Продукція > APT > APTGT100A120D1G

APTGT100A120D1G

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf

Виробник: APT
100A/1200V/IGBT/2U

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTGT100A120D1G APT

Description: IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Power - Max: 520 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: D1, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: D1, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції APTGT100A120D1G

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	APTGT100A120D1G	Microsemi Corporation	Description: IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Power - Max: 520 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: D1 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: D1 Packaging: Bulk	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

APTGT100A120D1G

Виробник: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 520 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D1
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D1
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.