Продукція > ZXM

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товар відсутній

ZXM41N10FTA

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товар відсутній

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товар відсутній

ZXM41N10FTA

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM41N10FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товар відсутній

ZXM6

на замовлення 11670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61N02F

Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
MSL: -999
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm

на замовлення 14881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.61 грн
500+	13.67 грн
1000+	10.89 грн
5000+	10.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM61N02F

на замовлення 14881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.82 грн
25+	30.26 грн
100+	15.61 грн
500+	13.67 грн
1000+	10.89 грн
5000+	10.69 грн

Мінімальне замовлення: 19

ZXM61N02F

MOSFET

товар відсутній

ZXM61N02F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 1902000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.83 грн
6000+	8.15 грн
9000+	7.34 грн
30000+	6.78 грн
75000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

MOSFET 20V N-Chnl HDMOS

на замовлення 78582 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.43 грн
12+	27.19 грн
100+	13.78 грн
500+	12.99 грн
1000+	11.12 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXM61N02FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5996 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

12+	23.67 грн
25+	12.71 грн
100+	10.9 грн
102+	8.92 грн
281+	8.44 грн
500+	8.43 грн

Мінімальне замовлення: 12

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA
Код товару: 127179

товар відсутній

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.88 грн
9000+	6.16 грн
18000+	5.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.67 грн
22+	26.34 грн
25+	26.08 грн
100+	12.79 грн
250+	11.72 грн
500+	11.14 грн
1000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 18

ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 1906995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.42 грн
12+	24.49 грн
100+	14.68 грн
500+	12.75 грн
1000+	8.67 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXM61N02FTA

на замовлення 5996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	19.72 грн
35+	10.2 грн
100+	9.09 грн
102+	7.44 грн
281+	7.03 грн

Мінімальне замовлення: 19

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.01 грн
30000+	8.23 грн
60000+	7.66 грн
90000+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

416+	28.09 грн
818+	14.28 грн
826+	14.13 грн
835+	13.49 грн
1041+	10.02 грн

Мінімальне замовлення: 416

ZXM61N02FTA N02

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 240mOhm; 1,7A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61N02FTA TZXM61n02f
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 290 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM61N02FTA/P02

на замовлення 1747 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.3 грн
30000+	10.63 грн
50000+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 10000

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12.26 грн

Мінімальне замовлення: 10000

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61N02FTC

MOSFET 20V N Chnl HDMOS

на замовлення 87081 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.48 грн
10+	33.93 грн
100+	20.51 грн
500+	15.98 грн
1000+	11.65 грн
2500+	11.05 грн
10000+	10.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.18 грн
10+	31.29 грн
100+	21.77 грн
500+	15.95 грн
1000+	12.97 грн
2000+	11.59 грн
5000+	10.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXM61N03F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61N03F

Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm

на замовлення 22470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.41 грн
500+	13.94 грн
1000+	9.16 грн
5000+	8.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM61N03F

MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

товар відсутній

ZXM61N03F

на замовлення 22470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.11 грн
31+	24.65 грн
100+	17.41 грн
500+	13.94 грн
1000+	9.16 грн
5000+	8.96 грн

Мінімальне замовлення: 25

ZXM61N03FTA

MOSFET 30V N-Chnl HDMOS

на замовлення 84551 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.03 грн
15+	21.83 грн
100+	14.98 грн
500+	12.92 грн
1000+	10.85 грн
3000+	9.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

ZXM61N03FTA
Код товару: 72846

товар відсутній

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

на замовлення 667771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
11+	25.46 грн
100+	17.66 грн
500+	12.94 грн
1000+	10.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 480000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA

N-MOSFET 30V 1.4A 220mΩ 625mW ZXM61N03FTA Diodes Inc TZXM61N03FTA
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 290 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	9.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM61N03FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	20.39 грн
26+	13.46 грн
76+	10.62 грн
208+	10.04 грн

Мінімальне замовлення: 19

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

551+	21.21 грн
681+	17.14 грн
688+	16.97 грн
1148+	9.81 грн

Мінімальне замовлення: 551

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

на замовлення 660000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.4 грн
6000+	9.51 грн
9000+	8.83 грн
30000+	8.1 грн
75000+	7.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	26.06 грн
26+	22.4 грн
30+	19.7 грн
100+	15.35 грн
250+	14.07 грн
500+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 23

ZXM61N03FTA

на замовлення 2129 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

11+	24.47 грн
25+	16.77 грн
76+	12.74 грн
208+	12.05 грн
3000+	11.9 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.8 грн
12000+	7.13 грн
24000+	6.63 грн
36000+	6.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61N03FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

товар відсутній

ZXM61N03FTR

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61N03GTA

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61N03TFA

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P02F

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P02F

Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm

на замовлення 6027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.82 грн
500+	11.45 грн
1000+	9.28 грн
5000+	8 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM61P02F

MOSFET

товар відсутній

ZXM61P02F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P02F

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23

товар відсутній

ZXM61P02F

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P02F

на замовлення 6027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.61 грн
28+	27.57 грн
100+	13.82 грн
500+	11.45 грн
1000+	9.28 грн
5000+	8 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

509+	22.96 грн
844+	13.84 грн
851+	13.72 грн
860+	13.1 грн

Мінімальне замовлення: 509

ZXM61P02FTA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 198909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.6 грн
18+	17.15 грн
100+	10.32 грн
1000+	7.46 грн
3000+	6.73 грн
9000+	6.59 грн
24000+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 672000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.29 грн
6000+	7.65 грн
9000+	6.88 грн
30000+	6.36 грн
75000+	5.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	26.7 грн
27+	21.5 грн
28+	21.32 грн
100+	12.39 грн
250+	11.37 грн
500+	10.81 грн
1000+	6.11 грн

Мінімальне замовлення: 22

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.81 грн
9000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.65 грн
12000+	7 грн
24000+	6.51 грн
36000+	5.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2748 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

13+	21.51 грн
25+	17.38 грн
75+	12.72 грн
205+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 13

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 687000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 675351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
13+	22.96 грн
100+	13.76 грн
500+	11.96 грн
1000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXM61P02FTA

на замовлення 2748 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

21+	17.93 грн
25+	13.94 грн
75+	10.6 грн
205+	10.02 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA/P

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P02FTC

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

товар відсутній

ZXM61P03F

Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm

на замовлення 29970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.32 грн
28+	26.82 грн
100+	17.7 грн
500+	12.76 грн
1000+	10.89 грн
5000+	10.69 грн

Мінімальне замовлення: 23

ZXM61P03F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P03F

на замовлення 29970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.7 грн
500+	12.76 грн
1000+	10.89 грн
5000+	10.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM61P03F

MOSFET

товар відсутній

ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 939000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.36 грн
6000+	8.56 грн
9000+	7.95 грн
30000+	7.29 грн
75000+	7.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	18.83 грн
25+	14.78 грн
90+	10.92 грн
245+	10.32 грн

Мінімальне замовлення: 15

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 411000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

