2N7000TA


nds7002a-d.pdf
Код товару: 173012
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2N7000TA за ціною від 5.50 грн до 49.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7000TA 2N7000TA ON Semiconductor 2n7000ta-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.87 грн
4000+5.80 грн
10000+5.76 грн
24000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2N7000TA ON Semiconductor 2n7000ta-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2389+5.91 грн
4000+5.84 грн
10000+5.79 грн
24000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 2389
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2N7000TA onsemi nds7002a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.19 грн
4000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2N7000TA ON Semiconductor 2n7000ta-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.31 грн
4000+11.93 грн
6000+11.81 грн
8000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2N7000TA ONSEMI 2N7000TA.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 759 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.91 грн
20+21.33 грн
100+12.02 грн
500+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2N7000TA onsemi nds7002a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.18 грн
14+22.09 грн
100+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2N7000TA onsemi NDS7002A-D.PDF MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
на замовлення 10929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.81 грн
14+23.53 грн
100+13.01 грн
500+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2N7000TA ONSEMI ONSM-S-A0007309853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.47 грн
24+34.95 грн
100+20.68 грн
500+14.25 грн
1000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2n7000ta-d.pdf
2N7000TA
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+5.87 грн
4000+5.80 грн
10000+5.76 грн
24000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2n7000ta-d.pdf
2N7000TA
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2389+5.91 грн
4000+5.84 грн
10000+5.79 грн
24000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 2389
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA nds7002a-d.pdf
2N7000TA
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+8.19 грн
4000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2n7000ta-d.pdf
2N7000TA
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+13.31 грн
4000+11.93 грн
6000+11.81 грн
8000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2N7000TA.pdf
2N7000TA
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 759 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.91 грн
20+21.33 грн
100+12.02 грн
500+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA nds7002a-d.pdf
2N7000TA
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.18 грн
14+22.09 грн
100+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA NDS7002A-D.PDF
2N7000TA
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
на замовлення 10929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.81 грн
14+23.53 грн
100+13.01 грн
500+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA ONSM-S-A0007309853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7000TA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.47 грн
24+34.95 грн
100+20.68 грн
500+14.25 грн
1000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.