Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BC546BTA за ціною від 1.35 грн до 21.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC546BTA | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546BTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546BTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546BTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC546BTA | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignaltransistor, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC546BTA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546BTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546BTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC546BTA | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 200...450 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 300MHz |
на замовлення 3260 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546BTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546BTA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC546BTA | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 65V 100mA HFE/450 |
на замовлення 11143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546BTA | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignaltransistor, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 28690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546BTA | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546BTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC546BTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BC546BTA | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|