MOSFET 30V P-Chnl HDMOS

на замовлення 25407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.6 грн
13+	24.43 грн
100+	15.45 грн
500+	11.99 грн
1000+	11.12 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXM61P03FTA

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	15.69 грн
30+	11.86 грн
90+	9.1 грн
245+	8.6 грн

Мінімальне замовлення: 25

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 411000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.89 грн
102000+	6.29 грн
204000+	5.86 грн
306000+	5.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61P03FTA
Код товару: 72847

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 941598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.09 грн
13+	22.89 грн
100+	15.9 грн
500+	11.65 грн
1000+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61P03FTA TZXM61p03f
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 48 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	10.67 грн

Мінімальне замовлення: 50

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 900000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61P03FTA-P03

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P03FTC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

товар відсутній

ZXM62M02E6

на замовлення 19892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N02E6

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N02E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N02E6

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N02E6TA

MOSFET 20V N-Chnl HDMOS

на замовлення 2515 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXM62N02E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03E6TA

на замовлення 26100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6

товар відсутній

ZXM62N03E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03GTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

товар відсутній

ZXM62N03GTA

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03GTA

MOSFET 30V N-Chnl HDMOS

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

товар відсутній

ZXM62P02E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P02E6T

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P02E6TA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 2654 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.44 грн
10+	45.18 грн
100+	30.9 грн
500+	24.37 грн
1000+	19.51 грн
3000+	17.31 грн
6000+	17.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 113445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.43 грн
10+	41.97 грн
100+	29.04 грн
500+	22.77 грн
1000+	19.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXM62P02E6TA

03/04+ SOT23-6

на замовлення 21100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.1 грн
6000+	17.42 грн
9000+	16.13 грн
30000+	14.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM62P02E6TA

Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM62P02E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03E6

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03E6

Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm

на замовлення 2162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.65 грн
16+	46.99 грн
100+	30.03 грн
500+	24.42 грн
1000+	20.68 грн

Мінімальне замовлення: 14

ZXM62P03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03E6

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03E6

на замовлення 2162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.03 грн
500+	24.42 грн
1000+	20.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA SMD P channel transistors

на замовлення 987 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	62.75 грн
40+	24.64 грн
109+	23.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

на замовлення 8960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.75 грн
10+	46.13 грн
100+	35.36 грн
500+	26.24 грн
1000+	20.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXM62P03E6TA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.15 грн
6000+	15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM62P03E6TA

MOSFET 30V P-Chnl HDMOS

на замовлення 5563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.71 грн
10+	55.52 грн
100+	37.03 грн
500+	29.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.05 грн
6000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM62P03E6TC

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM62P03E6TC

MOSFET 30V P Chnl HDMOS

товар відсутній

ZXM62P03E6TC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6

товар відсутній

ZXM62P03G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03GTA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03GTA

Description: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223

товар відсутній

ZXM63C02

2004

на замовлення 744 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63C02X8

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63C02XTA

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63C03

2004

на замовлення 811 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63C03XTA

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63N02

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63N02E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6

товар відсутній

ZXM63N02E6TA

Diodes Inc.

товар відсутній

ZXM63N02XTA

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63N03XTA

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63P02

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63P02E6TA

2004

на замовлення 429 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63P02XTA

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63P03XTA

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02

на замовлення 648 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02XTA

05+

на замовлення 77 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXM64N02XTA

TSSOP8

на замовлення 14694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02XTA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 1321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXM64N02XTA

09+

на замовлення 3681 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02XTC

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP

товар відсутній

ZXM64N035

02+ TO-220

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035GT

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

товар відсутній

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

товар відсутній

ZXM64N035GTA

SOT223

на замовлення 23790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035GTA12A/35V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035L3

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035L3

Description: MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3

товар відсутній

ZXM64N035L3

TO-220 02 29

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N03XTA

на замовлення 441 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N03XTA

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

товар відсутній

ZXM64N03XTC

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP

товар відсутній

ZXM64N03XTR-ND

2004

на замовлення 446 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P02X

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P02X

05+ SOP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

на замовлення 13470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.13 грн
10+	86.16 грн
100+	67.18 грн
500+	52.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXM64P02XTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -19A; 1.1W; MSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -19A
Power dissipation: 1.1W
Case: MSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXM64P02XTA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.68 грн
10+	78.88 грн
100+	57.2 грн
500+	47.95 грн
1000+	35.29 грн
2000+	33.36 грн
5000+	32.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXM64P02XTA

товар відсутній

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	45.5 грн
2000+	40.9 грн
5000+	38.85 грн
10000+	35.09 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXM64P02XTA

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin MSOP T/R

товар відсутній

ZXM64P02XTC

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP

товар відсутній

ZXM64P035

на замовлення 1366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035GT

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

товар відсутній

ZXM64P035GTA

SOT223

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

товар відсутній

ZXM64P035GTA12A/35V

на замовлення 6200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035L3

Description: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3

товар відсутній

ZXM64P035L3

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P03X

Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.03 грн
500+	48.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM64P03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P03X

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.77 грн
10+	85.91 грн
100+	61.03 грн
500+	48.84 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXM64P03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P03X

MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP

товар відсутній

ZXM64P03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	44.44 грн
2000+	40.28 грн
5000+	38.36 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	54.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

товар відсутній

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	33.69 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXM64P03XTA

MOSFET 30V P Chnl HDMOS

на замовлення 4603 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.1 грн
10+	83.48 грн
100+	54.41 грн
500+	46.88 грн
1000+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXM64P03XTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.1W; MSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.1W
Case: MSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

на замовлення 7994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.85 грн
10+	79.7 грн
100+	61.97 грн
500+	49.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXM64P03XTA

товар відсутній

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	44.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

товар відсутній

ZXM64P03XTC

товар відсутній

ZXM64P03XTR-ND

2004

на замовлення 679 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66N02

09+ SO-8

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66N02

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66N02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

товар відсутній

ZXM66N03

09+ SO-8

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66N03

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66N03N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

товар відсутній

ZXM66P02

SO-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P02N8

на замовлення 2152 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

товар відсутній

ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

товар відсутній

ZXM66P02N8TA

Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXM66P02N8TA

на замовлення 694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P02N8TA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXM66P02N8TC

Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

товар відсутній

ZXM66P02N8TC

Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXM66P03

на замовлення 291 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P03

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P03

09+ SO-8

на замовлення 1291 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P03N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P03N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P03N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMC10A816DN8TC

MOSFET

товар відсутній

ZXMC10A816N8

MOSFET

товар відсутній

ZXMC10A816N8TA

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC10A816N8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100V; 1.7A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 9.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMC10A816N8TA

100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

товар відсутній

ZXMC10A816N8TA

100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

товар відсутній

ZXMC10A816N8TA

товар відсутній

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.55 грн
10+	64.16 грн
25+	59.01 грн
100+	47.64 грн
250+	40 грн
500+	34.47 грн
1000+	27.03 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMC10A816N8TC

MOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE

на замовлення 14182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.08 грн
10+	57.05 грн
100+	38.56 грн
500+	32.7 грн
1000+	26.64 грн
2500+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 210000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
10+	60.14 грн
100+	46.91 грн
500+	36.36 грн
1000+	28.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC10A816N8TC
Код товару: 184010

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товар відсутній

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC10A816N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.2/-2.1A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23/0.235Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

169+	69.1 грн
184+	63.55 грн
220+	53.2 грн
250+	46.53 грн
500+	38.66 грн
1000+	29.11 грн

Мінімальне замовлення: 169

ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.67 грн
11+	69.03 грн
100+	49.83 грн
500+	39.05 грн
1000+	28.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 210000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.65 грн
5000+	27.12 грн
12500+	26.1 грн
25000+	23.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.83 грн
500+	39.05 грн
1000+	28.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMC10A816N8TC

товар відсутній

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 210000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.6 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC3A16

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A16

03+ SMD8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A16DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A16DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A16DN8

09+

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K

товар відсутній

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 0.5K

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TA

MOSFET N and P Channel

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.09 грн
10+	104.92 грн
100+	71.26 грн
500+	58.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA Multi channel transistors

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TC

ZXMC3A16DN8TC Multi channel transistors

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 14660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.13 грн
10+	85.95 грн
100+	67.01 грн
500+	51.95 грн
1000+	41.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMC3A16DN8TC

MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS

на замовлення 1781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101 грн
10+	81.94 грн
100+	55.21 грн
500+	46.75 грн
1000+	38.09 грн
2500+	35.83 грн
5000+	34.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMC3A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.36 грн
5000+	38.75 грн
12500+	37.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC3A17

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A17DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A17DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A17DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A17DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 26301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.83 грн
10+	50.85 грн
100+	39.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA Multi channel transistors

на замовлення 85 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	72.61 грн
22+	45.32 грн
59+	42.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMC3A17DN8TA

MOSFET 30V Enhancement Mode

на замовлення 980 шт:

термін постачання 322-331 дні (днів)

4+	82.35 грн
10+	73.06 грн
100+	49.55 грн
500+	40.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	34.8 грн
1000+	27.3 грн
2500+	25.7 грн
5000+	22.97 грн
12500+	21.91 грн
25000+	21.87 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC3A17DN8TA

Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.69 грн
13+	60.44 грн
50+	51.92 грн
100+	40.23 грн
250+	36.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMC3A17DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

товар відсутній

ZXMC3A18

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A18DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A18DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A18DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

товар відсутній

ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

товар відсутній

ZXMC3AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

товар відсутній

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

товар відсутній

ZXMC3AM832TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3AMCTA

MOSFET 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS

на замовлення 16377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.25 грн
10+	58.36 грн
100+	39.42 грн
500+	33.43 грн
1000+	27.24 грн
3000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC3AMCTA

Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.22 грн
500+	34.82 грн
1000+	24.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 1026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC3AMCTA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: DFN3020B-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18/0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.46 грн
10+	35.38 грн
25+	31.29 грн
31+	26.24 грн
84+	24.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

на замовлення 42912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.55 грн
10+	51.96 грн
100+	40.41 грн
500+	32.15 грн
1000+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC3AMCTA

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	65.35 грн
6+	44.09 грн
25+	37.54 грн
31+	31.49 грн
84+	29.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC3AMCTA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.19 грн
13+	61.63 грн
100+	44.22 грн
500+	34.82 грн
1000+	24.2 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.28 грн
6000+	25.02 грн
9000+	23.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMC3F31DN8

MOSFET

товар відсутній

ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	30.23 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC3F31DN8TA

ZXMC3F31DN8TA Multi channel transistors

на замовлення 471 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	77.54 грн
39+	25.22 грн
106+	23.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMC3F31DN8TA

MOSFET 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.6 грн
10+	52.61 грн
100+	35.03 грн
500+	27.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.91 грн
10+	48 грн
100+	36.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMC4559

SO-8

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC4559DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC4559DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC4559DN8

MOSFET

товар відсутній

ZXMC4559DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	32.35 грн
1000+	29.56 грн
2000+	27.51 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC4559DN8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.6/-2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.78 грн
11+	31.63 грн
25+	27.68 грн
33+	25 грн
90+	23.63 грн
500+	23.1 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMC4559DN8TA

на замовлення 1113 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	68.13 грн
7+	39.42 грн
25+	33.21 грн
33+	30 грн
90+	28.36 грн
500+	27.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	19.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	28.89 грн
1000+	27.2 грн
2500+	20.68 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.4 грн
10+	64.17 грн
100+	49.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	76.75 грн
10+	70.03 грн
25+	69.33 грн
100+	54.56 грн
250+	34.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMC4559DN8TA

MOSFET Comp. 60V NP-Chnl

на замовлення 5567 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.28 грн
10+	51.69 грн
100+	42.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

155+	75.42 грн
157+	74.66 грн
192+	60.93 грн
283+	39.87 грн

Мінімальне замовлення: 155

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	43.95 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC4559DN8TC

MOSFET 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	32.19 грн

Мінімальне замовлення: 1480

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.9/-4.7A
Power dissipation: 2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.055/0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.9/-4.7A
Power dissipation: 2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.055/0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	51.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC4A16DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC4A16DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

товар відсутній

ZXMC6A07T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC6A09DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC6A09DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC6A09DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMC6A09DN8TA

MOSFET Comp. 60V NP-Chnl

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.51 грн
10+	118.7 грн
100+	81.91 грн
250+	77.91 грн
500+	66.59 грн
1000+	59.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.63 грн
10+	123.41 грн
100+	99.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	153.71 грн
84+	139.68 грн
85+	138.28 грн
102+	111.09 грн
250+	101.84 грн
500+	82.23 грн

Мінімальне замовлення: 76

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	142.73 грн
10+	129.7 грн
25+	128.4 грн
100+	103.16 грн
250+	94.56 грн
500+	76.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	84.64 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC6A09DN8TA

ZXMC6A09DN8TA Multi channel transistors

товар відсутній

ZXMD63C02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

товар відсутній

ZXMD63C02XTA

09+

на замовлення 15018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

товар відсутній

ZXMD63C02XTA

MSOP

на замовлення 15100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP

товар відсутній

ZXMD63C02XTC

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

товар відсутній

ZXMD63C03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 13603000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMD63C03XTA

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C03XTA

MOSFET 30V N&P Chnl HDMOS

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 13602000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMD63C03XTC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP

товар відсутній

ZXMD63N02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N02X

2004

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 483345000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMD63N02XTA

MOSFET Dual 20V N Chl HDMOS

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 400045000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 483345000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMD63N02XTA

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N02XTC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP

товар відсутній

ZXMD63N03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N03XTA

MOSFET Dual 30V N Chl HDMOS

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	75.9 грн
2000+	68.05 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMD63N03XTA

ZXMD63N03XTA Multi channel transistors

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	268.94 грн
14+	73.25 грн
37+	69.92 грн

