| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 8.17 грн |
| 8000+ | 6.52 грн |
| 24000+ | 5.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002BKV,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 525mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2N7002BKV,115 за ціною від 5.84 грн до 39.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 1411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 1411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N7002BKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.525W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N7002BKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|