Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BC847BWT1G за ціною від 1.01 грн до 20.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BWT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 BC847BWT1G ONS TBC847bw ONSкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC847BWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 61733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC847BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 10521 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 41953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC847BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BWT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BWT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 61733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC847BWT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN |
на замовлення 24720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| BC847BWT1G | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,15, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 779 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|