BD138G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 16.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD138G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BD138G за ціною від 24.30 грн до 113.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD138G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD138G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD138G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD138G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD138G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD138G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 8418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD138G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD138G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BD138G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD138G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 38.61 грн |
| BD138G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 38.66 грн |
| BD138G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 632+ | 55.89 грн |
| 1000+ | 51.55 грн |
| BD138G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 632+ | 55.89 грн |
| 1000+ | 51.55 грн |
| BD138G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 632+ | 55.89 грн |
| 1000+ | 51.55 грн |
| BD138G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 8418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.39 грн |
| 10+ | 65.98 грн |
| 100+ | 44.05 грн |
| 500+ | 32.52 грн |
| 1000+ | 29.68 грн |
| 2000+ | 27.29 грн |
| 5000+ | 24.30 грн |
| BD138G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 109.94 грн |
| 12+ | 69.82 грн |
| 100+ | 46.60 грн |
| BD138G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.22 грн |
| 10+ | 70.93 грн |
| 100+ | 41.21 грн |
| 500+ | 32.35 грн |
| 1000+ | 27.15 грн |
| 6000+ | 26.93 грн |
| BD138G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.




