BC856BDW1T1G

BC856BDW1T1G ON-Semiconductor


TBC856BDW1_0001.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BDW1T1G ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 380mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -.

Інші пропозиції BC856BDW1T1G за ціною від 1.64 грн до 18.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8621+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 8621
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6148+2.30 грн
9000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 6148
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14564+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 14564
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 16693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14564+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 14564
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4919+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 4919
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2069+6.82 грн
2852+4.95 грн
3254+4.34 грн
4110+3.31 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 2069
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 24765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.78 грн
150+5.51 грн
500+3.75 грн
1500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI BC856BDW1T1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 4736 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.12 грн
68+6.26 грн
98+4.33 грн
116+3.66 грн
500+2.47 грн
1000+2.14 грн
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1295+10.90 грн
2101+6.72 грн
2896+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 1295
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.24 грн
37+8.30 грн
100+5.14 грн
500+3.52 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 24765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.69 грн
94+8.78 грн
150+5.51 грн
500+3.75 грн
1500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
на замовлення 69555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.85 грн
37+8.82 грн
100+4.78 грн
500+3.52 грн
1000+3.09 грн
3000+2.39 грн
6000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.44 грн
69+11.06 грн
111+6.82 грн
500+4.77 грн
1000+3.87 грн
3000+2.94 грн
6000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
755+18.69 грн
757+18.66 грн
1000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 755
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+18.83 грн
41+18.77 грн
100+18.06 грн
250+16.69 грн
500+15.99 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8621+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 8621
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6148+2.30 грн
9000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 6148
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14564+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 14564
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 16693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14564+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 14564
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G 2140510.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4919+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 4919
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2069+6.82 грн
2852+4.95 грн
3254+4.34 грн
4110+3.31 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 2069
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G 2140510.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 24765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.78 грн
150+5.51 грн
500+3.75 грн
1500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 4736 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.12 грн
68+6.26 грн
98+4.33 грн
116+3.66 грн
500+2.47 грн
1000+2.14 грн
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1295+10.90 грн
2101+6.72 грн
2896+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 1295
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.24 грн
37+8.30 грн
100+5.14 грн
500+3.52 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G 2140510.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 24765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.69 грн
94+8.78 грн
150+5.51 грн
500+3.75 грн
1500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
на замовлення 69555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.85 грн
37+8.82 грн
100+4.78 грн
500+3.52 грн
1000+3.09 грн
3000+2.39 грн
6000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+18.44 грн
69+11.06 грн
111+6.82 грн
500+4.77 грн
1000+3.87 грн
3000+2.94 грн
6000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
755+18.69 грн
757+18.66 грн
1000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 755
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+18.83 грн
41+18.77 грн
100+18.06 грн
250+16.69 грн
500+15.99 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.