Технічний опис 2N2221A ST
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2N2221A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N2221A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
2N2221A | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N2221A | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT THT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| 2N2221A | onsemi |
|
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
2N2221A | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N2221A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2221A |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2221A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2221A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





