Продукція > LGE > BC639-16
BC639-16

BC639-16 LGE

TBC63916_0001.pdf
Виробник: LGE
Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TO92(AMMO) LGE TBC63916
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 805 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 805 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC639-16 LGE

Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції BC639-16 за ціною від 1.73 грн до 3.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC639-16 BC639-16 LGE TBC63916_0001.pdf Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TO92(AMMO) LGE TBC63916
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC639-16 BC639-16 JSMicro Semiconductor Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC639-16ZL1G; BC639-16-BP; BC639-16-LGE; BC639-16-CDI; BC639-16 JSMICRO TBC63916 JSM
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC639-16 BC639-16 LUGUANG ELECTRONIC BC635_637_639.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
160+3.15 грн
180+2.38 грн
500+2.14 грн
1000+1.88 грн
5000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC639-16 TBC63916_0001.pdf
BC639-16
Виробник: LGE
Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TO92(AMMO) LGE TBC63916
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC639-16
BC639-16
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC639-16ZL1G; BC639-16-BP; BC639-16-LGE; BC639-16-CDI; BC639-16 JSMICRO TBC63916 JSM
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC639-16 BC635_637_639.pdf
BC639-16
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
160+3.15 грн
180+2.38 грн
500+2.14 грн
1000+1.88 грн
5000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.