Результат пошуку "49743" : > 61
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AT28HC64BF-12SU Код товару: 49743 |
Atmel |
Мікросхеми > Пам'ять Функціональний опис: EEPROM 1M 5V SDP |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
10-497434-015 | Amphenol Aerospace | Circular MIL Spec Contacts PIN |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
LME49743MTX/NOPB | Texas Instruments | Audio Amplifiers 4-channel, 30-MHz, high-fidelity, high-performance audio op amp 14-TSSOP -40 to 85 |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
LME49743MTX/NOPB | Texas Instruments |
Description: IC AUDIO 4 CIRCUIT 14TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Audio Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Current - Supply: 10mA (x4 Channels) Slew Rate: 12V/µs Gain Bandwidth Product: 30 MHz Current - Input Bias: 190 nA Voltage - Input Offset: 150 µV Supplier Device Package: 14-TSSOP Part Status: Active Number of Circuits: 4 Current - Output / Channel: 21 mA Voltage - Supply Span (Min): 8 V Voltage - Supply Span (Max): 34 V |
на замовлення 1893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
M85049/7-43W | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL ENV 45 DEG OD CAD |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
0800-0004 | ENERSYS |
Category: Acid Cells Description: Re-battery: acid-lead; 2V; 5Ah; Size: X; AGM; Ø44x73mm; -85÷85°C Type of rechargeable battery: acid-lead Rated voltage: 2V Capacity: 5Ah Cell size: X Technology: AGM Rechargeable batteries features: high output current; high resistance to deep discharge; maintenance-free; rapid charging option (within 1 hour up to 90% of capacity) Body dimensions: Ø44x73mm Storage time: 10 years Operating temperature: -85...85°C |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
09 67 009 0442 | HARTING |
Description: HARTING - 09 67 009 0442 - D-Sub-Endgehäuse, schwarz, DE, 180°, Gehäuse aus Thermoplast tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR D-Sub-Gehäusegröße: DE Kabelausgangswinkel: 0 Steckverbindermaterial: Gehäuse aus Thermoplast hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4007-TP | Micro Commercial Co |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 189798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4007-TP | Micro Commercial Co |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 191955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
7431E0225S01LF | Amphenol FCI | Memory Card Connectors SMART CARD E02 CONNECTOR |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
7431E0525S01LF | Amphenol FCI | Memory Card Connectors 8 POS WITH PEGS |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
7432E0225S01LF | Amphenol FCI | Memory Card Connectors SMART CARD E02 S.TAIL CONNECTOR |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
7432E0525S01LF | Amphenol FCI | Memory Card Connectors 8 POS WITH PEGS |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
7434L0825S01LF | Amphenol FCI | Memory Card Connectors 8cts,Connector,Spoon Shape, Harsh Enviro |
на замовлення 1212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
74355-1041LF | Amphenol FCI | I/O Connectors 2X4 PCB SHLD RECPT LO PRO RA KEY 1 |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
74355-1091LF | Amphenol FCI | I/O Connectors 2X4 PCB SHLD RECPT LO PRO RA KEY 2 |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
74388-001 | Amphenol / InterCon Systems | Board to Board & Mezzanine Connectors MEG-ARRAY 400POS REC |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
74388-101LF | Amphenol / InterCon Systems | Board to Board & Mezzanine Connectors MEG-ARRAY 400POS REC |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
74390-001LF | Amphenol / InterCon Systems | Board to Board & Mezzanine Connectors MEG-ARRAY 400 POS |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
B32656S0105K561 | EPCOS |
Description: EPCOS - B32656S0105K561 - Leistungs-Folienkondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse - Flachstecker, 1 µF, ± 5% tariffCode: 85322500 Produkthöhe: 39.5mm dv/dt: - rohsCompliant: YES Anschlussabstand: 28mm Höhe: 39.5mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: 0 Qualifikation: AEC-Q200 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C RMS-Strom Irms: 13A Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.006ohm Produktlänge: 42mm euEccn: NLR Spitzenstrom: - Spannung (AC): 480V Kapazität: 1µF Spannung (DC): 1kV Rippelstrom: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: - Betriebstemperatur, max.: 110°C Produktbreite: 20mm |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
B32656S7105K561 | EPCOS |
Description: EPCOS - B32656S7105K561 - Leistungs-Folienkondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse - Flachstecker, 1 µF, ± 5% tariffCode: 85322500 Produkthöhe: 37mm dv/dt: - rohsCompliant: YES Anschlussabstand: 37.5mm Höhe: 37mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: 0 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C RMS-Strom Irms: 15.5A Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.005ohm Produktlänge: 42mm euEccn: NLR Spitzenstrom: - Spannung (AC): 500V Kapazität: 1µF Spannung (DC): 1.25kV Rippelstrom: - productTraceability: No Produktdurchmesser: - Betriebstemperatur, max.: 110°C Produktbreite: 28mm |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FA26NP02J472JNU06 | TDK Corporation |
Description: CAP CER 4700PF 630V NP0 RAD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Lead Style: Formed Leads - Kinked Features: High Temperature Voltage - Rated: 630V Package / Case: Radial Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.217" L x 0.138" W (5.50mm x 3.50mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Applications: Automotive Lead Spacing: 0.197" (5.00mm) Ratings: AEC-Q200 Height - Seated (Max): 0.236" (6.00mm) Part Status: Active Capacitance: 4700 pF |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RB520CS30L,315 | Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SCHOTT 30V 100MA DFN1006-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: DFN1006-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 10 V Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 38305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RB520CS30L,315 | Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SCHOTT 30V 100MA DFN1006-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: DFN1006-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RB520CS30L,315 | Nexperia | Schottky Diodes & Rectifiers RB520CS30L/SOD882/SOD2 |
на замовлення 44462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SMP80MC-270 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SMP80MC-270 - TVS-Diode, TRANSZORB eSMP, Bidirektional, 243 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: - Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 270V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 243V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: - TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TRANSZORB eSMP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ST8004CDR | STMicroelectronics |
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 28SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 3.3V, 5V Applications: Set-Top Boxes Supplier Device Package: 28-SO |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STB11NM80T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
на замовлення 779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STB12NK80ZT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STB12NK80ZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STB12NK80ZT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STB140NF55T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STB140NF55T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STB16NF06LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD16NF06LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD16NF06LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
на замовлення 8564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD16NF06LT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD16NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD2NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
на замовлення 1529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD3NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD45NF75T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 75V 40A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD45NF75T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 75V 40A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V |
на замовлення 15817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD5N20LT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 6345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD5N20LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V |
на замовлення 17425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD5N20LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF11NM80 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF11NM80 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF3NK80Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
на замовлення 5929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF3NK80Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF40NF06 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 3486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF5NK100Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V |
на замовлення 10113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF5NK100Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.75 A, 2.7 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics |
Description: IGBT 442V 40A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off) Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 2181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGB20NB41LZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 412V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics |
Description: IGBT 442V 40A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off) Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGP20NC60V | STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 60A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGW20NC60VD | STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 60A 200W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 44 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGW20NC60VD | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V usEccn: EAR99 |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN790A | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 9963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN790A | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN790A | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN790A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP11NM80 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