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

на замовлення 4715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	154.88 грн
10+	133.6 грн
100+	107.37 грн
500+	82.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

ZXMD63N03XTC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP

товар відсутній

ZXMD63N03XTC

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P02XTA

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P02XTA

MOSFET Dual 20V P Chl HDMOS

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMD63P02XTA

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P02XTA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP

товар відсутній

ZXMD63P02XTA

Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 8-Pin MSOP T/R

товар відсутній

ZXMD63P02XTC

товар відсутній

ZXMD63P03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P03XTA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP

товар відсутній

ZXMD63P03XTA

MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMD63P03XTA

TSSOP8

на замовлення 3351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P03XTC

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

товар відсутній

ZXMD65N02

09+ SO-8

на замовлення 1149 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65N02

на замовлення 149 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65N02N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC

товар відсутній

ZXMD65N03

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65N03

09+ SO-8

на замовлення 1073 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65N03N8

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65N03N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMD65P02

09+ SO-8

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P02

на замовлення 275 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P02

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMD65P02N8TA

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMD65P02N8TC

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

товар відсутній

ZXMD65P03

на замовлення 1793 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P03

09+ SO-8

на замовлення 2793 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P03N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P03N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 92688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.4 грн
10+	64.17 грн
100+	49.93 грн
500+	39.72 грн
1000+	32.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC10A07N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2116 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	74.41 грн
5+	63.28 грн
20+	49.95 грн
53+	47.2 грн
500+	45.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMHC10A07N8TC

на замовлення 2116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.78 грн
20+	41.62 грн
53+	39.33 грн
500+	37.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.7 грн
5000+	30.91 грн
12500+	29.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMHC10A07N8TC

Diodes INC.

Транзистор польовий 2N+2P; Udss, В = 100; Id = 800 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60; Qg, нКл = 2,9 @ 10 В; Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,87; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 680 мА; SOICN-8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

5+	124.8 грн
10+	62.4 грн
100+	41.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMHC10A07N8TC

MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

на замовлення 24339 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.79 грн
10+	71.91 грн
100+	48.21 грн
500+	40.89 грн
1000+	33.3 грн
2500+	29.77 грн
5000+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC10A07T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC10A07T8

MOSFET

товар відсутній

ZXMHC10A07T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC10A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC10A07T8TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.9 грн
10+	99.34 грн
100+	79.05 грн
500+	62.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMHC10A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R

товар відсутній

ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	58.94 грн
2000+	53.92 грн
5000+	51.89 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMHC10A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R

товар відсутній

ZXMHC10A07T8TA

товар відсутній

ZXMHC10A07T8TA

MOSFET 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge

на замовлення 1967 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.96 грн
10+	111.81 грн
100+	77.25 грн
250+	73.92 грн
500+	65.06 грн
1000+	54.07 грн
2000+	52.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMHC3A01N8

MOSFET

товар відсутній

ZXMHC3A01N8DICT

Diodes Inc./Zetex

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

ZXMHC3A01N8TA

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC3A01N8TC

MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

на замовлення 34090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.5 грн
10+	49.09 грн
100+	34.36 грн
500+	31.3 грн
1000+	27.5 грн
2500+	25.84 грн
5000+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 126319 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
10+	55.01 грн
100+	42.79 грн
500+	34.04 грн
1000+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC SMD N channel transistors

товар відсутній

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 122500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.89 грн
5000+	26.49 грн
12500+	25.27 грн
25000+	23.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMHC3A01N8TC

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC3A01T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC3A01T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC3A01T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	87.83 грн
147+	79.56 грн
148+	79.14 грн
167+	67.62 грн
250+	61.93 грн
500+	53.65 грн
1000+	49.4 грн

Мінімальне замовлення: 133

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	52.77 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMHC3A01T8TA

товар відсутній

ZXMHC3A01T8TA

товар відсутній

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	56.83 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

на замовлення 55944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.54 грн
10+	91.57 грн
100+	72.86 грн
500+	57.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMHC3A01T8TA

MOSFET 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel

на замовлення 1621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.53 грн
10+	100.32 грн
100+	70.59 грн
250+	69.92 грн
500+	59.47 грн
1000+	48.21 грн
2000+	48.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMHC3A01T8TA
Код товару: 163888

товар відсутній

ZXMHC3A01T8TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	81.56 грн
10+	73.88 грн
25+	73.49 грн
100+	62.79 грн
250+	57.51 грн
500+	49.82 грн
1000+	45.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

товар відсутній

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	54.32 грн
2000+	49.69 грн
5000+	47.82 грн
10000+	43.39 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMHC3F381N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.98/-3.36A
Pulsed drain current: 22.9...-19.6A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge

товар відсутній

ZXMHC3F381N8TC

товар відсутній

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 165000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMHC3F381N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.17 грн
500+	36.42 грн
1000+	31.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC3F381N8TC

MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

на замовлення 26069 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.13 грн
10+	60.5 грн
100+	41.15 грн
500+	34.96 грн
1000+	28.04 грн
2500+	27.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.9 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMHC3F381N8TC

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.17 грн
12+	64.47 грн
100+	46.17 грн
500+	36.42 грн
1000+	31.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 167922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.98 грн
10+	38.71 грн
100+	30.09 грн
500+	23.93 грн
1000+	23.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC6A07N8TC

товар відсутній

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 215000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.89 грн
5000+	26.49 грн
12500+	25.27 грн
25000+	23.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC6A07N8TC

товар відсутній

ZXMHC6A07N8TC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 217628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
10+	55.01 грн
100+	42.79 грн
500+	34.04 грн
1000+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMHC6A07N8TC

MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

на замовлення 85460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.45 грн
10+	51.16 грн
100+	36.16 грн
500+	32.56 грн
1000+	28.44 грн
2500+	25.77 грн
5000+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMHC6A07T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC6A07T8

MOSFET

товар відсутній

ZXMHC6A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC6A07T8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2792 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	117.44 грн
5+	100.27 грн
12+	83.24 грн
32+	79.08 грн
500+	75.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

товар відсутній

ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 6001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.54 грн
10+	91.57 грн
100+	72.86 грн
500+	57.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMHC6A07T8TA

MOSFET 60V UMOS H-Bridge

на замовлення 4223 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.78 грн
10+	85.77 грн
100+	57.54 грн
250+	57 грн
500+	52.34 грн
1000+	48.41 грн
2000+	47.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMHC6A07T8TA

на замовлення 2792 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.86 грн
5+	80.47 грн
12+	69.37 грн
32+	65.9 грн
500+	63.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMHC6A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	54.32 грн
2000+	49.69 грн
5000+	47.82 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

товар відсутній

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	56.56 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMHC6A07T8TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.96 грн
10+	107.57 грн
100+	81.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMHN6A07T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHN6A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHN6A07T8TA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 8-Pin SM8 T/R

товар відсутній

ZXMHN6A07T8TA

Description: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

товар відсутній

ZXMHN6A07T8TA

MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMN

на замовлення 13870 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товар відсутній

