2N7002KT1G ON-Semiconductor
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G T2N7002kt1ge3
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KT1G ON-Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 420mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Інші пропозиції 2N7002KT1G за ціною від 1.84 грн до 42.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 217475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002KT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
на замовлення 2822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 70055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 70055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002KT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms |
на замовлення 192033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| 2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5, Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|





