BC856BM3T5G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2050+ | 6.89 грн |
| 2789+ | 5.06 грн |
| 3866+ | 3.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BM3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC856BM3T5G за ціною від 2.27 грн до 18.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC856BM3T5G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC856BM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.265W Case: SOT723 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 1810 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC856BM3T5G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V PNP |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 4646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | Виробник : ON |
SOT723 |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |