BC846BPDW1T1G ON-Semiconductor
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW BC846BPDW1T1G TBC846bpdw1t1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 1.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BPDW1T1G ON-Semiconductor
Description: ONSEMI - BC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 380mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.
Інші пропозиції BC846BPDW1T1G за ціною від 1.96 грн до 18.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 13689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Complementary transistorsDescription: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 200...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Kind of transistor: complementary pair |
на замовлення 11373 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 187003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual Complementary |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
на замовлення 3869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
на замовлення 3869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 13689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|





