Інші пропозиції AO3401A транзистор за ціною від 1.49 грн до 35.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO3401A | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3401A | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3401A | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 45946 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3401A | GOODWORK |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 2.5V Power Dissipation (Max): 1.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO3401A | JSMSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3401A JSMICRO TAO3401a JSMкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO3401A | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3401A UMW TAO3401a UMWкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 5310 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO3401A | HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3401 HXY MOSFET TAO3401a HXYкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO3401A | BORN |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 4,2A; 1,4W; 85 mOhm; -55°C ~ 150°C; AO3401A SOT23 BORN TAO3401a BORNкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2284 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO3401A | ALPHA&OMEGA |
P-MOSFET 30V 4A 1.4W 44mΩ AO3401A Alpha TAO3401aкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO3401A | ALPHA&OMEGA |
P-MOSFET 30V 4A 1.4W 44mΩ AO3401A Alpha TAO3401aкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO3401A | ALPHA&OMEGA |
P-MOSFET 30V 4A 1.4W 44mΩ AO3401A Alpha TAO3401aкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 489 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3401A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3LPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3401A | UMW |
Description: 30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 954 pF @ 15 V |
на замовлення 2757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO3401A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3LPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V |
на замовлення 143495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AO3401A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.71 грн |
| 6000+ | 9.61 грн |
| 9000+ | 9.03 грн |
| 15000+ | 8.10 грн |
| 21000+ | 7.13 грн |
| 30000+ | 6.52 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.74 грн |
| 6000+ | 9.65 грн |
| 9000+ | 9.06 грн |
| 15000+ | 8.13 грн |
| 21000+ | 7.16 грн |
| 30000+ | 6.55 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45946 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 23.70 грн |
| 34+ | 12.53 грн |
| 44+ | 9.65 грн |
| 100+ | 6.52 грн |
| 500+ | 5.93 грн |
| 3000+ | 5.25 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: GOODWORK
Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.49 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: JSMSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3401A JSMICRO TAO3401a JSM
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3401A JSMICRO TAO3401a JSM
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.93 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3401A UMW TAO3401a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3401A UMW TAO3401a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.93 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3401 HXY MOSFET TAO3401a HXY
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3401 HXY MOSFET TAO3401a HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 2.48 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: BORN
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 4,2A; 1,4W; 85 mOhm; -55°C ~ 150°C; AO3401A SOT23 BORN TAO3401a BORN
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 4,2A; 1,4W; 85 mOhm; -55°C ~ 150°C; AO3401A SOT23 BORN TAO3401a BORN
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.24 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
P-MOSFET 30V 4A 1.4W 44mΩ AO3401A Alpha TAO3401a
кількість в упаковці: 100 шт
P-MOSFET 30V 4A 1.4W 44mΩ AO3401A Alpha TAO3401a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.04 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
P-MOSFET 30V 4A 1.4W 44mΩ AO3401A Alpha TAO3401a
кількість в упаковці: 100 шт
P-MOSFET 30V 4A 1.4W 44mΩ AO3401A Alpha TAO3401a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.04 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
P-MOSFET 30V 4A 1.4W 44mΩ AO3401A Alpha TAO3401a
кількість в упаковці: 100 шт
P-MOSFET 30V 4A 1.4W 44mΩ AO3401A Alpha TAO3401a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.04 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.84 грн |
| 6000+ | 6.86 грн |
| 9000+ | 6.50 грн |
| 15000+ | 5.73 грн |
| 21000+ | 5.51 грн |
| 30000+ | 5.30 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 954 pF @ 15 V
Description: 30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 954 pF @ 15 V
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.24 грн |
| 34+ | 9.14 грн |
| 38+ | 8.08 грн |
| 100+ | 6.45 грн |
| 250+ | 5.92 грн |
| 500+ | 5.60 грн |
| 1000+ | 5.24 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 143495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.60 грн |
| 15+ | 21.03 грн |
| 100+ | 13.33 грн |
| 500+ | 9.38 грн |
| 1000+ | 8.37 грн |
З цим товаром купують
| IRF540NPBF Код товару: 3289
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1561 шт
1512 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
| IRFZ44NPBF Код товару: 35403
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1496 шт
1414 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
44 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
44 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.00 грн |
| 100+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 11.20 грн |
| 10 kOhm 1% 1/16W 50V 0402 (RC0402FR-10KR-Hitano) Код товару: 50866
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0402
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном.,W: 1/16 W
Uроб.,V: 50 V
Типорозмір: 0402
Температура: -55...+155°C
SMD резистори > 0402
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном.,W: 1/16 W
Uроб.,V: 50 V
Типорозмір: 0402
Температура: -55...+155°C
товару немає в наявності
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується 15.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 0.09 грн |
| 1000+ | 0.05 грн |
| 10000+ | 0.03 грн |
| 100nF 16V 10% X7R 0402 (CL05B104KO5NNNC – Samsung) Код товару: 103686
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 100 nF
Ном.напруга: 16 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0402
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 100 nF
Ном.напруга: 16 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0402
у наявності: 60074 шт
59354 шт - склад
710 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
710 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 0.40 грн |
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.20 грн |











