2N5191G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 42.14 грн |
| 1000+ | 38.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5191G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N5191G за ціною від 20.79 грн до 98.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N5191G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 2MHz |
на замовлення 6508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N5191G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 10048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N5191G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN |
на замовлення 11133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2N5191G | Виробник : ONN |
|
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |