Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BD139G

BD139G

BD135-D.PDF
Код товару: 194229
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BD139G за ціною від 12.56 грн до 100.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD139G BD139G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.15 грн
1000+34.38 грн
2500+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G onsemi BD135-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
на замовлення 4302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.15 грн
10+57.37 грн
100+38.02 грн
500+27.89 грн
1000+25.38 грн
2000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G onsemi BD135-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.46 грн
10+61.14 грн
100+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.10 грн
15+58.01 грн
100+40.53 грн
500+28.65 грн
1000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G ON Semiconductor BD135-D_ONS.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+14.65 грн
100+12.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G bd135-d.pdf
BD139G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+37.15 грн
1000+34.38 грн
2500+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD135-D.PDF
BD139G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
на замовлення 4302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.15 грн
10+57.37 грн
100+38.02 грн
500+27.89 грн
1000+25.38 грн
2000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD135-D.PDF
BD139G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.46 грн
10+61.14 грн
100+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD139G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.10 грн
15+58.01 грн
100+40.53 грн
500+28.65 грн
1000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD135-D_ONS.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.65 грн
100+12.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.