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товар відсутній

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товар відсутній

ZXMN0545G4

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN0545G4

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

товар відсутній

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN0545G4TA

MOSFET 450V 140mA N-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 5004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMN0545G4TA

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

товар відсутній

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	87.68 грн
10+	77.7 грн
25+	56.72 грн
100+	54.14 грн
250+	37.27 грн
500+	35.42 грн
1000+	35.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN0545GTA

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A07F

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.98 грн
25+	30.78 грн
100+	20.54 грн
500+	14.98 грн
1000+	10.69 грн
5000+	10.5 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXMN10A07F

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 625
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.54 грн
500+	14.98 грн
1000+	10.69 грн
5000+	10.5 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	27.69 грн
24+	24.36 грн
25+	24.35 грн
100+	18.11 грн
250+	16.62 грн
500+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXMN10A07FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.96 грн
26+	29.21 грн
100+	19.57 грн

Мінімальне замовлення: 22

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 628500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.86 грн
6000+	9.01 грн
9000+	8.37 грн
30000+	7.67 грн
75000+	7.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN10A07FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1277 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	59.17 грн
14+	19.71 грн
25+	14.98 грн
74+	13.04 грн
203+	12.33 грн
500+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

446+	26.22 грн
578+	20.22 грн
583+	20.04 грн
729+	15.44 грн

Мінімальне замовлення: 446

ZXMN10A07FTA

на замовлення 1277 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.3 грн
22+	15.82 грн
28+	12.49 грн
74+	10.87 грн
203+	10.27 грн
500+	10.13 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN10A07FTA

на замовлення 35800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A07FTA

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN10A07FTA

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	27.64 грн
18+	20.39 грн
25+	18.17 грн
73+	11.03 грн
200+	10.41 грн

Мінімальне замовлення: 14

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 629211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.53 грн
12+	24.07 грн
100+	16.74 грн
500+	12.26 грн
1000+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN10A07FTA

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 29067 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.9 грн
13+	23.97 грн
100+	15.05 грн
500+	12.12 грн
1000+	10.12 грн
3000+	8.86 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXMN10A07FTA

на замовлення 1277 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	59.17 грн
14+	19.71 грн
25+	14.98 грн
74+	13.04 грн
203+	12.33 грн
500+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMN10A07FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

товар відсутній

ZXMN10A07Z

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	19.69 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	15.13 грн
2000+	13.03 грн
5000+	12.36 грн
10000+	10.77 грн
25000+	10.53 грн
50000+	10.26 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A07ZTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	68.13 грн
10+	28.01 грн
25+	21.14 грн
53+	18.31 грн
145+	17.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	16.97 грн
2000+	15.35 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 3002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

277+	42.22 грн
371+	31.54 грн
374+	31.23 грн
500+	23.57 грн
1000+	16.73 грн
3000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 277

ZXMN10A07ZTA

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.78 грн
16+	22.48 грн
25+	17.62 грн
53+	15.26 грн
145+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

ZXMN10A07ZTA

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 41425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.65 грн
10+	36.22 грн
100+	21.71 грн
500+	15.52 грн
1000+	12.72 грн
2000+	11.39 грн
10000+	10.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	13.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 96480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.62 грн
10+	33.02 грн
100+	22.95 грн
500+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08

на замовлення 459 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN10A08DN8TA

MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 559 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.33 грн
10+	48.63 грн
100+	36.76 грн
500+	30.43 грн
1000+	23.44 грн
2500+	22.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10A08DN8TA

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	29.76 грн

Мінімальне замовлення: 20

ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	63.45 грн
11+	57.25 грн
100+	45.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.27 грн
10+	57.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN10A08DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

товар відсутній

ZXMN10A08E6

MOSFET

товар відсутній

ZXMN10A08E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

товар відсутній

ZXMN10A08E6QTA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08E6QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT26 T&R 3K

товар відсутній

ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 126532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.5 грн
10+	35.1 грн
100+	24.39 грн
500+	17.87 грн
1000+	14.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN10A08E6TA

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 5139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	31.57 грн
20+	29.54 грн
25+	29.25 грн
100+	23.56 грн
250+	21.66 грн
500+	17.42 грн
1000+	16.34 грн
3000+	15.26 грн

Мінімальне замовлення: 19

ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 126000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.37 грн
6000+	13.13 грн
9000+	12.19 грн
30000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08E6TA

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 16013 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.65 грн
11+	30.02 грн
100+	20.38 грн
500+	18.05 грн
1000+	14.98 грн
3000+	13.32 грн
6000+	12.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 5139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

367+	31.82 грн
371+	31.5 грн
444+	26.32 грн
447+	25.2 грн
534+	19.54 грн
1000+	17.59 грн
3000+	16.43 грн

Мінімальне замовлення: 367

ZXMN10A08E6TA-50

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

ZXMN10A08E6TA-50

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

товар відсутній

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08E6TC

товар відсутній

ZXMN10A08E6TC

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

товар відсутній

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08GT

на замовлення 20500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 147000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	20.87 грн
2000+	17.9 грн
5000+	16.96 грн
10000+	14.74 грн
25000+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A08GTA

MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET

на замовлення 17038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.88 грн
10+	42.5 грн
100+	26.1 грн
500+	20.04 грн
1000+	17.85 грн
2000+	16.58 грн
5000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08GTA

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 147364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.98 грн
10+	40.79 грн
100+	28.27 грн
500+	22.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08T6TA

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A09K

07+ DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A09K

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A09K

DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A09KTC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; 4.31W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 4.31W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	67.59 грн
10+	64.6 грн
100+	58.52 грн
500+	51.82 грн
1000+	43.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

товар відсутній

ZXMN10A09KTC

товар відсутній

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A09KTC

MOSFET MOSFET N-CH 100V

на замовлення 806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.31 грн
10+	101.85 грн
100+	70.59 грн
250+	65.06 грн
500+	59 грн
1000+	50.61 грн
2500+	48.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

на замовлення 1377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.46 грн
10+	106.13 грн
100+	85.33 грн
500+	65.79 грн
1000+	54.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.9
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.31 грн
500+	26.64 грн
1000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN10A11G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.86 грн
15+	51.84 грн
100+	36.31 грн
500+	26.64 грн
1000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 13

ZXMN10A11GFTA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A11GTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 405 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	72.61 грн
8+	36.31 грн
25+	30.8 грн
38+	24.97 грн
103+	24.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10A11GTA

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 3875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.45 грн
10+	45.41 грн
100+	27.37 грн
500+	22.84 грн
1000+	18.91 грн
2000+	18.45 грн
5000+	16.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	24.66 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A11GTA
Код товару: 131543

товар відсутній

ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	20.69 грн
2000+	17.75 грн
5000+	16.81 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A11GTA

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	60.51 грн
12+	29.13 грн
25+	25.67 грн
38+	20.81 грн
103+	20.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 43000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	18.9 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 7093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.26 грн
10+	40.44 грн
100+	28.02 грн
500+	21.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10A11GTC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

