Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > 2SK2103T100

2SK2103T100

2sk2103.pdf
Код товару: 148167
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2SK2103T100 за ціною від 22.74 грн до 78.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK2103T100 2SK2103T100 Rohm Semiconductor 2sk2103.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A MPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2103T100 2SK2103T100 Rohm Semiconductor 2sk2103.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A MPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.33 грн
10+47.54 грн
100+31.26 грн
500+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2103 T100 ROHM
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2103T100 ROHM 2sk2103.pdf
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2103T100 2sk2103.pdf
2SK2103T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A MPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2103T100 2sk2103.pdf
2SK2103T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A MPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.33 грн
10+47.54 грн
100+31.26 грн
500+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2103 T100
Виробник: ROHM
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2103T100 2sk2103.pdf
Виробник: ROHM
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.