2N3739 Microsemi


2n3739.pdf
Виробник: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3739 Microsemi

Description: TRANS NPN 300V 1A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 250mA, 10V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 20 W.

Інші пропозиції 2N3739

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N3739 MOTOROLA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3739
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.