AT28HC64BF-12SU Код товару: 49743 |
товар відсутній
10-497434-015 |
Виробник: Amphenol Aerospace
Circular MIL Spec Contacts PIN
Circular MIL Spec Contacts PIN
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 728.25 грн |
10+ | 638 грн |
25+ | 528.08 грн |
100+ | 515.4 грн |
250+ | 488.69 грн |
500+ | 479.35 грн |
1000+ | 373.86 грн |
LME49743MTX/NOPB |
Виробник: Texas Instruments
Audio Amplifiers 4-channel, 30-MHz, high-fidelity, high-performance audio op amp 14-TSSOP -40 to 85
Audio Amplifiers 4-channel, 30-MHz, high-fidelity, high-performance audio op amp 14-TSSOP -40 to 85
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 173.69 грн |
10+ | 154.32 грн |
100+ | 107.49 грн |
250+ | 101.48 грн |
500+ | 88.12 грн |
1000+ | 73.44 грн |
2500+ | 68.1 грн |
LME49743MTX/NOPB |
Виробник: Texas Instruments
Description: IC AUDIO 4 CIRCUIT 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Audio
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 10mA (x4 Channels)
Slew Rate: 12V/µs
Gain Bandwidth Product: 30 MHz
Current - Input Bias: 190 nA
Voltage - Input Offset: 150 µV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 21 mA
Voltage - Supply Span (Min): 8 V
Voltage - Supply Span (Max): 34 V
Description: IC AUDIO 4 CIRCUIT 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Audio
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 10mA (x4 Channels)
Slew Rate: 12V/µs
Gain Bandwidth Product: 30 MHz
Current - Input Bias: 190 nA
Voltage - Input Offset: 150 µV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 21 mA
Voltage - Supply Span (Min): 8 V
Voltage - Supply Span (Max): 34 V
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.38 грн |
10+ | 165.23 грн |
25+ | 156.25 грн |
100+ | 127.09 грн |
250+ | 120.57 грн |
500+ | 108.19 грн |
1000+ | 89.75 грн |
M85049/7-43W |
Виробник: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL ENV 45 DEG OD CAD
Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL ENV 45 DEG OD CAD
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3212.89 грн |
10+ | 2773.9 грн |
25+ | 2260.54 грн |
50+ | 2219.81 грн |
100+ | 2072.94 грн |
250+ | 2015.52 грн |
500+ | 1978.14 грн |
0800-0004 |
Виробник: ENERSYS
Category: Acid Cells
Description: Re-battery: acid-lead; 2V; 5Ah; Size: X; AGM; Ø44x73mm; -85÷85°C
Type of rechargeable battery: acid-lead
Rated voltage: 2V
Capacity: 5Ah
Cell size: X
Technology: AGM
Rechargeable batteries features: high output current; high resistance to deep discharge; maintenance-free; rapid charging option (within 1 hour up to 90% of capacity)
Body dimensions: Ø44x73mm
Storage time: 10 years
Operating temperature: -85...85°C
Category: Acid Cells
Description: Re-battery: acid-lead; 2V; 5Ah; Size: X; AGM; Ø44x73mm; -85÷85°C
Type of rechargeable battery: acid-lead
Rated voltage: 2V
Capacity: 5Ah
Cell size: X
Technology: AGM
Rechargeable batteries features: high output current; high resistance to deep discharge; maintenance-free; rapid charging option (within 1 hour up to 90% of capacity)
Body dimensions: Ø44x73mm
Storage time: 10 years
Operating temperature: -85...85°C
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1396.74 грн |
2+ | 1226.74 грн |
5+ | 1226.04 грн |
09 67 009 0442 |
Виробник: HARTING
Description: HARTING - 09 67 009 0442 - D-Sub-Endgehäuse, schwarz, DE, 180°, Gehäuse aus Thermoplast
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DE
Kabelausgangswinkel: 0
Steckverbindermaterial: Gehäuse aus Thermoplast
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: HARTING - 09 67 009 0442 - D-Sub-Endgehäuse, schwarz, DE, 180°, Gehäuse aus Thermoplast
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DE
Kabelausgangswinkel: 0
Steckverbindermaterial: Gehäuse aus Thermoplast
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 459.09 грн |
10+ | 346.75 грн |
100+ | 320.54 грн |
250+ | 291.39 грн |
1N4007-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 189798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 2.24 грн |
10000+ | 1.79 грн |
25000+ | 1.76 грн |
50000+ | 1.48 грн |
125000+ | 1.28 грн |
1N4007-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 191955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.44 грн |
30+ | 9.53 грн |
100+ | 4.63 грн |
500+ | 3.62 грн |
1000+ | 2.52 грн |
2000+ | 2.18 грн |
7431E0225S01LF |
Виробник: Amphenol FCI
Memory Card Connectors SMART CARD E02 CONNECTOR
Memory Card Connectors SMART CARD E02 CONNECTOR
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 410.47 грн |
10+ | 277.93 грн |
120+ | 234.33 грн |
300+ | 213.64 грн |
540+ | 208.96 грн |
1020+ | 198.28 грн |
7431E0525S01LF |
Виробник: Amphenol FCI
Memory Card Connectors 8 POS WITH PEGS
Memory Card Connectors 8 POS WITH PEGS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 426.83 грн |
10+ | 357.77 грн |
120+ | 258.37 грн |
300+ | 251.69 грн |
540+ | 218.98 грн |
7432E0225S01LF |
Виробник: Amphenol FCI
