Інші пропозиції BC849CLT1G за ціною від 0.66 грн до 18.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC849CLT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONSкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC849CLT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 49020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 46336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 46336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC849CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC849CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC849CLT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
на замовлення 21177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC849CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC849CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| BC849CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3192 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|