Продукція > TOSHIBA > 2SA2060(TE12L,F)
2SA2060(TE12L,F)

2SA2060(TE12L,F) Toshiba

5332sa2060_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
715+19.84 грн
741+19.14 грн
1000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2060(TE12L,F) Toshiba

Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: PW-MINI, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SA2060(TE12L,F) за ціною від 12.22 грн до 65.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SA2060(TE12L,F) 2SA2060(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20447&prodName=2SA2060 Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PW-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.70 грн
10+35.86 грн
100+23.27 грн
500+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2060(TE12L,F) 2SA2060(TE12L,F) Toshiba 3346444131464446443736353734323542353035384530394242384637314334.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD=2.5W F=1MHZ
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.82 грн
10+40.47 грн
100+22.90 грн
500+17.53 грн
1000+17.46 грн
2000+16.27 грн
5000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2060(TE12L,F) 2SA2060(TE12L,F) Toshiba 5332sa2060_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2060(TE12L,F) docget.jsp?did=20447&prodName=2SA2060
2SA2060(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PW-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+59.70 грн
10+35.86 грн
100+23.27 грн
500+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2060(TE12L,F) 3346444131464446443736353734323542353035384530394242384637314334.pdf
2SA2060(TE12L,F)
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD=2.5W F=1MHZ
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.82 грн
10+40.47 грн
100+22.90 грн
500+17.53 грн
1000+17.46 грн
2000+16.27 грн
5000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2060(TE12L,F) 5332sa2060_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SA2060(TE12L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.