товар відсутній

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товар відсутній

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товар відсутній

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товар відсутній

ZXMN10A11KT

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A11KTC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; 4.06W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 4.06W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMN10A11KTC

товар відсутній

ZXMN10A11KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A11KTC

MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.23 грн
10+	46.72 грн
100+	27.77 грн
500+	23.17 грн
1000+	19.78 грн
2500+	17.45 грн
5000+	16.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10A11KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.66 грн
5000+	17.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMN10A25

SOT-223

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	34.86 грн
2000+	31.6 грн
5000+	30.1 грн
10000+	26.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	78.87 грн
10+	71.28 грн
25+	70.53 грн
100+	53.89 грн
250+	49.44 грн
500+	39.51 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

153+	76.76 грн
154+	75.96 грн
194+	60.19 грн
250+	57.51 грн
500+	44.33 грн

Мінімальне замовлення: 153

ZXMN10A25GTA

MOSFET 100V N-Channel 2.9A MOSFET

на замовлення 2776 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.91 грн
10+	67.62 грн
100+	45.88 грн
500+	35.96 грн
1000+	31.1 грн
2000+	30.03 грн
5000+	29.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10A25GTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	92.33 грн
5+	79.53 грн
17+	56.6 грн
46+	54.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 20480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.24 грн
10+	62.5 грн
100+	48.61 грн
500+	38.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10A25GTA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.95 грн
6+	63.82 грн
17+	47.17 грн
46+	45.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3

товар відсутній

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3

товар відсутній

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A25KTC

MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

на замовлення 4691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.56 грн
10+	75.51 грн
100+	52.08 грн
500+	44.15 грн
1000+	35.96 грн
2500+	32.3 грн
5000+	32.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10A25KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 9733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.16 грн
10+	68.61 грн
100+	53.37 грн
500+	42.46 грн
1000+	34.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10A25KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 2344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.33 грн
500+	53.14 грн
1000+	38.8 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN10A25KTC

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A25KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.03 грн
5000+	33.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A25KTC

на замовлення 2344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	113.55 грн
10+	94.13 грн
100+	69.33 грн
500+	53.14 грн
1000+	38.8 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10B08E6

09+ SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10B08E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10B08E6QTA

ZXMN10B08E6QTA

товар відсутній

ZXMN10B08E6QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K

товар відсутній

ZXMN10B08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

товар відсутній

ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA SMD N channel transistors

на замовлення 638 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	69.92 грн
40+	24.97 грн
109+	23.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN10B08E6TA

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.73 грн
10+	50.01 грн
100+	33.36 грн
500+	26.44 грн
1000+	21.11 грн
3000+	19.18 грн
9000+	18.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.2 грн
6000+	17.52 грн
9000+	16.22 грн
30000+	15.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN10B08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: SOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.5 грн
14+	53.49 грн
100+	37.43 грн
500+	27.54 грн
1000+	20.3 грн
5000+	19.91 грн

Мінімальне замовлення: 12

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN10B08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.1
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.43 грн
500+	27.54 грн
1000+	20.3 грн
5000+	19.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

на замовлення 95543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.43 грн
10+	42.18 грн
100+	29.2 грн
500+	22.9 грн
1000+	19.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10B08E6TA 10B8

N-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 36 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 50

ZXMN10B08E6TC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26

товар відсутній

ZXMN15A27KT

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN15A27KTC

Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.54 грн
10+	39.54 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN15A27KTC

Trans MOSFET N-CH 150V 2.55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN15A27KTC

Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V

товар відсутній

ZXMN15A27KTC

на замовлення 6070 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN15A27KTC

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMN2069FTA

Description: MOSFET N-CH SOT23-3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2088DE6

на замовлення 123800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2088DE6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2088DE6TA

MOSFET 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET

товар відсутній

ZXMN2088DE6TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

товар відсутній

ZXMN20B28K

MOSFET

товар відсутній

ZXMN20B28K-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN20B28KT

на замовлення 20500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN20B28KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.59 грн
15+	51.02 грн
100+	35.71 грн
500+	26.15 грн
1000+	19.4 грн

Мінімальне замовлення: 13

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMN20B28KTC

10+ SOT-23

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.2 грн
5000+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.71 грн
10+	41.55 грн
100+	28.75 грн
500+	22.54 грн
1000+	19.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMN20B28KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2.2W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.71 грн
500+	26.15 грн
1000+	19.4 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN20B28KTC

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL

на замовлення 35747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.93 грн
10+	46.64 грн
100+	28.1 грн
500+	23.44 грн
1000+	19.98 грн
2500+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN20B28KTC-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A01E6

MOSFET

товар відсутній

ZXMN2A01E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 1633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	41.78 грн
10+	35.24 грн
100+	27 грн
500+	20.03 грн
1000+	16.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

товар відсутній

ZXMN2A01E6TA

MOSFET 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 5708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.69 грн
12+	27.03 грн
100+	19.11 грн
500+	16.05 грн
1000+	13.72 грн
3000+	12.92 грн
6000+	12.59 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	12.37 грн

Мінімальне замовлення: 47

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2A01E6TA

на замовлення 967 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

товар відсутній

ZXMN2A01F

MOSFET

товар відсутній

ZXMN2A01F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 960770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.42 грн
12+	24.49 грн
100+	14.68 грн
500+	12.75 грн
1000+	8.67 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMN2A01FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.9A; Idm: 8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	27.89 грн
25+	23.55 грн
26+	22.94 грн
100+	16.53 грн
250+	15.17 грн
500+	11.23 грн
1000+	8.61 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXMN2A01FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 806
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 11885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.62 грн
25+	30.78 грн
100+	19.87 грн
500+	13.8 грн
1000+	9.54 грн
5000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 20

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.85 грн
6000+	10.07 грн
15000+	9.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 960000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.83 грн
6000+	8.15 грн
9000+	7.34 грн
30000+	6.78 грн
75000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A01FTA

товар відсутній

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.17 грн
6000+	10.2 грн
12000+	9.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.15 грн
6000+	8.62 грн
15000+	8.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.07 грн
6000+	9.35 грн
15000+	8.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A01FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 806
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 11885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.87 грн
500+	13.8 грн
1000+	9.54 грн
5000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

473+	24.71 грн
633+	18.46 грн
639+	18.29 грн
828+	13.6 грн
1080+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 473

ZXMN2A01FTA

MOSFET 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 40328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.56 грн
12+	27.19 грн
100+	16.85 грн
500+	12.65 грн
1000+	9.52 грн
3000+	8.66 грн
6000+	8.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	31.99 грн
487+	24.01 грн
491+	23.77 грн
626+	18 грн
1043+	10 грн

Мінімальне замовлення: 365

ZXMN2A01FTA 7N2

Trans MOSFET N-CH 20V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA TZXMN2a01fta
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.96 грн

Мінімальне замовлення: 200

ZXMN2A01FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

товар відсутній

ZXMN2A02

на замовлення 938 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02F

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02N8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 10.2A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2A02N8TA

