2N6768 IR/MOT


77270-lds-0101-datasheet
Виробник: IR/MOT

на замовлення 850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6768 IR/MOT

Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO3, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AE, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 2N6768

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N6768 2N6768 Виробник : Microsemi Corporation 77270-lds-0101-datasheet Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6768 2N6768 Виробник : Infineon / IR 77270-lds-0101-datasheet MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6768 2N6768 Виробник : Microchip Technology LDS_0101-1594068.pdf MOSFET N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.