| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1455+ | 9.70 грн |
| 1478+ | 9.55 грн |
| 1500+ | 9.41 грн |
| 1525+ | 8.93 грн |
| 1550+ | 8.13 грн |
| 3000+ | 7.68 грн |
| 6000+ | 7.56 грн |
| 15000+ | 7.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5062TAP Vishay
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V.
Інші пропозиції 1N5062TAP за ціною від 7.56 грн до 170.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N5062TAP | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 18371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
1N5062TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Capacitance: 40pF Reverse recovery time: 4µs Leakage current: 0.1mA Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 0.8kV Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5062TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
1N5062TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5062TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V |
на замовлення 8564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
1N5062TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM |
на замовлення 13932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|