2SA2125-TD-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 14.65 грн |
| 2000+ | 12.79 грн |
| 3000+ | 12.11 грн |
| 5000+ | 10.66 грн |
| 7000+ | 10.24 грн |
| 10000+ | 9.83 грн |
| 25000+ | 8.78 грн |
| 50000+ | 8.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA2125-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 380MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2SA2125-TD-E за ціною від 13.01 грн до 58.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA2125-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 31995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SA2125-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SA2125-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SA2125-TD-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 62502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SA2125-TD-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER |
на замовлення 3161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SA2125-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1264 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2125-TD-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 31995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1866+ | 18.91 грн |
| 10000+ | 16.85 грн |
| 2SA2125-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.45 грн |
| 500+ | 17.37 грн |
| 1000+ | 14.35 грн |
| 2SA2125-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 45.86 грн |
| 24+ | 34.30 грн |
| 100+ | 22.15 грн |
| 500+ | 15.69 грн |
| 1000+ | 13.01 грн |
| 2SA2125-TD-E |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 62502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.01 грн |
| 10+ | 31.85 грн |
| 100+ | 20.54 грн |
| 500+ | 14.71 грн |
| 2SA2125-TD-E |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER
Bipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.58 грн |
| 10+ | 35.83 грн |
| 100+ | 20.11 грн |
| 500+ | 15.33 грн |
| 1000+ | 13.01 грн |
| 2SA2125-TD-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2SA2125-TD-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.