MOSFET 20V N Chnl UMOS

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2A02X8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02X8

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02X8

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02X8TA

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товар відсутній

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товар відсутній

ZXMN2A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товар відсутній

ZXMN2A03

на замовлення 1126 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A03E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMN2A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2A03E6TA

MOSFET N Channel

на замовлення 1764 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.55 грн
10+	54.99 грн
100+	36.69 грн
500+	28.97 грн
1000+	23.24 грн
3000+	20.98 грн
6000+	20.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

на замовлення 4666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.79 грн
10+	50.5 грн
100+	38.7 грн
500+	28.71 грн
1000+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A03E6TA

товар відсутній

ZXMN2A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6

товар відсутній

ZXMN2A04D

09+ SO-8

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A04D

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A04DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.31 грн
10+	119.66 грн
100+	96.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN2A04DN8TA

SOP 08+PBF

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	65.3 грн
11+	55.5 грн
100+	53.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	82.07 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN2A04DN8TA

MOSFET Dl 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.85 грн
10+	115.64 грн
100+	79.91 грн
250+	79.25 грн
500+	66.59 грн
1000+	57.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN2A04DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

товар відсутній

ZXMN2A14F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A14F

TOSHIBA

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A14FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.3A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.01 грн
6000+	11.89 грн
9000+	11.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A14FTA

MOSFET N Channel

на замовлення 78691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.3 грн
10+	32.16 грн
100+	19.91 грн
500+	15.72 грн
1000+	11.92 грн
3000+	11.05 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	36.66 грн
19+	31.97 грн
25+	31.64 грн
100+	23.85 грн
250+	21.88 грн
500+	17.17 грн
1000+	13.58 грн

Мінімальне замовлення: 16

ZXMN2A14FTA

товар відсутній

ZXMN2A14FTA

N-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

343+	34.07 грн
439+	26.64 грн
443+	26.39 грн
541+	20.81 грн
1000+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 343

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

на замовлення 31289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.9 грн
10+	31.77 грн
100+	22.09 грн
500+	16.18 грн
1000+	13.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN2AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2AM832TA

на замовлення 746 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2AMCTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2AMCTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

ZXMN2AMCTA

MOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMN2AN8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2B01F

Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 806mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.46 грн
27+	28.69 грн
100+	17.56 грн
500+	12.35 грн
1000+	11.33 грн
3000+	11.27 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXMN2B01F

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2B01F

Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 806mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.56 грн
500+	12.35 грн
1000+	11.33 грн
3000+	11.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	26.12 грн
27+	21.78 грн
100+	15.28 грн
250+	14.03 грн
500+	10.44 грн
1000+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 23

ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA SMD N channel transistors

товар відсутній

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

на замовлення 188643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
13+	22.96 грн
100+	13.76 грн
500+	11.96 грн
1000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2B01FTA

MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 14657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.56 грн
12+	26.65 грн
100+	15.85 грн
500+	11.92 грн
1000+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

на замовлення 186000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.29 грн
6000+	7.65 грн
9000+	6.88 грн
30000+	6.36 грн
75000+	5.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

498+	23.45 грн
684+	17.06 грн
690+	16.92 грн
890+	12.65 грн
1099+	9.49 грн

Мінімальне замовлення: 498

ZXMN2B03E6

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

товар відсутній

ZXMN2B03E6TA

MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 8780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMN2B03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2B03E6TA

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.47 грн
10+	46.89 грн
100+	35.96 грн
500+	26.68 грн
1000+	21.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN2B03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2B14FH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2B14FH

MOSFET

товар відсутній

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.05 грн
6000+	19.77 грн
15000+	19.04 грн
30000+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2B14FHTA

MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 3380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.7 грн
10+	41.2 грн
100+	26.24 грн
500+	22.58 грн
1000+	19.91 грн
3000+	18.05 грн
6000+	17.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	53.15 грн
222+	52.63 грн
291+	40.24 грн
294+	38.41 грн
500+	27.93 грн
1000+	21.31 грн

Мінімальне замовлення: 220

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

на замовлення 33397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.91 грн
10+	48.35 грн
100+	37.05 грн
500+	27.48 грн
1000+	21.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	56.26 грн
12+	49.35 грн
25+	48.87 грн
100+	36.03 грн
250+	33.02 грн
500+	24.9 грн
1000+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXMN2F30FH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2F30FH

MOSFET

товар відсутній

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
12+	24.21 грн
100+	16.48 грн
500+	11.6 грн
1000+	8.7 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA SMD N channel transistors

товар відсутній

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

товар відсутній

ZXMN2F30FHQTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 8145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.86 грн
12+	26.11 грн
100+	15.45 грн
500+	11.65 грн
1000+	8.72 грн
3000+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.7 грн
6000+	7.56 грн
12000+	7.42 грн
45000+	6.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2F30FHTA

MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 127334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	19.5 грн
20+	15.55 грн
100+	9.06 грн
1000+	7.13 грн
3000+	6.39 грн
9000+	6.06 грн
24000+	5.99 грн

Мінімальне замовлення: 16

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 192512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
13+	21.37 грн
100+	12.83 грн
500+	11.16 грн
1000+	7.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2F30FHTA

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.28 грн

Мінімальне замовлення: 50

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.16 грн
6000+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 192000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.73 грн
6000+	7.13 грн
9000+	6.42 грн
30000+	5.94 грн
75000+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA SMD N channel transistors

товар відсутній

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2F34FH

MOSFET

товар відсутній

ZXMN2F34FH

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2F34FHTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.4
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.9 грн
500+	13.46 грн
1000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	32.84 грн
22+	27.36 грн
25+	25.34 грн
100+	17.53 грн
250+	15.1 грн
500+	11.86 грн
1000+	8.4 грн

Мінімальне замовлення: 18

ZXMN2F34FHTA

MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 88510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.25 грн
15+	20.52 грн
100+	10.85 грн
1000+	7.39 грн
3000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

на замовлення 112155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
12+	24.21 грн
100+	16.47 грн
500+	11.6 грн
1000+	8.7 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2F34FHTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.44 грн
25+	30.93 грн
100+	18.9 грн
500+	13.46 грн
1000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 19

ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA SMD N channel transistors

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

13+	21.51 грн
86+	11.4 грн
235+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 13

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.82 грн
6000+	7.98 грн
15000+	7.47 грн
30000+	6.43 грн
75000+	6.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

428+	27.29 грн
597+	19.58 грн
642+	18.21 грн
784+	14.37 грн
1107+	9.42 грн

Мінімальне замовлення: 428

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

товар відсутній

ZXMN2F34MATA

Trans MOSFET N-CH 20V 8.5A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

товар відсутній

ZXMN2N02

на замовлення 128 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3804

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A01E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A01E6

MOSFET

товар відсутній

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 132000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.58 грн
6000+	13.3 грн
9000+	12.32 грн
30000+	11.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A01E6TA

