Інші пропозиції 2SC5566-TD-E за ціною від 15.61 грн до 76.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC5566-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 4A PCPPower - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 8745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 4A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz |
на замовлення 775 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC5566-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 4A PCPPackage / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC5566-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V |
на замовлення 7285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 8745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 115629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 464000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 89000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|






