2N4923G ON Semiconductor


2n4921-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
836+42.42 грн
1000+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 836 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4923G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2N4923G за ціною від 20.18 грн до 87.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N4923G 2N4923G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+47.13 грн
1000+40.64 грн
2500+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2N4923G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.30 грн
17+45.81 грн
100+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2N4923G ONSEMI 2n4921-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 30...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.60 грн
10+46.14 грн
100+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2N4923G onsemi 2n4921-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
на замовлення 4679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.17 грн
10+57.09 грн
100+32.82 грн
500+25.56 грн
1000+21.23 грн
5000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2N4923G ONSEMI ONSM-S-A0013776869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.17 грн
14+61.83 грн
100+39.76 грн
500+30.79 грн
1000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2N4923G onsemi 2n4921-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.98 грн
10+53.63 грн
100+35.46 грн
500+25.94 грн
1000+23.58 грн
2000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2N4923G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2N4923G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2n4921-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+47.13 грн
1000+40.64 грн
2500+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2n4921-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+52.30 грн
17+45.81 грн
100+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2n4921-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 30...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+70.60 грн
10+46.14 грн
100+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2n4921-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
на замовлення 4679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.17 грн
10+57.09 грн
100+32.82 грн
500+25.56 грн
1000+21.23 грн
5000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G ONSM-S-A0013776869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+87.17 грн
14+61.83 грн
100+39.76 грн
500+30.79 грн
1000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2n4921-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.98 грн
10+53.63 грн
100+35.46 грн
500+25.94 грн
1000+23.58 грн
2000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2n4921-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923G 2n4921-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.