BC856BWT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6697+ | 2.11 грн |
| 6757+ | 2.09 грн |
| 9000+ | 1.83 грн |
| 15000+ | 1.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BWT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC856BWT1G за ціною від 1.35 грн до 20.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC856BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 4104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 4070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 4072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC856BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 4104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC856BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 4749 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC856BWT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|