Продукція > VISHAY SILICONIX > 2N7002K-T1-GE3
2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix

2n7002k.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 458780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.37 грн
6000+3.78 грн
9000+3.56 грн
15000+3.12 грн
21000+2.98 грн
30000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Інші пропозиції 2N7002K-T1-GE3 за ціною від 3.12 грн до 29.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2460+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 2460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1437000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.05 грн
6000+5.44 грн
9000+5.13 грн
15000+4.61 грн
21000+4.08 грн
30000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 43809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.83 грн
500+8.23 грн
1500+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.50 грн
45+9.57 грн
100+5.29 грн
500+3.27 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
818+17.25 грн
1312+10.76 грн
1780+7.93 грн
2011+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 818 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
798+17.70 грн
1266+11.15 грн
1279+11.04 грн
1717+7.93 грн
1834+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 798 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 458962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.36 грн
25+12.42 грн
100+7.73 грн
500+5.35 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Semiconductors 2n7002k.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 262212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.91 грн
25+13.18 грн
100+7.17 грн
500+5.34 грн
1000+4.71 грн
3000+3.87 грн
6000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 43809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.04 грн
56+14.69 грн
100+10.83 грн
500+8.23 грн
1500+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.16 грн
43+17.70 грн
100+10.75 грн
250+9.85 грн
500+7.05 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2460+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 2460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1437000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.05 грн
6000+5.44 грн
9000+5.13 грн
15000+4.61 грн
21000+4.08 грн
30000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 43809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.83 грн
500+8.23 грн
1500+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
30+15.50 грн
45+9.57 грн
100+5.29 грн
500+3.27 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
818+17.25 грн
1312+10.76 грн
1780+7.93 грн
2011+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 818 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
798+17.70 грн
1266+11.15 грн
1279+11.04 грн
1717+7.93 грн
1834+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 798 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 458962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.36 грн
25+12.42 грн
100+7.73 грн
500+5.35 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 262212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.91 грн
25+13.18 грн
100+7.17 грн
500+5.34 грн
1000+4.71 грн
3000+3.87 грн
6000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 43809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
35+24.04 грн
56+14.69 грн
100+10.83 грн
500+8.23 грн
1500+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
26+29.16 грн
43+17.70 грн
100+10.75 грн
250+9.85 грн
500+7.05 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.