| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.30 грн |
| 10+ | 45.61 грн |
| 100+ | 25.91 грн |
| 500+ | 19.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1963T100R ROHM Semiconductor
Description: TRANS NPN 20V 3A MPT3, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: MPT3, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SD1963T100R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1963 T100R | Виробник : ROHM | SOT89 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2SD1963 T100R | Виробник : ROHM | SOT89 |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2SD1963T100R | Виробник : ROHM |
SOT89 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
