Технічний опис 2N4923G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N4923G за ціною від 20.18 грн до 87.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N4923G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N4923G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N4923G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 30W Case: TO225 Current gain: 30...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz |
на замовлення 122 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N4923G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN |
на замовлення 4679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N4923G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N4923G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-126Current - Collector Cutoff (Max): 500µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V |
на замовлення 4878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N4923G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2N4923G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N4923G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 47.13 грн |
| 1000+ | 40.64 грн |
| 2500+ | 38.48 грн |
| 2N4923G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 52.30 грн |
| 17+ | 45.81 грн |
| 100+ | 37.03 грн |
| 2N4923G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 30...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 30...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 70.60 грн |
| 10+ | 46.14 грн |
| 100+ | 30.76 грн |
| 2N4923G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
на замовлення 4679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.17 грн |
| 10+ | 57.09 грн |
| 100+ | 32.82 грн |
| 500+ | 25.56 грн |
| 1000+ | 21.23 грн |
| 5000+ | 20.18 грн |
| 2N4923G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 87.17 грн |
| 14+ | 61.83 грн |
| 100+ | 39.76 грн |
| 500+ | 30.79 грн |
| 1000+ | 27.86 грн |
| 2N4923G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.98 грн |
| 10+ | 53.63 грн |
| 100+ | 35.46 грн |
| 500+ | 25.94 грн |
| 1000+ | 23.58 грн |
| 2000+ | 21.60 грн |
| 2N4923G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N4923G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






