Інші пропозиції 2N7002BKS.115 за ціною від 2.2 грн до 28.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 267000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 267000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 42834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 42834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | MOSFET 2N7002BKS/SOT363/SC-88 |
на замовлення 65243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 257227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : NXP |
2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
47uH 10% 1210 (LQH32CN470K23L-Murata) індуктивність Код товару: 48961 |
Виробник: Murata
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 1210
Номінал: 47 µH
Точність: ±10%
Габарити або типорозмір: 1210
Опис і характеристики: дротова на фериті
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 1210
Номінал: 47 µH
Точність: ±10%
Габарити або типорозмір: 1210
Опис і характеристики: дротова на фериті
у наявності: 847 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 5 грн |
100+ | 4.3 грн |
SM6T27CA Код товару: 38404 |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 27 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 23,1 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 27 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 23,1 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: SMD
товар відсутній