MOSFET 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 12999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39 грн
10+	33.93 грн
100+	20.71 грн
500+	17.31 грн
1000+	15.05 грн
3000+	13.59 грн
6000+	13.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN3A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 144787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.9 грн
10+	32.05 грн
100+	22.17 грн
500+	17.38 грн
1000+	14.8 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN3A01E6TA

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

товар відсутній

ZXMN3A01F

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.14 грн
500+	13.6 грн
1000+	10.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN3A01F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A01F

на замовлення 4734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	31.08 грн
30+	25.7 грн
100+	16.14 грн
500+	13.6 грн
1000+	10.95 грн

Мінімальне замовлення: 25

ZXMN3A01FQTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SOT23

товар відсутній

ZXMN3A01FTA

MOSFET 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 96853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.78 грн
13+	24.97 грн
100+	13.45 грн
500+	12.12 грн
1000+	10.79 грн
3000+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN3A01FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; 0.806W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 0.806W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	251.01 грн
8+	137.92 грн
20+	125.57 грн
3000+	122.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

445+	26.28 грн

Мінімальне замовлення: 445

ZXMN3A01FTA

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	209.17 грн
8+	110.68 грн
20+	104.64 грн
3000+	101.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	29.98 грн
24+	24.65 грн
25+	24.41 грн
100+	19.61 грн
250+	17.99 грн
500+	11.3 грн

Мінімальне замовлення: 20

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 256612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
11+	25.46 грн
100+	17.66 грн
500+	12.94 грн
1000+	10.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.15 грн
6000+	9.94 грн
9000+	9.8 грн
15000+	9.32 грн
30000+	8.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.59 грн
6000+	9.9 грн
15000+	9.22 грн
30000+	8.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 255000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.4 грн
6000+	9.51 грн
9000+	8.83 грн
30000+	8.1 грн
75000+	7.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A01FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

товар відсутній

ZXMN3A01FTC

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	29.4 грн
517+	22.61 грн
538+	21.73 грн
661+	17.05 грн

Мінімальне замовлення: 398

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	11.64 грн
2000+	10.02 грн
5000+	9.51 грн
10000+	8.29 грн
25000+	8.1 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN3A01ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.45 грн
500+	11.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN3A01ZTA

MOSFET 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A

на замовлення 10958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.25 грн
12+	27.65 грн
100+	16.71 грн
500+	10.92 грн
1000+	9.26 грн
2000+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.57 грн
21+	27.58 грн
25+	27.3 грн
100+	20.25 грн
250+	18.02 грн
500+	14.07 грн

Мінімальне замовлення: 18

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

на замовлення 50286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
11+	25.46 грн
100+	17.66 грн
500+	12.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN3A01ZTA

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.61 грн
25+	30.18 грн
100+	18.45 грн
500+	11.1 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXMN3A02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMN3A02N8TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMN3A02X8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02X8

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02X8

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02X8TA

MOSFET 30V N Chnl UMOS

на замовлення 16195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.65 грн
10+	99.56 грн
100+	67.93 грн
500+	55.67 грн
1000+	43.95 грн
2000+	41.02 грн
5000+	39.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	44.29 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN3A02X8TA

на замовлення 780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

товар відсутній

ZXMN3A03E6

Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.89 грн
14+	54.83 грн
100+	34.89 грн
500+	27.05 грн
1000+	22.48 грн

Мінімальне замовлення: 12

ZXMN3A03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A03E6

на замовлення 3967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.89 грн
500+	27.05 грн
1000+	22.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN3A03E6

MOSFET

товар відсутній

ZXMN3A03E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.6A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 54941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.19 грн
10+	46.41 грн
100+	32.1 грн
500+	25.17 грн
1000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN3A03E6TA

MOSFET 30V N Chnl UMOS

на замовлення 73723 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.53 грн
10+	39.44 грн
100+	25.71 грн
500+	22.44 грн
1000+	19.71 грн
3000+	18.58 грн
6000+	18.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 53500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.11 грн
6000+	19.26 грн
9000+	17.83 грн
30000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

399+	29.3 грн
400+	29.22 грн
456+	25.65 грн
460+	24.48 грн
500+	21.06 грн
1000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 399

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN3A03E6TA

товар відсутній

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.51 грн
22+	27.21 грн
25+	27.13 грн
100+	22.96 грн
250+	21.05 грн
500+	18.78 грн
1000+	17.51 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXMN3A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

товар відсутній

ZXMN3A04D

на замовлення 109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04D

ZXMN

04+ SMD8

на замовлення 1120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04D

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04D

09+ SO-8

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04DN8TA

MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.85 грн
10+	117.94 грн
100+	82.58 грн
500+	67.93 грн
1000+	61.13 грн
2500+	59 грн
5000+	57.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	65.18 грн
1000+	53.26 грн
2500+	50.59 грн
5000+	45.7 грн
12500+	44.18 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMN3A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN3A04DN8TA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 22603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.7 грн
10+	93.23 грн
100+	74.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A04DN8TC

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

товар відсутній

ZXMN3A04K

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04K

DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04K

07+ DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.06 грн
10+	100.58 грн
100+	80.04 грн
500+	63.56 грн
1000+	53.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A04KTC

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN3A04KTC

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.55 грн
10+	105.65 грн
100+	84.05 грн
500+	66.74 грн
1000+	56.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A04KTC

MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A

на замовлення 1549 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.28 грн
10+	135.55 грн
100+	94.56 грн
500+	77.91 грн
1000+	64.46 грн
2500+	59.73 грн
10000+	56.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

ZXMN3A04KTC

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A05N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMN3A06D

на замовлення 367 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A06DN8

09+

на замовлення 397 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A06DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A06DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A06DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.12 грн
10+	70.89 грн
100+	55.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN3A06DN8TA

MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.24 грн
10+	76.28 грн
100+	48.61 грн
500+	42.02 грн
1000+	38.09 грн
2500+	36.63 грн
5000+	34.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN3A06DN8TA

Dual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	53.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	47.43 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMN3A06DN8TA

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	33.41 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMN3A06DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

товар відсутній

ZXMN3A06N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

товар відсутній

ZXMN3A13FTA

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A14F

07+ SOT23

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A14F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A14F

SOT23

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A14F

MOSFET

товар відсутній

ZXMN3A14FPBF

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A14FQTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.87 грн
13+	27.4 грн
25+	24.21 грн
37+	21.76 грн
102+	20.57 грн
500+	20.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN3A14FQTA

MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V

на замовлення 19671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.07 грн
10+	46.79 грн
100+	31.23 грн
500+	24.64 грн
1000+	19.71 грн
3000+	18.71 грн
9000+	16.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN3A14FQTA

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товар відсутній

ZXMN3A14FQTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.03 грн
10+	45.51 грн
100+	34.9 грн
500+	25.89 грн
1000+	20.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN3A14FQTA

на замовлення 2773 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	76.65 грн
8+	34.15 грн
25+	29.05 грн
37+	26.11 грн
102+	24.69 грн
500+	24.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN3A14FQTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

товар відсутній

ZXMN3A14FTA