

BC808-25LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 10.86 грн |
| 59+ | 7.14 грн |
| 87+ | 4.88 грн |
| 103+ | 4.12 грн |
| 500+ | 2.82 грн |
| 1000+ | 2.44 грн |
| 1500+ | 2.24 грн |
| 3000+ | 1.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC808-25LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC808-25LT1G за ціною від 1.41 грн до 12.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC808-25LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC808-25LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 339000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC808-25LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 100MHz Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC808-25LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 64181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC808-25LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 64181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC808-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 38280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC808-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 38280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC808-25LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3Power - Max: 300 mW Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V |
на замовлення 41541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC808-25LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V PNP |
на замовлення 25575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC808-25LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BC808-25LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18293+ | 1.94 грн |
| BC808-25LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 339000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18293+ | 1.94 грн |
| 100000+ | 1.62 грн |
| BC808-25LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.23 грн |
| 6000+ | 1.91 грн |
| 9000+ | 1.79 грн |
| 15000+ | 1.55 грн |
| 21000+ | 1.48 грн |
| 30000+ | 1.41 грн |
| BC808-25LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 64181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5264+ | 2.69 грн |
| 5416+ | 2.62 грн |
| 5598+ | 2.53 грн |
| 6000+ | 2.37 грн |
| 15000+ | 2.12 грн |
| 30000+ | 1.96 грн |
| BC808-25LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 64181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 244+ | 3.10 грн |
| 251+ | 3.01 грн |
| 258+ | 2.94 грн |
| 265+ | 2.75 грн |
| 273+ | 2.48 грн |
| 500+ | 2.31 грн |
| 1000+ | 2.24 грн |
| 3000+ | 2.17 грн |
| 6000+ | 2.11 грн |
| BC808-25LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 38280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 11.24 грн |
| 123+ | 6.66 грн |
| 191+ | 4.28 грн |
| 500+ | 2.80 грн |
| 1500+ | 2.40 грн |
| BC808-25LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 38280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.24 грн |
| 123+ | 6.66 грн |
| 191+ | 4.28 грн |
| 500+ | 2.80 грн |
| 1500+ | 2.40 грн |
| BC808-25LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
на замовлення 41541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 11.78 грн |
| 46+ | 6.66 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 500+ | 2.80 грн |
| 1000+ | 2.45 грн |
| BC808-25LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V PNP
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V PNP
на замовлення 25575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 12.63 грн |
| 44+ | 7.31 грн |
| 100+ | 3.91 грн |
| 500+ | 2.86 грн |
| 1000+ | 2.58 грн |
| 3000+ | 1.96 грн |
| BC808-25LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





