BCR185WE6327
Код товару: 131182
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BCR185WE6327 за ціною від 1.24 грн до 2.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCR185WE6327 | Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 375000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| BCR 185W E6327 | Infineon Technologies |
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = PNP, Ic = 0,1, ft, МГц = 200, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Кокількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 8190 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||
| BCR185WE6327 | INFINEON |
07+ |
на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BCR185WE6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8955+ | 2.04 грн |
| BCR 185W E6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = PNP, Ic = 0,1, ft, МГц = 200, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Ко
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = PNP, Ic = 0,1, ft, МГц = 200, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Ко
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 8190 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.24 грн |
| BCR185WE6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON
07+
07+
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.


