyn Components / TT Electronics | MOSFET MOSFET - POWER | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2106B-QR | Semelab (TT electronics) | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin TO-39 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2106G | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN2106G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 700 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2106G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2106G | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN2106G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 700 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2106G Код товару: 108229 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZVN2106G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2106G********** | на замовлення 28501 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2106GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.7A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.7A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.7A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.7A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 372 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.71A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2106GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.71A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2106GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.71A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.71A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 710mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 18 V | на замовлення 7039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.71A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.71A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2106GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V T/R | на замовлення 6069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.71A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 710mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 18 V | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2106GTA SOT223 | ZETEX | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN2106GTA SOT223 | ZETEX | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN2106GTASOT22 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2106GTASOT223 | ZETEX | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN2106GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 710mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 18 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110 | на замовлення 125 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2110A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2110A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 7868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN2110A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 mA, 4 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm | на замовлення 3801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.32A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.32A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.32A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.32A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | на замовлення 4645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110A | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110AQ | на замовлення 12390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2110ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110ASTOA | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2110ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110ASTZ | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN2110ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line Box | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line Box | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line Box | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110G | ZETEX | 07+ SOT-223 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2110G | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN2110G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 500 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2110G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2110G | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN2110G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 500 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110G************ | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2110GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.5A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.5A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | на замовлення 8056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110GTA Код товару: 107399 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZVN2110GTA | Zetex | N-MOSFET; 100V; 20V; 4Ohm; 500mA; 2W; -55°C ~ 150°C; ZVN2110GTA Diodes TZVN2110g кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 6616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.5A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.5A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 438 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2110GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2110KI/N1AS | на замовлення 7700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2110KI\N1AS | ZETEX | SOT-23 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2110W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 200V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2120A(Z) | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120ASTOA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 200V 0.18A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 200V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120ASTOA | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2120ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 200V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 200V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 200V 0.18A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120C | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120C(Z) | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120CSTOA | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120CSTOB | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120CSTOE | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2120CSTZ | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2120G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2120G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN2120G************ | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN2120GTA Код товару: 72206 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZVN2120GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | на замовлення 45640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2120GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2120GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 200V | на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2120GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2120GTA | ZETEX | MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 | на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2120GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2120GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2120GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2120GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2120GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN2120GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2210B | SILICONI | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN2535ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2535ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN2535ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3302FTA | на замовлення 2975 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3303FTA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3303FTA/MC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3306A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V | на замовлення 7112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3306A | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; 0.625W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3735 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3306A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | на замовлення 6013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; 0.625W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | на замовлення 3735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN3306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | на замовлення 11244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3306ASTOA | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3306ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3306ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3306ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3306ASTZ | на замовлення 2712 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3306ASTZ Код товару: 129098 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZVN3306ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3306ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3306F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3306F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN3306F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | на замовлення 18888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306F | ZETEX | SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3306F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN3306F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | на замовлення 18888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306F | ZETEX | 07+ SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3306FET | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3306FPBF | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3306FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 3A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2525 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306FTA Код товару: 53874 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZVN3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3306FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3306FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 3A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V | на замовлення 30300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3306FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | на замовлення 31935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3306FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3308FTA | на замовлення 2615 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3310A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 14478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3310A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3310A | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3310A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 15009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN3310A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 10 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | на замовлення 9189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3310ASTOA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3310ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3310ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line Box | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3310ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line Box | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line Box | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3310ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310F | ZETEX | 07+ SOT-23/MF | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3310F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN3310F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | на замовлення 4410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3310F | ZETEX | SOT-23/MF | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3310F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN3310F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | на замовлення 4410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FPBF | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 1343154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100 V | на замовлення 27916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 1341000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3310FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3391 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 3391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3310FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3320 | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3320A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3320A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 | на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3320ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3320ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 | на замовлення 1436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3320ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 100MA E-LINE | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3320ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 100MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3320F | ZETEX | 07+ SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3320F | Diodes Incorporated | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3320F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3320F | ZETEX | SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3320FPBF | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3320FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.06A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3320FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3320FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN3320FTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 200 V, 60 mA, 25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3320FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3320FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3320FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3320FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | на замовлення 4305621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3320FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN3320FTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 200 V, 60 mA, 25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3320FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.06A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3320FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN3320FTA Код товару: 198886 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZVN3320FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN3320FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 200V | на замовлення 56762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3320FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3320FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | на замовлення 4305000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN3320FTA/M | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN3320FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4026ASTOA | на замовлення 24500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4106/MZ | ZETEX | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4106F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4106F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm | на замовлення 7769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4106F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4106F | ZETEX | 23/MZ | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4106F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4106F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm | на замовлення 7769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4106F | ZETEX | 07+ 23/MZ | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4106FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4106FTA | ZETEX | SOT-23 | на замовлення 8350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4106FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4106FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4106FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4106FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | на замовлення 21858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4106FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4106FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4106FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V | на замовлення 7438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4106FTA | ZETEX | SOT23-MZ | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4106FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4106FTA SOT23-MZ | ZETEX | на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN4106FTA SOT23-MZ | ZETEX | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN4106FTA/MZ | на замовлення 2186 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4106FTASOT23-MZ | на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4106FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4106GTA | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4106\MZ | ZETEX | SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4206 | TO-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN4206 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4206A | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.6A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.6A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206ASTOB | на замовлення 20500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4206ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line Box | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line Box | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | на замовлення 3991 шт: термін постачання 719-728 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206AV | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A Automotive 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206AV | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206AV | Diodes Incorporated | MOSFET Avalanche | на замовлення 2818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206AV | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4206AV | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206AV | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 13771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206AVSTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206AVSTOA | на замовлення 14500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4206AVSTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206AVSTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206AVSTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206AVSTZ | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.6A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206AVSTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206AVSTZ | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.6A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206AVSTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A Automotive 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206AVSTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206AVSTZ | Diodes Incorporated | MOSFET Avalanche | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206AVSTZ | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4206AVSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4206G | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4206G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4206G | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4206G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4206GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 8384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | на замовлення 3325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | на замовлення 3816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206GTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206GTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GTC | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206GTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206GV | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4206GV | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4206GVTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206GVTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 33750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GVTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GVTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206GVTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | на замовлення 8100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GVTA | на замовлення 19500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4206GVTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206GVTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4206GVTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206NTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SM8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-223-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Supplier Device Package: SM8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4206NTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SM8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-223-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Supplier Device Package: SM8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210A | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 709-718 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4210A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.45A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4210A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.45A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210ASTOA | на замовлення 63700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4210ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4210ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4210ASTZ | на замовлення 36500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4210ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin TO-92 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4210ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin TO-92 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210G | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4210G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4210G Код товару: 186383 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZVN4210G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4210GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 800 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 800 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 3968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4210GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210GTA | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4210GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4210GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN43064 | на замовлення 4809 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4306A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.45 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 1.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 850 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | на замовлення 11203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin E-Line Box | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; 0.85W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.1A Power dissipation: 0.85W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; 0.85W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.1A Power dissipation: 0.85W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306A | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin E-Line Box | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin E-Line Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306AV | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306AV | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4306AV | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 1.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 850 Bauform - Transistor: E-Line Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306AV | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 5760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306AV | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306AV | Diodes Incorporated | MOSFET Avalanche | на замовлення 5721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306AV | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306AVSTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306AVSTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306AVSTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4306G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4306G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4306G************ | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4306GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306GTA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4306GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 60V | на замовлення 2921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306GV | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4306GV | ZETEX | 06+; | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4306GV | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4306GVTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 11985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306GVTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306GVTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306GVTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4306GVTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306GVTA | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4306GVTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306GVTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306GVTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4306GVTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306GVTA | Diodes Incorporated | MOSFET Avalanche | на замовлення 4231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4306GVTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4306QTA | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN430G | TO-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN4310 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4310/ZVN4310 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4310A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4310A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 900 mA, 0.65 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 850mW Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4310A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4310A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.9A 3-Pin E-Line | на замовлення 4341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4310A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 3255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4310A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.9A 3-Pin