Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BC848BLT1G за ціною від 0.97 грн до 28.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC848BLT1G | ON-Semiconductor |
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE632 BC848BLT1G TBC848bкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC848BLT1G | ON-Semiconductor |
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE632 BC848BLT1G TBC848bкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 620112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 468000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 200...450 Frequency: 100MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar |
на замовлення 3331 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 23458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 40543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
на замовлення 24907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 40543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | On Semiconductor |
NPN, Uкэ=30V, Iк=0.1A, h21=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори |
на замовлення 11 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC848BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE632 BC848BLT1G TBC848b
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE632 BC848BLT1G TBC848b
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.34 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE632 BC848BLT1G TBC848b
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE632 BC848BLT1G TBC848b
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.34 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 620112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25424+ | 1.39 грн |
| 100000+ | 1.17 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.67 грн |
| 6000+ | 1.64 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8475+ | 1.67 грн |
| 8621+ | 1.64 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.73 грн |
| 6000+ | 1.47 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6757+ | 2.09 грн |
| 7212+ | 1.96 грн |
| 9000+ | 1.83 грн |
| 15000+ | 1.62 грн |
| 21000+ | 1.33 грн |
| 30000+ | 1.24 грн |
| 75000+ | 1.15 грн |
| 150000+ | 1.05 грн |
| 300000+ | 0.97 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6411+ | 2.20 грн |
| 6579+ | 2.15 грн |
| 9000+ | 2.00 грн |
| 15000+ | 1.78 грн |
| 21000+ | 1.41 грн |
| 30000+ | 1.31 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2942+ | 4.80 грн |
| 4133+ | 3.42 грн |
| 4659+ | 3.03 грн |
| 8523+ | 1.60 грн |
| 8572+ | 1.47 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...450
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...450
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 8.20 грн |
| 74+ | 5.76 грн |
| 84+ | 5.08 грн |
| 120+ | 3.56 грн |
| 139+ | 3.05 грн |
| 500+ | 2.12 грн |
| 1000+ | 1.84 грн |
| 2000+ | 1.63 грн |
| 3000+ | 1.52 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 23458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.49 грн |
| 55+ | 5.56 грн |
| 100+ | 3.41 грн |
| 500+ | 2.31 грн |
| 1000+ | 2.02 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.68 грн |
| 159+ | 5.19 грн |
| 500+ | 3.24 грн |
| 1500+ | 2.57 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
на замовлення 24907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.85 грн |
| 55+ | 5.98 грн |
| 100+ | 3.23 грн |
| 500+ | 2.39 грн |
| 1000+ | 2.04 грн |
| 3000+ | 1.55 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 68+ | 11.08 грн |
| 141+ | 5.37 грн |
| 177+ | 4.25 грн |
| 500+ | 2.91 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |
| 3000+ | 1.26 грн |
| 6000+ | 1.25 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2660+ | 12.14 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 22.73 грн |
| 85+ | 9.68 грн |
| 159+ | 5.19 грн |
| 500+ | 3.24 грн |
| 1500+ | 2.57 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=30V, Iк=0.1A, h21=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори
NPN, Uкэ=30V, Iк=0.1A, h21=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 11 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.36 грн |
| BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.








