BD13516STU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1920+ | 23.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13516STU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD13516STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BD135, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BD13516STU за ціною від 17.23 грн до 82.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD13516STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13516STU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1.5A Case: TO126ISO Mounting: THT Power dissipation: 12.5W Current gain: 100...250 Kind of package: tube |
на замовлення 1813 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13516STU | onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD13516STU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13516STU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13516STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BD135 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BD13516STU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1920+ | 23.41 грн |
| BD13516STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 73.84 грн |
| 12+ | 36.40 грн |
| 25+ | 32.51 грн |
| 60+ | 29.12 грн |
| 120+ | 26.83 грн |
| 300+ | 24.21 грн |
| BD13516STU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.33 грн |
| 60+ | 34.04 грн |
| BD13516STU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.87 грн |
| 10+ | 36.56 грн |
| 100+ | 28.27 грн |
| 500+ | 26.86 грн |
| 1000+ | 22.43 грн |
| 1920+ | 20.75 грн |
| 5760+ | 17.23 грн |
| BD13516STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13516STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BD135
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BD13516STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BD135
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 82.87 грн |
| 23+ | 37.09 грн |
| 100+ | 32.98 грн |





