BD13716STU

BD13716STU ON-Semiconductor


TBD13716stu_0001.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 180 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD13716STU ON-Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.25 W.

Інші пропозиції BD13716STU за ціною від 28.53 грн до 86.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD13716STU BD13716STU ON-Semiconductor TBD13716stu_0001.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+51.45 грн
309+45.82 грн
389+36.32 грн
540+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 275
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.51 грн
60+45.87 грн
120+36.36 грн
540+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.49 грн
11+39.62 грн
25+34.96 грн
60+31.07 грн
120+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.07 грн
60+36.20 грн
120+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.15 грн
10+38.50 грн
100+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU TBD13716stu_0001.pdf
BD13716STU
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU bd139-d.pdf
BD13716STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
275+51.45 грн
309+45.82 грн
389+36.32 грн
540+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 275
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU bd139-d.pdf
BD13716STU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+51.51 грн
60+45.87 грн
120+36.36 грн
540+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD135_137_139.PDF
BD13716STU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.49 грн
11+39.62 грн
25+34.96 грн
60+31.07 грн
120+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD135%2C137%2C139.pdf
BD13716STU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.07 грн
60+36.20 грн
120+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD135%2C137%2C139.pdf
BD13716STU
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.15 грн
10+38.50 грн
100+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.