2SB1181TLQ

2SB1181TLQ Rohm Semiconductor



Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.31 грн
10+59.04 грн
100+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1181TLQ Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: CPT3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 10 W.

Інші пропозиції 2SB1181TLQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1181TLQ 2SB1181TLQ Rohm Semiconductor Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1181TLQ 2SB1181TLQ ROHM Semiconductor Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1181TLQ
2SB1181TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1181TLQ
2SB1181TLQ
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.