E-Line | на замовлення 4341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4310A | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.9A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4310ASTOA | Diodes Inc | Description: MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4310ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 900MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4310ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 900MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4310G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4310G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4310G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4310G************ | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4310GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.67A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4310GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.67A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.67A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4310GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 7245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4310GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.67A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4310GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.67A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4310GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.67A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.67A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4310GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.67A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4310GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.67A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 70135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4310GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.67A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4310GTA | Diodes Inc./Zetex | MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223 | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4310GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424 | ZETEX | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZVN4424A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424A | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 0.75W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.75W Case: TO92 Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 0.75W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.75W Case: TO92 Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 240V | на замовлення 21364 шт: термін постачання 774-783 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424ASTOA | на замовлення 39250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4424ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 3-Pin E-Line Box | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 240V | на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 3-Pin E-Line Box | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4424G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4424G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4424G | Diodes Incorporated | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424G************ | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4424GQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V SOT223 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424GQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4424GQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 500 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V SOT223 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GQTA | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V | на замовлення 943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4424GQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 500 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GQTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 240V | на замовлення 14222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.5A; Idm: 1.5A; 2.5W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 772 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 61000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 115000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.5A; Idm: 1.5A; 2.5W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4424GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 500 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 61000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 115897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 61000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4424GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 500 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 95000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4424GTC | ZETEX | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4424GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424GTR | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVN4424Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4424ZTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 300MA SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424ZTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 240V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424ZTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 300MA SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4424ZTA | ZETEX | SOT89 | на замовлення 170000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4424ZTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 240V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4525E6 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525E6 | ZETEX | 09+ SOP-14 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 250V 0.23A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.23A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V | на замовлення 96705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.23A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 250V | на замовлення 922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.23A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.23A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.23A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3589 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.23A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V | на замовлення 94800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.23A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.23A 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.23A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.23A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 3589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.23A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525E6TA Код товару: 20495 | Zetex | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 250 V Rds(on), Ohm: 0,23 Ohm Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525E6TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 250V 230MA SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4525G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4525G Код товару: 131999 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZVN4525G | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4525GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4525GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 310 mA, 0.0056 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm | на замовлення 1783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V | на замовлення 220313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525GTA Код товару: 186669 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZVN4525GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 169000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 250V | на замовлення 17048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4525GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 310 mA, 0.0056 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm | на замовлення 1783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 250V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 250V 0.31A SOT-223 | на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4525GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.24A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.24A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 250V | на замовлення 9928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4525ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 240 mA, 5.6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 240 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 1.2 Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5.6 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 250V 0.24A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.24A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.24A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 77000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.24A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.24A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVN4525ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 240 mA, 5.6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V | на замовлення 60907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 250V 0.24A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVN4525ZTA | на замовлення 142000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVNL110 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVNL110A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.32A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.32A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL110A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.32A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.32A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVNL110A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 18112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL110A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line | на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL110ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL110ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVNL110G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVNL110G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVNL110GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.5A; 1.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.5A Power dissipation: 1.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVNL110GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.5A; 1.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.5A Power dissipation: 1.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL110GTA Код товару: 86944 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZVNL110GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVNL110GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 | на замовлення 18589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVNL110GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVNL120A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.18A 3-Pin E-Line | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | на замовлення 3353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120A Код товару: 116934 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZVNL120A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVNL120A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 180 mA, 10 ohm, E-Line, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 180 Rds(on)-Messspannung Vgs: 5 MSL: - Verlustleistung Pd: 700 Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120A | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 200V 0.18A 3-Pin E-Line | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120A | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 200V | на замовлення 8668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.18A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120A | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.18A 3-Pin E-Line | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.18A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120A | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.18A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120ASTZ | Diodes Inc | Description: MOSFET N-CHAN 200V TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120C | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120CSTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120CSTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120CSTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVNL120G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVNL120G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZVNL120GIA | на замовлення 83 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZVNL120GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 200V | на замовлення 2076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.32A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.32A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZVNL120GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | на замовлення 91189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVNL120GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 320 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.32A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.32A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 990 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVNL120GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 320 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZVNL120GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V | товар відсутній |