BC857CLT1G

BC857CLT1G


BC856ALT1-D.PDF
Код товару: 46298
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857CLT1G

  • Bipolar Transistor
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V
  • Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):420V
  • Power Dissipation, Pd:0.3W
  • DC Current Gain Min (hfe):420
  • Package/Case:SOT-23

Інші пропозиції BC857CLT1G за ціною від 1.45 грн до 152.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : ON-Semiconductor TBC857c_ONS_0001.pdf PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR TBC857c ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.91 грн
65+4.72 грн
106+2.90 грн
500+1.95 грн
1000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.51 грн
50+6.55 грн
100+3.02 грн
500+2.04 грн
1000+1.76 грн
3000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : ONSEMI BC856ALT1-D.PDF Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : ONSEMI BC856ALT1-D.PDF Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.