2SK3065T100 Rohm Semiconductor


2sk3065.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.42 грн
2000+20.59 грн
3000+19.59 грн
5000+17.33 грн
7000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3065T100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SK3065T100 за ціною від 23.36 грн до 85.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.57 грн
200+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2sk3065.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.49 грн
10+48.99 грн
100+32.13 грн
500+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.69 грн
16+51.77 грн
50+43.57 грн
200+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms30086-1.pdf MOSFETs N-CH 60V 2A
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.33 грн
10+52.57 грн
100+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 ROHM 2sk3065.pdf 10+ROHS SOT-89
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065 T100 ROHM SOT89
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.57 грн
200+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2sk3065.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.49 грн
10+48.99 грн
100+32.13 грн
500+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.69 грн
16+51.77 грн
50+43.57 грн
200+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 rohm semiconductor_rohms30086-1.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs N-CH 60V 2A
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.33 грн
10+52.57 грн
100+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 2sk3065.pdf
Виробник: ROHM
10+ROHS SOT-89
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065 T100
Виробник: ROHM
SOT89
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.