Memory Card Connectors SMART CARD E02 S.TAIL CONNECTOR
Memory Card Connectors SMART CARD E02 S.TAIL CONNECTOR
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 403.46 грн |
10+ | 290.21 грн |
120+ | 234.33 грн |
300+ | 231.66 грн |
540+ | 200.28 грн |
1020+ | 197.61 грн |
7432E0525S01LF |
Виробник: Amphenol FCI
Memory Card Connectors 8 POS WITH PEGS
Memory Card Connectors 8 POS WITH PEGS
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 429.16 грн |
10+ | 357.77 грн |
120+ | 258.37 грн |
300+ | 239.01 грн |
540+ | 218.98 грн |
7434L0825S01LF |
Виробник: Amphenol FCI
Memory Card Connectors 8cts,Connector,Spoon Shape, Harsh Enviro
Memory Card Connectors 8cts,Connector,Spoon Shape, Harsh Enviro
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 293.64 грн |
10+ | 239.54 грн |
100+ | 201.62 грн |
250+ | 193.61 грн |
74355-1041LF |
Виробник: Amphenol FCI
I/O Connectors 2X4 PCB SHLD RECPT LO PRO RA KEY 1
I/O Connectors 2X4 PCB SHLD RECPT LO PRO RA KEY 1
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 451.75 грн |
10+ | 377.74 грн |
120+ | 309.77 грн |
300+ | 270.38 грн |
540+ | 230.99 грн |
74355-1091LF |
Виробник: Amphenol FCI
I/O Connectors 2X4 PCB SHLD RECPT LO PRO RA KEY 2
I/O Connectors 2X4 PCB SHLD RECPT LO PRO RA KEY 2
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 433.06 грн |
10+ | 360.84 грн |
120+ | 296.42 грн |
300+ | 258.37 грн |
540+ | 251.02 грн |
1020+ | 213.64 грн |
2520+ | 210.97 грн |
74388-001 |
Виробник: Amphenol / InterCon Systems
Board to Board & Mezzanine Connectors MEG-ARRAY 400POS REC
Board to Board & Mezzanine Connectors MEG-ARRAY 400POS REC
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2369.36 грн |
74388-101LF |
Виробник: Amphenol / InterCon Systems
Board to Board & Mezzanine Connectors MEG-ARRAY 400POS REC
Board to Board & Mezzanine Connectors MEG-ARRAY 400POS REC
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1110.69 грн |
10+ | 1021.88 грн |
74390-001LF |
Виробник: Amphenol / InterCon Systems
Board to Board & Mezzanine Connectors MEG-ARRAY 400 POS
Board to Board & Mezzanine Connectors MEG-ARRAY 400 POS
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1486.11 грн |
10+ | 1269.87 грн |
25+ | 1057.5 грн |
50+ | 1032.13 грн |
100+ | 938 грн |
200+ | 919.3 грн |
B32656S0105K561 |
Виробник: EPCOS
Description: EPCOS - B32656S0105K561 - Leistungs-Folienkondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse - Flachstecker, 1 µF, ± 5%
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 39.5mm
dv/dt: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 28mm
Höhe: 39.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 0
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
RMS-Strom Irms: 13A
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.006ohm
Produktlänge: 42mm
euEccn: NLR
Spitzenstrom: -
Spannung (AC): 480V
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 1kV
Rippelstrom: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: 110°C
Produktbreite: 20mm
Description: EPCOS - B32656S0105K561 - Leistungs-Folienkondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse - Flachstecker, 1 µF, ± 5%
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 39.5mm
dv/dt: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 28mm
Höhe: 39.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 0
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
RMS-Strom Irms: 13A
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.006ohm
Produktlänge: 42mm
euEccn: NLR
Spitzenstrom: -
Spannung (AC): 480V
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 1kV
Rippelstrom: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: 110°C
Produktbreite: 20mm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1006.55 грн |
3+ | 879.99 грн |
5+ | 729.45 грн |
10+ | 607.11 грн |
20+ | 517.4 грн |
50+ | 482.74 грн |
B32656S7105K561 |
Виробник: EPCOS
Description: EPCOS - B32656S7105K561 - Leistungs-Folienkondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse - Flachstecker, 1 µF, ± 5%
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 37mm
dv/dt: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 37.5mm
Höhe: 37mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
RMS-Strom Irms: 15.5A
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.005ohm
Produktlänge: 42mm
euEccn: NLR
Spitzenstrom: -
Spannung (AC): 500V
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 1.25kV
Rippelstrom: -
productTraceability: No
Produktdurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: 110°C
Produktbreite: 28mm
Description: EPCOS - B32656S7105K561 - Leistungs-Folienkondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse - Flachstecker, 1 µF, ± 5%
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 37mm
dv/dt: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 37.5mm
Höhe: 37mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
RMS-Strom Irms: 15.5A
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.005ohm
Produktlänge: 42mm
euEccn: NLR
Spitzenstrom: -
Spannung (AC): 500V
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 1.25kV
Rippelstrom: -
productTraceability: No
Produktdurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: 110°C
Produktbreite: 28mm
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 940.65 грн |
3+ | 915.19 грн |
5+ | 888.97 грн |
10+ | 801.83 грн |
20+ | 695.22 грн |
50+ | 555.27 грн |
250+ | 546.93 грн |
500+ | 532.16 грн |
FA26NP02J472JNU06 |
Виробник: TDK Corporation
Description: CAP CER 4700PF 630V NP0 RAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Lead Style: Formed Leads - Kinked
Features: High Temperature
Voltage - Rated: 630V
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.217" L x 0.138" W (5.50mm x 3.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: Automotive
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Ratings: AEC-Q200
Height - Seated (Max): 0.236" (6.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 4700 pF
Description: CAP CER 4700PF 630V NP0 RAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Lead Style: Formed Leads - Kinked
Features: High Temperature
Voltage - Rated: 630V
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.217" L x 0.138" W (5.50mm x 3.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: Automotive
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Ratings: AEC-Q200
Height - Seated (Max): 0.236" (6.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 4700 pF
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 49.11 грн |
10+ | 33.24 грн |
50+ | 28.04 грн |
100+ | 21.43 грн |
500+ | 17.85 грн |
RB520CS30L,315 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 30V 100MA DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 10 V
Qualification: AEC-Q100
Description: DIODE SCHOTT 30V 100MA DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 10 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 38305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 19.5 грн |
22+ | 13.07 грн |
100+ | 6.39 грн |
500+ | 5.01 грн |
1000+ | 3.48 грн |
2000+ | 3.01 грн |
5000+ | 2.75 грн |
RB520CS30L,315 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 30V 100MA DFN1006-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: DIODE SCHOTT 30V 100MA DFN1006-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.57 грн |
30000+ | 2.43 грн |
RB520CS30L,315 |
Виробник: Nexperia
Schottky Diodes & Rectifiers RB520CS30L/SOD882/SOD2
Schottky Diodes & Rectifiers RB520CS30L/SOD882/SOD2
на замовлення 44462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 18.85 грн |
28+ | 11.21 грн |
100+ | 5.94 грн |
500+ | 4.74 грн |
1000+ | 2.94 грн |
2500+ | 2.74 грн |
10000+ | 2.34 грн |
SMP80MC-270 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SMP80MC-270 - TVS-Diode, TRANSZORB eSMP, Bidirektional, 243 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: -
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 270V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 243V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB eSMP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - SMP80MC-270 - TVS-Diode, TRANSZORB eSMP, Bidirektional, 243 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: -
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 270V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 243V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB eSMP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 45.46 грн |
20+ | 39.17 грн |
100+ | 27.19 грн |
500+ | 19.89 грн |
1000+ | 17.01 грн |
ST8004CDR |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 28SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 3.3V, 5V
Applications: Set-Top Boxes
Supplier Device Package: 28-SO
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 28SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 3.3V, 5V
Applications: Set-Top Boxes
Supplier Device Package: 28-SO
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 89.55 грн |
10+ | 72.74 грн |
25+ | 67.82 грн |
100+ | 57.29 грн |
250+ | 53.4 грн |
STB11NM80T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 516.36 грн |
10+ | 426.09 грн |
100+ | 355.11 грн |
500+ | 294.05 грн |
STB12NK80ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 172.43 грн |
STB12NK80ZT4 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 380.45 грн |
10+ | 277.85 грн |
100+ | 224.68 грн |
500+ | 192.63 грн |
STB12NK80ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 333.65 грн |
10+ | 269.62 грн |
100+ | 218.16 грн |
500+ | 181.98 грн |
STB140NF55T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 233.26 грн |
10+ | 188.67 грн |
100+ | 152.65 грн |
500+ | 127.34 грн |
STB140NF55T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 120.65 грн |
STB16NF06LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.77 грн |
10+ | 86.44 грн |
100+ | 67.21 грн |
STD16NF06LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 33.04 грн |
5000+ | 30.3 грн |
STD16NF06LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 8564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.44 грн |
10+ | 62.87 грн |
100+ | 48.94 грн |
500+ | 38.93 грн |
1000+ | 31.72 грн |
STD16NF06LT4 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD16NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STD16NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 93.62 грн |
11+ | 72.05 грн |
100+ | 52.35 грн |
500+ | 41.24 грн |
1000+ | 29.14 грн |
STD2NK90ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.05 грн |
10+ | 97.36 грн |
100+ | 77.5 грн |
500+ | 61.54 грн |
1000+ | 52.21 грн |
STD3NK50ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.05 грн |
