AO4842
Код товару: 174151
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції AO4842 за ціною від 10.75 грн до 75.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO4842 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AO4842 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 1.44W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Power dissipation: 1.44W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1497 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AO4842 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 9514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AO4842 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.49 грн |
| 6000+ | 16.15 грн |
| AO4842 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 1.44W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.44W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 1.44W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.44W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 19.14 грн |
| 32+ | 13.54 грн |
| 100+ | 11.94 грн |
| 500+ | 10.75 грн |
| AO4842 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 9514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.16 грн |
| 10+ | 45.48 грн |
| 100+ | 29.76 грн |
| 500+ | 21.57 грн |
| 1000+ | 19.52 грн |
З цим товаром купують
| B5819W Код товару: 210875
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Jiangsu
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-123
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 А
Падіння напруги, Vf: 0,6 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 10 А
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-123
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 А
Падіння напруги, Vf: 0,6 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 10 А
у наявності: 404 шт
298 шт - склад
106 шт - РАДІОМАГ-Київ
106 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.75 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (0603B104K500 – Walsin) Код товару: 148421
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Walsin
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 16792 шт
13257 шт - склад
3085 шт - РАДІОМАГ-Київ
450 шт - РАДІОМАГ-Львів
3085 шт - РАДІОМАГ-Київ
450 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |





