Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BC857ALT1G за ціною від 0.79 грн до 16.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 501000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 32700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 1636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857ALT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP |
на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BC857 | Виробник : HT Jinyu Semiconductor | BC857 |
на замовлення 810000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| BC857ALT1G | Виробник : On Semiconductor |
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=90, -55...+150 Транзистори |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|