Інші пропозиції BC817DPN,115 за ціною від 5.89 грн до 48.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC817DPN,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 98000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC817DPN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 500 mA, 500 mA, 600 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 600mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 600mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC817DPN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 500MA 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 600mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz, 80MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC817DPN,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT457 45V .5A NPN G P TRANS |
на замовлення 2605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC817DPN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 500 mA, 500 mA, 600 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 600mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 600mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BC817DPN,115 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,6, Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150, F2 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|