BCP56-16 REALCHIP
Виробник: REALCHIP
Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 80V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56-16,135; BCP56-16,115; BCP56-16 STM; BCP56-16TX; BCP56-16TR; BCP56-16 SOT223 RealChip TBCP5616 REA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP56-16 REALCHIP
Description: STMICROELECTRONICS - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BCP56-16 за ціною від 3.26 грн до 61.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCP56-16 | Виробник : YFW |
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1; BCP56-16 SOT223 YFW TBCP5616 YFWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 860 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCP56-16 | Виробник : YY |
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16 SOT223 YANGJIE TBCP5616 YYкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCP56-16 | Виробник : SLKOR |
Transistor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP5616H6327XTSA1; BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16-TP; BCP56-16 SLKOR TBCP5616 SLKкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2184 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCP56-16 | Виробник : ST |
Transistor NPN; 250; 1,6W; 80V; 1A; -65°C ~ 150°C; BCP56-16 STM TBCP5616 STMкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 0.2A |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 3566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCP56-16 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 80V, 1000mA, NPN |
на замовлення 33369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Current gain: 40...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 4991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Voltage |
на замовлення 11530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
BCP56-16 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BCP5616 | Виробник : ZETEX | 06+; |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |











