Інші пропозиції AO3400A за ціною від 1.28 грн до 35.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AO3400A | FUXINSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; RC3400A; AO3400A SOT23 FUXINSEMI TAO3400a FUXкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO3400A | JGSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 50mOhm; 5,8A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A JGSEMI TAO3400a JGSкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO3400A | JSMSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A JSMICRO TAO3400a JSMкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO3400A | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A UMW TAO3400a UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO3400A | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3400A TAO3400aкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5940 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3400A | UMW |
Description: 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3400A | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.7A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.7A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 26.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 33058 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3400A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3LPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V |
на замовлення 131850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3400A | UMW |
Description: 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3400A | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3400A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3LPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V |
на замовлення 131851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3400A | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| AO3400A |
![]() |
Виробник: FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; RC3400A; AO3400A SOT23 FUXINSEMI TAO3400a FUX
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; RC3400A; AO3400A SOT23 FUXINSEMI TAO3400a FUX
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.28 грн |
| AO3400A |
![]() |
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 50mOhm; 5,8A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A JGSEMI TAO3400a JGS
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 50mOhm; 5,8A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A JGSEMI TAO3400a JGS
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.63 грн |
| AO3400A |
![]() |
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A JSMICRO TAO3400a JSM
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A JSMICRO TAO3400a JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.71 грн |
| AO3400A |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A UMW TAO3400a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3400A UMW TAO3400a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.71 грн |
| AO3400A |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3400A TAO3400a
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3400A TAO3400a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.81 грн |
| AO3400A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
Description: 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.81 грн |
| 6000+ | 4.48 грн |
| AO3400A |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.7A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.7A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33058 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 6.38 грн |
| 80+ | 5.32 грн |
| 250+ | 4.69 грн |
| 1000+ | 4.22 грн |
| 3000+ | 3.99 грн |
| AO3400A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 131850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.84 грн |
| 6000+ | 6.86 грн |
| 9000+ | 6.50 грн |
| 15000+ | 5.73 грн |
| 21000+ | 5.51 грн |
| 30000+ | 5.30 грн |
| AO3400A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
Description: 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 11.87 грн |
| 39+ | 8.00 грн |
| 44+ | 7.04 грн |
| 100+ | 5.63 грн |
| 250+ | 5.16 грн |
| 500+ | 4.87 грн |
| 1000+ | 4.56 грн |
| AO3400A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 26.78 грн |
| 41+ | 18.41 грн |
| 79+ | 9.20 грн |
| 109+ | 6.18 грн |
| AO3400A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 131851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.60 грн |
| 15+ | 21.03 грн |
| 100+ | 13.33 грн |
| 500+ | 9.38 грн |
| 1000+ | 8.37 грн |
| AO3400A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| SS14 Код товару: 1577
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/MIC/Toshiba
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
у наявності: 10365 шт
8068 шт - склад
976 шт - РАДІОМАГ-Київ
312 шт - РАДІОМАГ-Львів
511 шт - РАДІОМАГ-Харків
498 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
976 шт - РАДІОМАГ-Київ
312 шт - РАДІОМАГ-Львів
511 шт - РАДІОМАГ-Харків
498 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| AO3401A транзистор Код товару: 103130
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 100nF 16V 10% X7R 0402 (CL05B104KO5NNNC – Samsung) Код товару: 103686
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 100 nF
Ном.напруга: 16 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0402
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 100 nF
Ном.напруга: 16 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0402
у наявності: 59974 шт
59354 шт - склад
610 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
610 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 0.40 грн |
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.20 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 72188 шт
65151 шт - склад
951 шт - РАДІОМАГ-Київ
4244 шт - РАДІОМАГ-Львів
1526 шт - РАДІОМАГ-Харків
316 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
951 шт - РАДІОМАГ-Київ
4244 шт - РАДІОМАГ-Львів
1526 шт - РАДІОМАГ-Харків
316 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |









