BD13916STU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1239+ | 20.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13916STU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD13916STU за ціною від 14.99 грн до 76.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD13916STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13916STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13916STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 8100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13916STU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO126ISO Current gain: 100...250 Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 2671 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13916STU | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 7841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD13916STU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 5331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13916STU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13916STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BD139-16STU | ONS/FAI |
TO-126ISO Транзистори |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| BD13916STU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 36.82 грн |
| 60+ | 32.45 грн |
| 120+ | 26.59 грн |
| 540+ | 23.80 грн |
| 1020+ | 20.29 грн |
| BD13916STU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 382+ | 37.02 грн |
| 433+ | 32.63 грн |
| 528+ | 26.73 грн |
| 569+ | 23.93 грн |
| 1020+ | 20.40 грн |
| BD13916STU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 8100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 276+ | 51.30 грн |
| 500+ | 32.93 грн |
| 2000+ | 27.37 грн |
| 3900+ | 26.14 грн |
| 5800+ | 23.13 грн |
| BD13916STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 64.73 грн |
| 12+ | 35.81 грн |
| 25+ | 30.39 грн |
| 60+ | 26.33 грн |
| 120+ | 23.79 грн |
| 540+ | 19.13 грн |
| 1020+ | 19.05 грн |
| BD13916STU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 7841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.79 грн |
| 60+ | 31.10 грн |
| 120+ | 27.58 грн |
| 540+ | 20.40 грн |
| 1020+ | 18.62 грн |
| 2040+ | 16.99 грн |
| 5040+ | 14.99 грн |
| BD13916STU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 5331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.48 грн |
| 10+ | 33.16 грн |
| 100+ | 25.60 грн |
| BD13916STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 76.96 грн |
| 24+ | 34.30 грн |
| 100+ | 30.44 грн |
| 500+ | 22.02 грн |
| 1000+ | 17.65 грн |
| BD13916STU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BD139-16STU |
![]() |
Виробник: ONS/FAI
TO-126ISO Транзистори
TO-126ISO Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.48 грн |