10+ | 65.58 грн |
100+ | 50.98 грн |
500+ | 40.55 грн |
1000+ | 33.03 грн |
STD45NF75T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 75V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 57.21 грн |
5000+ | 53.02 грн |
12500+ | 51.26 грн |
STD45NF75T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 75V 40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
на замовлення 15817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.1 грн |
10+ | 101.46 грн |
100+ | 80.77 грн |
500+ | 64.13 грн |
1000+ | 54.42 грн |
STD5N20LT4 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 76.39 грн |
50+ | 65.83 грн |
100+ | 55.12 грн |
500+ | 43.39 грн |
1000+ | 35.95 грн |
STD5N20LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
на замовлення 17425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 72.22 грн |
10+ | 56.75 грн |
100+ | 44.15 грн |
500+ | 35.12 грн |
1000+ | 28.61 грн |
STD5N20LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 29.8 грн |
5000+ | 27.33 грн |
12500+ | 26.07 грн |
STF11NM80 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 477.81 грн |
10+ | 336.27 грн |
100+ | 298.82 грн |
500+ | 252.44 грн |
1000+ | 215.69 грн |
STF11NM80 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 413.09 грн |
50+ | 317.51 грн |
100+ | 284.08 грн |
500+ | 235.24 грн |
STF3NK80Z |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 5929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 142.99 грн |
50+ | 110.89 грн |
100+ | 91.23 грн |
500+ | 72.45 грн |
1000+ | 61.47 грн |
2000+ | 58.4 грн |
5000+ | 55.28 грн |
STF3NK80Z |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STF3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 167.01 грн |
10+ | 122.07 грн |
STF40NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 100.38 грн |
50+ | 77.42 грн |
100+ | 61.34 грн |
500+ | 48.8 грн |
1000+ | 39.75 грн |
2000+ | 37.42 грн |
STF5NK100Z |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V
на замовлення 10113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 287.43 грн |
50+ | 219.42 грн |
100+ | 188.07 грн |
500+ | 156.89 грн |
1000+ | 134.34 грн |
2000+ | 126.49 грн |
5000+ | 119.37 грн |
STF5NK100Z |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.75 A, 2.7 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STF5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.75 A, 2.7 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 268.12 грн |
10+ | 193.97 грн |
100+ | 166.26 грн |
500+ | 147.43 грн |
STGB20NB41LZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 442V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs
Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off)
Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
Description: IGBT 442V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs
Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off)
Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 239.04 грн |
10+ | 193.33 грн |
100+ | 156.41 грн |
500+ | 130.47 грн |
STGB20NB41LZT4 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 412V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 412V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 275.6 грн |
10+ | 194.72 грн |
100+ | 157.27 грн |
STGB20NB41LZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 442V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs
Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off)
Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
Description: IGBT 442V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs
Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off)
Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 123.62 грн |
STGP20NC60V |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 60A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
Description: IGBT 600V 60A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 236.15 грн |
50+ | 180.14 грн |
100+ | 154.41 грн |
STGW20NC60VD |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 60A 200W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
Description: IGBT 600V 60A 200W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 207.26 грн |
30+ | 158.56 грн |
120+ | 135.91 грн |
STGW20NC60VD |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Description: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 181.24 грн |
10+ | 137.8 грн |
100+ | 120.58 грн |
500+ | 106.4 грн |
1000+ | 89.87 грн |
STN790A |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.6 W
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 9963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39 грн |
10+ | 32.89 грн |
100+ | 22.77 грн |
500+ | 17.86 грн |
STN790A |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.6 W
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 16.82 грн |
2000+ | 14.42 грн |
5000+ | 13.66 грн |
STN790A |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN790A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STN790A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 51.9 грн |
18+ | 43.59 грн |
50+ | 27.34 грн |
200+ | 23.3 грн |
500+ | 19.58 грн |
STP11NM80 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 381.95 грн |
10+ | 296.57 грн |
100+ | 272.61 грн |
500+ | 217.67 грн |
1000+ | 197.07 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]