2SK2103T100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A MPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 22.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK2103T100 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A MPT3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: MPT3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SK2103T100 за ціною від 22.74 грн до 78.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SK2103T100 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 2A MPT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| 2SK2103 T100 | ROHM |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2103T100 | ROHM |
|
на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SK2103T100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A MPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 2A MPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.33 грн |
| 10+ | 47.54 грн |
| 100+ | 31.26 грн |
| 500+ | 22.74 грн |
| 2SK2103 T100 |
Виробник: ROHM
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2SK2103T100 |
|
Виробник: ROHM
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.